关于两个驻波叠加结果的讨论

本文对在一条波线上的两个驻波的叠加结果进行了简明扼要的分析，对进一步理解行波和驻波之间的相互关系有积极的意义。     

电子漂移速度的几种计算方法及其比较

根据经典电子论分别采用三种不同的方法：算术平均法、统计平均法和电子动力学方程法解出金属中电子的平均漂移速度，并且对三种方法所得到的不同结果进行了比较分析．     

冷压烧结的BiPbSrCaCuO超导块材临界电流密度及其V-I特性研究

用硝酸盐共分解和固态反应法制备出 BiPbSrCaCuO 近高温单相样品,在此基础上进行冷压烧结.分析表明样品中晶粒 c 轴沿垂直于加压表面有较好的取向排列.其临界电流密度Jc 明显地得到改善,77.3K 零场下,Jc 达到1040A/cm~2.同时还研究了冷压 Bi 系块材的V-I 特征,并利用磁通蠕动模型对实验结果作了较好解释,认为在冷压烧结的 Bi 系块材中,磁通蠕动是影响临界电流密度提高的主要因素.     

PHOTOELECTRON SPECTROSCOPIC STUDY OF THE EFFECT OF Cs INTRALAYER ON THE BAND LINEUP OF Ge/InP(100) HETEROJUNCTION

The formation and band lineup of the Ge/InP(100) interface with or without alkali metal Cs intralayer (IL) are studied by means of X-ray photoemission spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). It is found that the Cs atoms do not react with or diffuse into the subatrate and the Ge overlayer. The thin Cs IL will induce an increase of the valence band offset (ΔE_v) for the Ge/InP(100) heterojunction. The changes of ΔE_v are proportional to the IL thickness and them saturate for IL thickness of about one half of a monolayer of Cs IL. Without the IL, ΔE_v of the Ge/InP(100) heterojunction is equal to 0.70eV, and ΔE_v with one half of monolayer IL is up to 0.90eV. These results show that the interface dipole plays a major role in the band lineup at the heterojunction interface.     

Ba-Y-Cu-O系统中的两个超导相

用交流磁化率装置测量了Ba-Y-Cu-O系统的抗磁屏蔽效应,发现在同一样品中存在两个超导相,两个相的体积比例和X-射线衍射峰的高度相对应。另外用蓝宝石做样品支架,背底讯号比用紫铜做支架小100倍,基本上可忽略背底的影响。     

BiPbSrCaCuO高T_c超导体的低场微波吸收信号及其与超导电性的关系

借助于电子顺磁共振技术(EPR)研究了高 T_c 超导体 BiPbSrCaCuO 的低场微波吸收信号随温度和磁场的变化规律,结果表明这种低场信号和高 T_c 超导电性密切相关.从样品的低场信号谱上得到一个与温度有关的临界场 H_c(T),在外加磁场低于 H_c 时,其信号与磁场无关,而当外加磁场高于 H_c 时,其信号随磁场增加而明显变弱,在 H_c(T)曲线上观察到两个台阶的存在,这两个台阶分别对应于温度～100K 和～104K,同时我们注意到在样品的低场信号强度 S(T)曲线上存在非单调特性,这些现象或许反映了磁通在样品中穿透的行为,进一步地我们认为通过上述的低场信号的研究有可能为高 T_c 氧化物超导体提供另一种可能的研究手段.     

CRITICAL CURRENT DENSITY OF Y-Ba-Cu-Sn-O SUPERCONDUCTORS

The magnetic curves of bulk Y-Ba-Cu-Sn-O have been studied in the temperature range 60-77K and in fields up to 2.4T. The results indicate that J_c varies with the magnetic field as a power law and decreases exponentially with temperature. The critical current density J_c can be improved by the substitution of Sn for Cu.     

Bi系块材中的热激活引起的磁通蠕动

实验上测量了具有较高输运 J_c(77K 和零场下,J_c=1750A/cm~2)的 Bi_(1.80)Pb_(0.34)Sr((1.86)Ca_2Cu_3O_y,块材的输运 J_c 和温度及磁场的关系,实验结果在磁通蠕动模型的基础上得以解释,并得到了零场下 T_c 附近和77K 外加磁场下样品的激活能分别为:U(T,0)=87.4(meV)(1—T/T_c)~(1/2)和 U(77K,H)=64+2.82lnH(meV),H 的单位为特斯拉.     

Sb_(1.95)Bi_(0.05)Sr_5Ca_(4.5)O_(14.5)晶体结构及其与掺Sb的Bi系超导氧化物相结构的关系

本文报道了应用助熔剂缓冷法,在 Bi-Sb-Sr-Ca-Cu-O 体系中培养出黄色透明单晶体.通过单晶 X 射线衍射分析,确定该晶体成分为 Sb_(1.95)Bi_(0.05)Sr_5Ca_(4.5)O_(14.5),空间群为 P_m、晶胞参数为 a=5.9000(9)(?) b=5.7738(5)(?),c=11.504(2)(?),β=90.14°.它是由畸变的钙钛矿亚单元堆砌而成,属氧缺陷化合物.本文还讨论了该相同掺 Sb 的 Bi 系超导氧化物中发现的 Bi_3SbSr_4Ca_4Pb_(1-x)Cu_xO_y 相结构的关系,探讨了不稳定的132K 超导相的可能起因.