盐酸小蘖碱与氧氟沙星相互作用的研究

利用荧光光谱及紫外光谱法研究发现pH 7.4的Tris-HCl缓冲溶液中盐酸小蘖碱(BC)与氧氟沙星(OFLX)形成配合物, 导致氧氟沙星溶液荧光猝灭, 猝灭类型主要为静态猝灭. 测定了该反应的表观结合常数、结合位点数及结合热力学参数, 上述作用过程是一个熵增加、自由能降低的自发分子间作用过程, BC与OFLX之间以静电和疏水作用力为主;根据Frster能量转移理论, 测得供体与受体间结合距离r和能量转移效率E.     

盐梯度太阳池热性能模拟及实验研究

采用一维数学模型研究盐梯度太阳池的热特性。在W-S模型的基础上加入了浊度和池底反射率的影响,更符合实际情况。模拟结果表明浊度和池底反射率是影响太阳池热特性的重要因素.对一面积为80m~2的试验水池进行了温度和浊度的系统测量。数值模拟与实验结果吻合良好.提出了降低浊度和运行维护太阳池的有效措施.     

基于积件思想的网络ICAI系统的设计与实现

随着Internet技术向宽带、高速、多媒体技术方向迅速发展,教育工作者都开始普遍通过各自的网络计算机辅助教学系统开展便捷的课后教学督导工作.将积件思想与人工智能技术相结合的方式开发的网络CAI系统,使网上教学资源具有可积和可重组性,使系统能综合测出学生的学习能力,并能随时给予学生相应的辅导功能.实践表明该系统是一种实用、有效且对学生更具吸引力和挑战性的网络辅助教学课件.     

A位等价与非等价取代对(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷极化的影响

研究了在铌酸钾钠基陶瓷中,A位等价与非等价取代对陶瓷极化温度和极化电场的影响,结果表明:A位等价取代的陶瓷对极化温度和极化电场没有强烈依赖性,可以使极化足够充分,能有效提高铌酸钾钠基陶瓷的压电性能;相反,A位非等价取代的陶瓷对极化温度和极化电场敏感,容易击穿,极化不充分,限制了铌酸钾钠基陶瓷的压电性能. 关键词： 铌酸钾钠 极化 压电     

4,7-二苯基-1,10-菲啰啉的合成研究

以4-苯基-8-硝基喹啉为起始原料,经还原得到4-苯基-8-氨基喹啉,再以I2/KI为氧化剂,在乙酸和盐酸的存在下,用Skraup法合成了4,7-二苯基-1,10-菲啰啉.化合物结构经IR和1H NMR得到了证实.实验研究得到了最佳的合成条件为:n(3-氯苯丙酮)∶n(4-苯基-8-氨基喹啉)=1.5∶1,I2/KI用量为8%,反应温度120℃,反应时间2.5 h.产品收率可达82%.     

配合物[Ni(EDTB)]·2Cl·CH3OH·C2H5OH的合成、晶体结构及 SOD模拟活性的研究

报道六齿配体N,N,N',N'四(2-苯并咪唑亚甲基)-1,2-乙二胺(EDTB)及单核镍(Ⅱ)配合物[Ni(EDTB)]·2Cl·CH3OH·C2H5OH的合成、晶体结构和SOD模拟活性.该配合物为三斜晶系,P1-空间群,a=1.0931(2)nm,b=1.1693(2)nm,c=1.6756(4)nm,a=76.042(3)°,β=88.787(3)°,γ=72.044(3)°,V=1.9740(7)nm3,Dc=1.321 g/cm3,Z=2,F(000)=824,μ=0.670mm-1.最终因子R[I＞2σ(I)]R1=0.0011,wR2=0.1497;R(全部数据)R1=0.0870,wR2=0.1604.结构分析表明,镍(Ⅱ)分别与配体中的四个苯并咪唑氮和两个亚胺基氮配位形成扭曲的八面体构型.改良的邻苯三酚自氧化活性测定表明,该配合物具有较高的SOD模拟活性.     

HXMT卫星的观测规划与数据处理

正HXMT卫星在轨运行期间,需要开展一系列的空间观测,以便对天文现象进行研究。空间探测涉及到多个过程,需要考虑多种因素的约束,本文将详细给出从观测任务的提出,到任务安排、数据处理及科学分析的全过程。一、引言硬X射线调制望远镜(HXMT)是我国首颗X射线天文卫星,卫星发射升空后,预期在轨工作四年。在此期间,为实现预期的科学目标,将开展一系列的空间X射线探测,通过对这些观测数据的处理分析,     

铜修饰多孔镍自支撑电极的构建及其葡萄糖氧化性能

采用水热合成法制备了正八面体Cu₂O/Cu修饰的多孔Ni(NF)自支撑电极(Cu₂O/Cu-NF),并对其进行了形貌和结构表征。 在三电极体系下,在碱性介质中以循环伏安法和恒电位安培法测试其对葡萄糖催化氧化性能。 结果表明,150 ℃水热法制备的自支撑电极对葡萄糖的电催化氧化活性最强。 响应电流与葡萄糖浓度在3.7×10^-3~1.1 mmol/L和1.4~5.0 mmol/L范围内呈线性相关,响应灵敏度分别是6929和706.1 μA/(mmol·L^-1·cm²),且具有良好的选择性和稳定性,对无酶葡萄糖传感器的发展有重要意义。     

940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备

利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿真出上下分布式布拉格反射镜的白光反射谱.采用金属有机化合物气相沉积技术外延生长了垂直腔面发射激光器结构,之后通过干法刻蚀、湿法氧化以及金属电极等芯片技术制备得到8μm氧化孔径的VCSEL芯片.最终,测试得到其光电特性实现室温下阈值电流和斜效率分别为0.95 mA和0.96 W/A,在6 mA电流和2 V电压下输出功率达到4.75 mW,并测试了VCSEL的高温特性.