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201.
The influence of Gd doping at La-site on the electrical transport properties and the colossal magnetoresistance of La0.7-xGdxSr0.3MnO3 (x = 0.00, 0.10, 0.15, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, and 0.70) is studied. The experimental results indicate that the transport properties exhibit abnormal behavior under high doping condition. For x = 0.50, we find that a transition from metal to insulator occurs after the occurrence of insulator-metal transition near Tc, which seldom occurs in ABO3 structure. For samples x = 0.60 and 0.70, it exhibits insulator behavior far above Tc. These abnormal behaviors are attributed to different magnetic background, i.e. the system undergoes a transition from long range ferromagnetic order to the cluster-spin glass state and further to antiferromagnetic order. 相似文献
202.
In this paper, the crystallization behaviors and transport properties are investigated for a-Ge/Bi bilayers annealed at different temperatures. For 200nm/100nm bilayers, it is found that the orientations of Bi in the bilayers annealed at 200℃ and 340℃ are preferred, as well as the original one. But they are random when the bilayers are annealed at tem-peratures between 240℃ and 300℃. For 200nm/50nm bilayers, the orientation of Bi are always preferred. Corresponding to the orientations mentioned above, the minimum on the R(300K)-Ta curve appears only in the case of 200nm/100 nm bilayers. 相似文献
203.
204.
通过实验研究了La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)体系的M-T曲线、M-H曲线、红外光谱、拉曼光谱、ρ-T曲线和MR-T曲线.实验结果表明:随着Gd掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,高掺杂时的输运性质在其磁背景下发生异常.Gd掺杂引起的磁结构变化和额外的磁性耦合将导致庞磁电阻效应. 相似文献
205.
La0.7-xGdxSr0.3MnO3中的相分离和输运行为 总被引:16,自引:6,他引:10
研究了La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)体系的M-T曲线、M-H曲线、ESR曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线。实验结果表明:随着Gd掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,x=0.30和0.40时,样品在Tc以上温区发生相分离;高掺杂时的输运行为在其磁背景下发生异常,Gd掺杂引起的磁结构的变化将导致CMR效应。 相似文献
206.
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208.
209.
210.