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81.
通过 YBa_2Cu_(3-x)M_xO_y(M=Al,Sn)系列样品正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,系统地研究了 Cu 位替代对正电子湮没谱的影响.实验表明,Y-Ba-Cu-O 超导体的一维角关联谱由两个高斯成分组成,分别是正电子在链区和 Cu-O 平面采样湮没的反映,未能观察到相应于 Fermi 电子气湮没的抛物线部分存在.正电子湮没谱对 Cu 位元素的替代,特别是链区的替代是敏感的.正电子湮没技术可能为判断 Y-Ba-Cu-O 超导体中元素替代位置提供一些有用的信息. 相似文献
82.
Bi系氧化物超导体的微结构与超导电性的关系 总被引:3,自引:1,他引:2
本系统地研究总结了Bi系氧化物超导体的微结构特征及其与超导电性的关系。我们的研究结果指出CuO2面的准二维特征是铜氧化物产生超导电性的必要条件,超导电性的出现与否以及Tc的高低是由CuO2面的结构畸变程度的大小所决定的。对于Bi系氧化物,CuO2面的结构畸变与非公度调制结构的特征是相关的,随着调制波长的缩短,CuO2面的畸变加剧,反之则减弱。对于非公度调制的起因,我们的结果表明它来自于BiO层和 相似文献
83.
本文系统地研究了顺磁性金属玻璃 Zr_xCo_(100-x)(x=78,72,66.8)和 Zr_(66.7)M_(33.3)(M=Fe,Ni,Cu)的低温电导率与温度的关系σ(T)发现,在很宽的温区内,σ(T)与弱局域化理论相符.随着温度的降低,σ(T)∝T~(1/2),此规律来源于电子-电子相互作用效应,在超导临界温度Tc 附近,σ(T)∝ε~(-1/2);这是 Aslamusou-Larkin 项(AL 项)对超导涨落效应的贡献. 相似文献
84.
Based on the scaling rule: R(T, H, θ) = R(T, h), where h = H(sin2θ+cos2θ/γ2)1/2 and θ is field angle with respect to the ab-plane, the scaling approach is performed to examine the c-axis resistances of single crystalline La1.86Sr0.14CuO4 as functions of field and its orientation at different temperatures. The anisotropy parameter γ of the system is extracted from the scaling approach, but shows an unusual temperature-dependent behavior, which is not expected by conventional theory. A phenomenological explanation of this temperature dependence is presented. 相似文献
85.
实验上研究了BiSrCaCu_2O_y高T_c超导体在超导转变前不同温度下的电子顺磁共振(EPR),发现有两个具有不同的随温度变化规律的 EPR 信号存在于该样品中,其中一信号随温度升高逐渐向高场移动,相应的朗德因子 g 值从115K 时的2.78减少到310K 时的2.24,而另一信号基本上不随温度变化而变化,相应的朗德因子 g 值接近于自由电子的 g_e 值(~2.003),文中就上述现象进行了讨论. 相似文献
86.
87.
88.
89.
The double-doped La2/3+4x/3Sr1/3-4x/3Mn1-xMgxO3 samples with fixed Mn^3+/Mn^4+ ratio equal to 2/1 are investigated by means of magnetism and transport measurements. Phase separation is observed at temperature higher than T^onset c for x = 0.10 and 0.15. For x = 0.10, rather strong phase separation induces drastic magnetic random potential and results in the localization of carriers. Thus, the varlable-range hopping process dominates. For other samples, there is no or only weak phase separation above T^onset c. Thus, thermal activation mechanism is responsible for the high temperature transport behaviour. For x = 0.20 and 0.25, unexpected AFM behaviour is observed at low temperature. All these results are well understood by considering the special role of the "double-doping". 相似文献
90.