(1-x)La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/xCuO复合体系与La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Cu_xO_3电输运行为比较

用不同实验方法制备了名义组分为(1-x)La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/xCuO(LCMO/CuO)和La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Cu_xO_3(LCMCO)两组样品,在宽的温度范围内研究了样品的电输运行为随Cu含量x的变化关系,发现这两组样品表现出不同的行为.对于LCMCO,随x的增加,金属-绝缘体转变温度T_p迅速降低,当x=5.5%,样品表现出绝缘体导电行为;而LCMO/CuO复合样品,当x≤6%时,随x增加,Tp逐渐下降,x≥6%时,T_p不再继续降低,所有样品几乎表现出相同的电输运行为.另外,这两组样品均表现出较好的低场磁电阻效应(LFMR),在0.3 T下样品的最大磁电阻分别达到了～76%和88%.基于样品结构以及制备过程的分析,我们认为LFMR效应的增强主要是因为颗粒边界上形成的Cu相关自旋无序层引起的.     

双掺杂La0.67+1.33xSr0.33-1.33xMn1-xMgxO3体系的磁性和输运行为

用标准的固相反应法制备了双掺杂La0.67 1．33xSr0．33-1．33xMn1-xMgxO3(x=0．00,0．05,0．10,0．15,0．20,0．25)多晶样品,研究了它们的磁性和输运行为。对x=0．10和0．15,在温度高于Tc^cnset时出现相分离;对x=0．20和0．25,在低温区出现反铁磁行为。低掺杂样品ρ-T关系存在金属．绝缘体相变,高掺杂样品在测量温区内仅显示绝缘体行为。这些奇异现象用M-H关系、ESR曲线和拉曼光谱给予了很好的解释。     

在9 T磁场中合成Sr2IrO4样品的物理性质研究

我们在9T的磁场下成功合成了Sr2IrO4 样品,并且研究了它的结构和磁性。尽管样品的晶体结构与在零场下合成的样品相比没有改变,高分辨透射电镜像显示出电子云的分布发生了变化。在暗区,态密度增强引起了样品的磁性发生改变。我们提出9T的强磁场有利于生长出更纯相的样品。     

Metal-Insulator Transition in CuIr2（S1-xTex）4

The resistivity and magnetization for the CuIr2（S1-xTex）4 （0≤x≤ 0.10） system are investigated. Compared with the Se doping, the substitution of Te for S leads to stronger suppression on the metal-insulator transition. Vacancies and imperfections in the sample lattice are found to modify the magnetization, which can be qualitatively understood to consist of the Pauli paramagnetism, Landau diamagnetism, Larmor diamagnetism and Curie magnetism contributions.     

Bi系高T_c超导体中高场EPR信号及其与超导电性的关系

文中研究了Bi系高T_c超导体中高场(～3300G)EPR 信号及其与超导电性的关系.实验表明上述高场 EPR 信号的出现敏感地依赖于样品的超导性质,对85K 单相的 Bi_2Sr_2Ca×Cu_2O_y.样品有一个非常明显的高场 EPR 信号,而对掺 Pb 的 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y 体系随着110K 相比例的增多,上述的 EPR 信号明显地减弱.文中就上述现象进行了讨论,并认为上述的 EPR 信号主要是由85K 相贡献的.     

非晶和赝晶薄膜超导电性

本文总结、分析了非晶和■晶态超导薄膜的基本超导特性,讨论了提高T_c的问题.     

脉冲强磁场系统最佳设计的理论

本文综合考虑了线圈、电源和电路诸因素,并据此第一次建立了一个设计标准电容器放电型脉冲磁体(绕组线圈、Bitter线圈或单匝线圈)通用的理论。只要给出设计指标:B₀,2α₁,1/2T,σ,λ和V,就可以由本理论算出磁体的最佳结构参数和电源的设计参数(i₀,F(α,β),α₂,b,L,C,N,l,S(或d),R和I_max)。本文并对最佳磁体结构进行了物理探讨。 关键词：     

用能量法计算非平行板电容器的电容

利用电场能量和电容器的能量公式，解出非平行板电容器的电容和电场分布．该方法严谨易懂，图像清晰，另辟新径．     

Zn掺杂对1/2 S自旋梯状结构化合物Sr14Cu24O41磁性质的影响

利用固相反应法制备了Sr14Cu24O41和Sr14(Cu0.99Zn0.01)24O41的样品,X-ray衍射分析显示,样品呈较纯的单相,样品的晶格常数掺杂前后并无明显变化.测量了S=0的非磁性元素Zn部分替代S=1/2的B位Cu离子后体系低温磁性质的变化.曲线整体拟合结果表明掺Zn使得体系中居里外斯部分的贡献减少,并且由Zn引入的局域磁矩通过近邻的自旋单态与次近邻的Cu2 进行超交换相互作用形成二聚体,使系统内二聚体的个数增加并且二聚体的耦合能减小.     

发光不衰减的多孔硅

用一种新的方法制备出了具有不同衰减的光致发光特性的多孔硅。如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高２￣２．５倍,将样品在室温下暴露于空气中,其发光强度在前４个月中单调增加,然后达到饱和。在随后的８个月中,没有观察到发光衰减,发光峰位也没有发生变化,这种发光稳定性被归因子于多孔硅表面所形成的稳定的Ｆｅ－Ｓｉ键。文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理,并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强