基态O和D原子的低能弹性碰撞及OD（X2Π）自由基的准确解析势与分子常数

利用CCSD（T）理论及相关一致五重基aug-cc-pV5Z构建了OD（X²Π）自由基的相互作用势, 计算了这个自由基的光谱常数D₀, D_e, R_e, ω_e, ω_eχe及B_e, 其值分别为44574,46225?eV,009702 nm, 2724923,453534和100096 cm^-1, 均与实验结果相符很好. 利用这一相互作用势, 在绝热近似下通过数值求解双原子分子核运动的径向薛定谔方程, 找到了J=0时OD（X²Π）自由基存在的全部23个振动态, 完整地求出了每一振动态的振动能级、振动经典转折点、惯性转动常数和离心畸变常数, 其值与实验结果相当一致. 在10×10^-11—10×10^-3a.u.的能量范围内研究了基态O和D原子沿OD（X²Π）势能曲线的弹性碰撞, 计算了这一碰撞的总截面和各分波截面, 分析了各分波截面对总截面的不同贡献. 结果表明: 总截面的形状主要由s分波截面决定, 尽管直到l = 12的其他分波截面均有形状共振存在, 但由于其强度较弱, 大都湮没在较强的s分波截面中. 关键词： 弹性碰撞 总截面 形状共振 光谱常数     

Spectroscopic investigations on NO＋（X1∑＋, a3∑＋, A1II） ion using multi-reference configuration interaction method and correlation-consistent sextuple basis set augmented with diffuse functions

Three low-lying electronic states （X1∑, a3∑＋, and A1II） of NO＋ ion are studied using the complete active space self-consistent-field （CASSCF） method followed by highly accurate valence internally contracted multi-reference configuration interaction （MRCI） approach in combination of the correlation-consistent sextuple basis set augmented with diffuse functions, aug-cc-pV6Z. The potential energy curves （PECs） of the NO＋（X1∑＋, a3∑＋, A1II） are calculated. Based on the PECs, the spectroscopic parameters Re, De, We, WeXe, ae, Be, and D0 are reproduced, which are in excellent agreement with the available measurements. By numerically solving the radial SchrSdinger equation of nuclear motion using the Numerov method, the first 20 vibrational levels, inertial rotation and centrifugal distortion constants of NO＋（X1∑＋, a3∑＋, A1II） ion are derived when the rotational quantum number J is equal to zero （J = 0） for the first time, which accord well with the available measurements. Finally, the analytical potential energy functions of these states are fitted, which are used to accurately derive the first 20 classical turning points when J = 0. These results are compared in detail with those of previous investigations reported in the literature.     

增大夏克-哈特曼波前传感器动态范围的算法研究

为了保证夏克-哈特曼波前传感器具有高灵敏度的同时又具有较大的动态范围,提出了一种能够有效增大传感器动态范围的数据处理方法光斑归位法。该方法使不规则的光斑回归到各自原来的位置,形成一个规则的光斑阵列,找到光斑阵列中某个光斑与微透镜的匹配关系,进而找到所有的光斑与微透镜的匹配关系。该方法的优点在于光斑不需要被限制在子孔径内且在不增加硬件等其他辅助条件下能够有效地增大夏克-哈特曼波前传感器的动态范围。实验验证了光斑归位法的正确性和可行性,结果表明,光斑归位法是正确的且采用该方法的动态范围比传统算法的动态范围提高了25倍以上。     

3BaO·3B_2O_3·2GeO_2非晶体晶化过程的研究

3BaO·3B_2O_3·2Ge0_2是BaO-B_2O_3-GeO_2三元系中的一个三元化合物。本文用差热分析法对3BaO·3B_2O_3·2GeO_2非晶态晶化过程进行了研究,非晶的晶化温度随颗粒度减小而下降。用等温晶化法和峰值位移法测定了不同颗粒度的晶化激活能,非晶颗粒度越小,晶化激活能越大。     

