（La_（1－x）Sr_x）_2CuO_4高T_c单晶样品中Sr对其性质的影响

实验上研究了（Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒｘ）２ＣｕＯ４高Ｔｃ库晶样品的ｃ－轴正常态电阻同温度的关系以及Ｔｃ附近ｃ－轴电阻作为磁场和磁场取向的函数．结果表明，（１）随着Ｓｒ含量的增加，ｃ－轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为，和（２）固有的各向异性随Ｓｒ含量的增加而逐渐变弱，这些意味着Ｓｒ掺杂在Ｌａ基系统中有利于Ｃｕ－Ｏ面间耦合的改善．     

高J＿cTl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ＿ｃ＝１．５×１０￣４Ａ＊ｃｍ￣（－２），７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈａｂ面）和磁场垂直于带面（ＨＪ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ＿（０）＝０．２１，其中Ｈ的单位为ｋＧ。对Ｈａｂ面，ＨＩ时出现的与宏观洛仑兹力无关的耗散进行了讨论。     

掺杂蓝青铜的低频电压噪声研究

通过对掺杂蓝青铜的低频宽带噪声(BBN)的研究,发现在掺杂样品中杂质和缺陷能大大的加强低频电压噪声,并且噪声的幅度、波形又强烈地与单晶在冷却过程中的初始电流状态有关,从而揭示出电荷密度波的宽带噪声可能来自于样品中宏观缺陷的微观实质。 关键词：     

任意载流线圈在均匀磁场中所受磁力矩公式的简单推证

本文从电流回路元在磁场中所受磁力矩公式出发，并将任意形状的载流线圈等效成由许多电流回路元构成，从而推证出任意载流线圈在均匀磁场中所受磁力矩公式。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)四方向正交过渡的物相结构、电子结构和超导电性的研究

本文对单相YBa_2Cu_3O_(7-y)在不同温度淬火所得系列样品进行了X射线衍射分析物相结构分析和X光电子能谱电子结构分析以及电阻-温度特性测试和液氮温度下样品的电流密度与样品的电阻恢复率的关系曲线测试,讨论了样品的物相结构的相变过程、电子结构与超导电性的关系。     

a-Ge/Ag迭层中的临近效应和互扩散

本文研究了不同厚度Ag膜与2000?非晶Ge膜形成的迭层行为。发现随Ag膜厚度的减小,迭层的室温电阻率愈来愈小于相同厚度单层Ag膜的室温电阻率,实验在室温下得出明显的临近效应。当对这些迭层退火时,实验得到十分不同的电阻R_300K与退火温度T_a的关系以及不同T_a下各种R(T_a)-T的关系。由X射线衍射结构分析电子显微镜观察和电子探针扫描成分分析的结果,本文给这些退火过程中的新现象以物理解释。 关键词：     

Y_(3-x)Ba_xCu_2O_(7-y)体系的物相与超导电性

对Y_(3-x)Ba_xCu_2O_(7-y)(0.3≤x≤2.4)体系材料的低温电阻测量和X射线衍射分析表明:1.0相似文献   

PCVD法制备ZrO~2和YSZ薄膜

以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)~4和Y(DPM)~3为挥发性源物质, 采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420～560℃)成功地在多孔α-Al~2O~3陶瓷,非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO~2和YSZ薄膜材料.XRD分析结果表明,纯ZrO~2薄膜中除了单斜相外还存在着亚稳态的四方相.当掺入的Y~2O~3 摩尔百分含量大于或等于7%时,ZrO~2完全被稳定成立方相.SEM观察表明, 在等离子体内的不同区域中生成的薄膜形貌有所不同.XPS检测了YSZ薄膜中Zr3d~5~/~2和Zr3d~3~/~2 的电子结合能,发现较ZrO~2的标准值低0.7eV.由TEM观察和由XRD衍射峰半宽度计算, 所制备的ZrO~2和YSZ薄膜中微晶粒径在10nm左右     

“磁通浓缩器”无浓缩磁通作用

本文通过解麦克斯韦方程给出了把“浓缩体”插入初级线圈前后的磁场分布。方程的解表明,如果在“浓缩体”插入前后,保持初级线圈中的电流不变,则二者在中空区产生的磁场不变;如果供应M者的能量不变(即C,V固定),则插入“浓缩体”前后场值之比B/B₀∝(R₀)^1/2,但这完全是由于磁场的再分布引起的。这时中空区的总磁通减小,磁通并不守恒,不存在使磁通浓缩的问题,因而用它产生高强脉冲磁场存在着原理性错误。本文指出了把“浓缩器”看作脉冲变压器的错误所在。理论计算还表明用端面为截头圆锥形装置能产生较高场是结构效应所致。 关键词：     

2H-Nb0.9Ta0.1Se2中磁通涡旋输运的标度行为

测量了2H-Nb_0.9Ta_0.1Se₂单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H),并从V(H)曲线得到V(I)数据.使用标度关系V=α(I-I_c)^β进行了拟合,得到了临界电流随磁场I_c(H)和微分电阻随磁场R_d的变化关系.在微分电阻随磁场变化的曲线中,电流较大时,靠近上临界磁场H_c2附近出现一个强峰,而在低电流下,该峰消失.同 关键词： 磁通涡旋 标度定律 临界电流峰效应