非晶态InSb及其亚稳中间相的霍耳效应和超导电性

实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应. 结果表明, 金属型非晶态InSb以电子导电为主, 半导体型非晶态InSb 以空穴导电为主; 金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程; 第三电导跃变是富In或富Sb 固溶体相在半导体InSb 晶界上析出并集中所引起的; 金属型非晶态I站b 的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质; 第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高, 可能主要起因于电子浓度的增加. 关键词：     

非理想约瑟夫逊隧道结的Ⅰ-Ⅴ特性

本文研究了各种绝缘层厚度的约瑟夫逊结的Ⅰ-Ⅴ特性。分析了各种非理想结Ⅰ-Ⅴ实验曲线的行为。对结的稳定性机理进行探讨。     

重Fermi子体系的自发磁矩和反常比热

本文提出重Fermi子体系是一种局域的f电子可以变化的Kondo体系.理论得到在特定温区可以产生自发磁矩,且由f带离Fermi面的距离之不同而存在不同类型的自发磁矩效应.理论并给出由于局域f电子的变化导致重Fermi子体系比热与温度的反常关系.理论与六种重Fermi子材料比热的实验值符合得相当好. 关键词：     

二维钾、钠紫青铜单晶A0.9Mo6O17(A=K,Na)的热电势特性

在８０—２８０Ｋ范围内对准二维钾、钠紫青铜单晶的热电势与温度的关系进行了研究，发现：（１）对钾紫青铜，在１０５Ｋ附近热电势有符号变化，并且在高温正常金属相，热电势Ｓ具有较小的负值，可以用经验关系Ｓ＝ＡＴ＋Ｂ来描述，自由电子为支配载流子；而在Ｔ＜１０５Ｋ的低温ＣＤＷ态，Ｓ为正值，可表示为Ｓ＝Ａ′Ｔ＋Ｂ′／Ｔ的形式，载流子的声子曳引热电势占支配作用．（２）对钠紫青铜，在Ｔ＞８０Ｋ范围内Ｓ与Ｔ具有很好的线性关系，没有观察到Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，电子为支配载流子．对造成两者差异的根源，也作了初步探讨 关键词：     

Ⅱ类超导体Y-Ba-Cu-O的研究

由测量高温超导体Y-Ba-Cu-O低磁场的交流磁化曲线和高强脉冲磁场中的R-H关系,得到该体系的H_(c_1)(T)和H_(c_2)(T)。实验给出H_(c_)(77K)=115G,dH_(c_2)/dT|T_c=2.2T/K,并由此而得出H_(c_1)(0)=525G,H_(c_2)(0)=135T,H_c(0)=1.63T,k=54.7,ξ(0)=15.6A,λ(0)=855A。这些结果说明Y-Ba-Cu-O是一种典型的H类超导体。     

超导In-Sn合金膜临界场的非线性非定域效应

本文对In+2％Sn,In+3％Sn的不同厚度合金膜的临界场H_c进行了研究,从实验上第一次提供了电子平均自由程l≠∞时的H_c～d的数据。这些实验结果表明,关于超导膜临界场问题只能用非线性非定域理论描述,在薄膜极限下,不论纯膜或合金膜,H_c∝d^-3/2;定域的London,Г-Л理论和线性非定域的Ittner理论皆不适用。一部分文献中给出H_c∝d^-1的结论,是由于那些作者分析实验结果的方法不恰当所致。     

Bi系中Pb的替代及其超导电性

分析了不同的降温速率对名义的 Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ga_2Cu_3O_y 样品的超导行为的影响,认为Pb 的替代并不能导致其 T_c 的提高,相反会有可能将原来的110K 相变成 100K 相,将原来的85K 相变成为72K 相,110K 相和100K 相以及85K 相和72K 相之间的结构框架没有本质的差别,所不同的是 Pb 在其中占据的位置,降温速率对其超导行为的影响可能是由于 Pb 在其中占据位置的有序分布的不同所致.     

YBa_(2-x)Sr_xCu_3O_y体系的正电子湮没辐射一维角关联谱研究

通过对YBa_(2-x)Sr_xCu_3O_y高温超导体系正电子湮没辐射一维角关联谱的测量,并结合超导临界温度Tc、氧含量以及晶体结构的综合分析,发现:Sr的替代,使体系的正交化程度减弱,T_c系统地下降,氧含量基本不变,也没有影响Cu-O链的电子结构,但却引起了Cu-O面电子结构的较大变化。据此,作者认为Cu-O面的局域电子结构是1:2:3相高温超导体中高温超导电性的决定因素。     

高掺杂Sn对Y-Ba-Cu-O体系结构和性质的影响

通过对高掺杂Sn的YBa₂Cu_3-xSn_xO_7-y体系的穆斯堡尔谱测量,确定了掺杂的Sn全部以Sn⁴⁺离子形式存在,多数占据Ba,Y,Cu(2),少量占据Cu(1)位置,Sn含量x不同,其在各个位置上的占有比例也不同,超导电性测量表明,该系列样品T_c大都在77K以上,Cu(2)和Y位上的金属离子被替代对超导温度T_c影响不大,为Cu-O面不是超导的主要原因 关键词：