退火a-Ge/Pb叠层膜的扩散机制与电阻率的反常行为

研究了a-Ge/Pb叠层膜不同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm/100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶。解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为。     

正交和四方YBa2Cu3O7-x的热膨胀系数

用电容法测量了正交和四方YBa₂Cu₃O_7-x的热膨胀系数与温度的关系。结果表明,正交样品在205K附近,四方样品在92—130K之间热膨胀系数有异常。估计前者可能与晶格的不稳定性有关,说明具有较强的电-声子相互作用,后者可能与结构转变有关,因此破坏了高温超导电性。同时也发现正交样品在92K热膨胀系数有微小跳跃。由此估计了压力效应 关键词：     

Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中的单斜相与掺Ba效应的研究

采用固相反应法合成名义组份为Bi₂Sr₂Ca_1-xBa_xCu₂O_y(A),Bi_1.7Pb_0.3Sr₂Ca_2-xBa_xCu₃O_y(B)的样品。此样品的物相和结构分析表明:在Bi系中存在着一种新的单斜相,其晶胞参量为a=24.8 关键词：     

Bi-Sr-Ca-Cu-O2212相超导单晶的定向生长

用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm³。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度T_c(0)=81.5k。 关键词：     

双桥结SQUID的V-H,V-t关系

本文解出了真实的双桥结SQUID的平均电压-磁场关系,算出了在给定磁场下瞬时电压随时间的变化,理论给出V-t关系既不是等周期的,且V(t)的幅值也不是常量,同时对瞬时电压过程予以物理上的解释。 关键词：     

Bi系材料在T■2T_c 附近的位移相变

借助于电子顺磁共振技术研究了 BiSrCaCu_2O_y,高温超导体的 EPR 谱型、平均朗德因子(?)、EPR 线宽ΔH 以及积分信号强度 S 随温度的变化关系,实验上发现该样品在 T(?)2T_c 附近显示出顺磁异常的现象,文中对这一反常现象的起因进行了分析和讨论,并提出一种可能的解释,认为这种反常是由于样品在 T(?)2T_c 附近发生一位移相变从而引起 Cu~(2+)离子位置上的磁场涨落所致.     

1100 ℃合成La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3低场庞磁电阻效应

采用溶胶-凝胶法制备了La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3系列样品.实验研究了系列样品的电输运性质、高温导电机制和低场磁电阻效应.结果发现样品高温下导电遵从Mott变程跳跃机制;在0.3 T的磁场下,绝缘体-金属转变附近磁电阻(MR0=[R(H=0)-R(H)]/R(H=0))由没有掺杂时的2%增加到4%Cu掺杂时的80%;实验同时发现与颗粒晶界有关的磁电阻也有实质性的提高.实验结果表明少量的Cu掺杂可以大大提高低场磁电阻效应.     

A位的Sm掺杂对La0.67Sr0.33MnO3体系磁电性质的影响

通过实验研究了La067-xSmxSr033MnO3(x=000，010，020，030)体系的M_T曲线、ESR曲线、红外光谱、拉曼光谱、ρ_T曲线和MR_T曲线. 实验结果表明：随着Sm掺杂的增加，体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变，Sm掺杂引起的磁结构变化和额外磁性耦合将导致CMR效应. 关键词： 磁结构 输运行为 庞磁电阻效应     

Mn位上Cu掺杂对La-Ca-Mn-O系统液氮温度磁电阻效应的影响

实验研究了Mn位上Cu掺杂对La_2/3Ca_1/3Mn_1-xCu_xO_y单相块材液氮温度磁电阻效应的影响.结果表明，在最佳掺杂(x≈0.15)的情况下，样品表现出非常明显的磁电阻效应，且磁电阻的主要变化发生在1T以下的低磁场下；当磁场增加到6T时，该样品的磁电阻效应比高达约5×10⁴%，相对于偏离最佳掺杂的样品，提高了近三个数量级. 关键词：