也谈用安培环路定理求无限长载流螺线管内外磁场的分布

本文根据理想无限长载流螺线管电流分布的对称性,用场叠加原理及安培环路定理,求解出无限长载流螺线管内外磁场的分布。此方法简单明了,求解过程严谨。     

FeCr2-x GaxS4的磁性与巨磁电阻效应

研究了没有双交换作用的FeCr^2-x Ga_xS₄材料的磁性以及CMR效应.实验指出：Ga对Cr的替代破坏了Cr亚晶格自旋的相互作用,使体系FM性增强从而导致T_c提高,但PM到FM相变的幅度随掺杂逐渐降低.ESR给出的微观磁性指出Fe,Cr亚晶格自旋在温度低于T_c时各自是FM排列,而两者之间是AFM排列,以致对未掺杂样品,体系的宏观磁矩M相互抵消,掺杂样品在T_c将出现固有FM性. Ga掺杂使发生MR的峰值温度提高,但MR值降低.     

Pb、La掺杂Bi2201相高质量单晶的生长和表征

自助熔法从富Ｂｉ２Ｏ３ 的Ｂｉ１ ．８ ＋ ｘＰｂ０ ．２Ｓｒ１ ．６５Ｌａ０ ．３５ＣｕＯｙ（ｘ＝ ０ ．１ ,０ ．２,０ ．３ ,０．４ ,０ ．５） 熔体中生长出了高质量的Ｐｂ、Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２２０１ 相大单晶,最大尺寸达８ ×４ ×０ ．０５ｍｍ３ ．在生长单晶时不同程度过量的Ｂｉ２Ｏ３ 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定．通过单晶的（００ｌ） ＸＲａｙ 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为４ ×１ ．６ ×０ ．０３ｍｍ３ 的高质量单晶做了结构表征．由试验发现从富Ｂｉ２Ｏ３ 的熔体中生长高质量Ｂｉ２２０１ 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程     

La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)系统低温下的电阻极小值现象及其起因

实验研究了La_2/3Ca_1/3Mn_1-xCu_xO₃(x=0和0.15)样品在温度远低于居里温度时的电阻随温度的变化行为.发现未加磁场时,Cu掺杂样品在低温下表现出电阻极小值行为.这一极小值现象在外加磁场后消失.基于Kondo理论,对实验观察进行了讨论,并作了定量的理论与实验的比较. 关键词：     

CRITICAL CURRENT DENSITY AND FLUX PINNING CHARACTERISTICS IN MELT-TEXTURED Y0.6Er0.4Ba2Cu3Oy SUPERCONDUCTOR

We prepared highly textured YBa₂CuO_y and Y_0.6Er_0.4Ba₂Cu₃O_y bulk samples by a powder melting process method under the same conditions and studied the magnetic properties and flux pinning character istics. It is found that the J_c estimated by the Bean's model decreases with the magnetic field according to a power law J_c∝B^-n (n<0.55), suggesting that J_c values of these materials are controlled by the flux pinning rather than weak links. Also, J_c and flux pinning are improved by the Er addition. The reduction of the size of Y₂BaCuO₅ particles, magnetic pinning and stress-field pinning caused by the Er addition may be responsible for the enhancement of J_c and flux pinning.     

La1.85-xSr0.15+xCu1-xMxO4(M = Cr, Mn, Fe, Co, Ga, Al)体系的输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电阻率和电势等实验手段,系统地研究了Ｌａ１．８５－ｘＳｒ０．１５＋ｘＣｕ１－ｘＭｘＯ４（Ｍ＝Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ｇａ ａｎｄ Ａｌ）体系的结构和输运性质。结果表明;所有的三阶离子掺杂都能在较低的掺杂浓度下抑制超导电性,并且引起金属到绝缘体的转变。磁性离子和非磁性离子掺杂引起显著不同的热电势变化,并用ｄ－ｐ杂化态的变化和局域自旋散射来进行分析讨论。     

非双交换作用巨磁电阻材料Fe1+xCr2-xS4的磁性

Fe1+xCr2-xS4(x=0,0.1)是不存在双交换作用和Jahn-Teller畸变的巨磁电阻材料,Missbauer谱指认,对于FeCr2S4,Fe离子以Fe2+形式占据在四面体间隙形成Fe亚晶格,Cr离子以Cr3+的形式占据八面体间隙形成Cr亚晶格;对于Fe1.1Cr1.9S4,过量的的Fe离子替代Cr离子以Fe3+形式存在.电子自旋共振的结果表明在居里温度Tc以上,两个样品都只有单一吸收峰,而在T1以下(T1对应于Tc以下电阻率最小值的温度),ESR谱中原始的顺磁峰同时劈裂为一支高场峰和一支低场峰.该体系的微观磁性显示,对于FeCr2S4,Fe、Cr亚晶格的自旋同时进入铁磁态,而这两个亚晶格的磁矩彼此反平行排列;对于Fe1.1Cr1.9S4,过量的Fe离子的自旋反平行于Cr离子,这不但削弱了Cr亚晶格的内场,同时也使两个亚晶格之间的耦合减弱.由此,Fe1+xCr2-xS4反常的输运行为可以被很好地理解.     

铁钝化多孔硅中的输运性质

采用水热法制备了发光强度强且不衰减、峰位不蓝移的铁钝化多孔硅。标准四引线法测得的电阻一温度结果表明杂质能级是输运的主宰者;电流一电压结果说明当有电流流过样品时会有明显的热效应．考虑到金属电极和铁钝化多孔硅之间形成的肖特基势垒会对样品的输运性质产生影响,采用其平面的两引线法测量了铁钝化多孔硅样品在不同温度下的电流一电压特性,发现隧道模型可以很好地拟和这些结果这些研究结果指出作为未来的多孔硅光电集成器件;通过多孔硅的电流必须限定在一定的范围１引言 １９９０年英国的Ｌ．Ｔ,Ｃａｎｈａｍ首次成功获得在室…     

(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3体系的正电子湮没研究

为研究超大磁阻材料的掺杂效应,我们测量了(La1-xYx)2/3Ca1/3MnO3系列样品的正电子寿命谱,并结合X射线衍射和电阻温度关系的测量结果,系统地研究了Y掺杂引起的样品局域电子结构和空位型缺陷的变化,并提出了局域电荷转移的观点,解释正电子体寿命的变化.     

A STUDY ON ABSORPTION OF Na ATOMS ON Si(100) 2×1 SURFACES WITH DV-Xα METHOD

The Na absorption on Si(100) 2×1 surface is studied with quantum chemistry molecular cluster method. The calculated results show that the most favourable absorption site of Na is the cave site and the charge transfer of Na atom to Si is large when the Na coverage is smaller than 0.5 monolayer (ML). A Na chain is formed along the cave sites at the 0.5 ML Na coverage, the charge transfer then becomes small. The calculated density of states show that the Na atoms are metallic along the chain. At 1 ML coverage, the Na atoms occupy both the cave and pedestal sites and form a double-layer. There is a charge transfer of 0.5e from each Na atom to the Si surface. The calculated surface energy shows that the saturation absorption of Na on Si surface is 1 ML.