Ce：KNSBN晶体两波耦合动态过程研究

本文在非同时读出条件下，采用实时数据采集系统，实验研究了e偏振光写入Ce：KNSBN晶体两波耦合动态过程，发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响；当He-Ne632．8mm激光通过Ce：KNSBN晶体时，光扇效应存在明显的写入光强阈值特性，其阈值约为20mW／cm^2。依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正，其数值计算与实验结果基本符合。     

BaO-B_2O_3-GeO_2(BaO≤50mo1％)三元系相图的研究

本文用X射线衍射及差热分析等方法,研究了BaO-B_2O_3-GeO_2(BaO≤50mol％)三元系的室温截面相图。发现了一个新的三元化合物Ba_3B_6Ge_2O_(16)(3BaO·3B_2O_3·2GeO_2)。并且研究了BaB_2O_4-Ba_3B_6Ge_2O_(16),BaGeO_3-Ba_3B_6Ge_2O_(16),BaB_2O_4-BaGeO_3三个二元系相图。它们都是共晶体系,共晶温度分别为937±3℃、879±3℃875±3℃;共晶组分分别为(BaO)_(0.42)(B_2O_3)_(0.42)(GeO_2)_(0.16),(BaO)_(0.42)(B_2O_3)_(0.24)(GeO_2)_(0.34),(BaO)_(0.50)(B_2O_3)_(0.27)(GeO_2)_(0.23).这三个二元系组成一个三元共晶体系,其三元共晶温度为870±3℃,共晶组分为(BaO)_(0.46)(B_2O_3)_(0.27)(GeO_2)_(0.27).     

写入光偏振态对Ce:KNSBN晶体衍射特性的影响

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体,通过改变抽运光偏振方向和品体c轴的夹角φ.系统记录了不同φ角下的抽运光透射光强I',随时间的变化情况.实验结果表明,当φ≤30°时,基本没有光扇效应;实验研究了正交偏振光写入下Ce:KNSBN晶体的两波耦合动态过程,并与e光写入下两波耦合动态过程进行了比较,发现正交偏振光写入时光扇噪声得到了明显抑制,在相同的写入参量条件下光栅的衍射效率明显提高.     

入射光参量对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,研究了入射光强度及光入射角对Ce∶KNSBN晶体中光扇效应的影响.结果表明,光扇效应存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2.对应相同的入射光强度,光入射角θ为15°时稳态光扇强度Ifsat最强,如:入射光强度为38.2 mW/cm2时,Ifsat最大为0.7 mW/cm2;入射光强度为57.3 mW/cm2时,Ifsat最大为1.8 mW/cm2.     

计算晶体CdCl2:Ni2+的电子顺磁共振谱的完全对角化和高阶微扰方法

采用半自洽场自由Ni²⁺的d轨道波函数和点电荷-偶极子模型,建立局部结构、光谱与电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D和顺磁g因子)之间的定量关系.利用完全对角化方法(CDP)和高阶微扰方法,统一解释CdCl₂:Ni²⁺晶体的局部结构、光谱和电子顺磁共振谱(EPR),并比较两种计算方法得到的结果.     

CuO掺杂对KNN-BNZ无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备了0.97K05Na0.5NbO3-0.03Bi0.5Na0.5ZrO3+xmo1; CuO (0.97KNN-0.03BNZ+xCu)无铅压电陶瓷.研究不同CuO掺量(x=0、0.5、1、2、3和4)对0.97KNN-0.03BNZ陶瓷的显微结构和电学性能的影响.结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,机械品质因数Qm有明显提高,矫顽场显著增大.CuO的掺入量在3;时,样品的综合性能最佳:压电常数(d33)为137 pC/N,机电耦合系数(kp)为0.30,机械品质因数(Qm)为238,介电损耗(tanδ)为1.5;.另外,从SEM图片中可以看出:0.97KNN-0.03BNZ压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显增大,这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度.