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令A为诺特基本k-代数,设J为其Jacobson根且半单代数A/J同构于有限个k的直积.证明了如果A是AS-Gorenstein代数,则其Yoneda代数Ext*A(A/J,A/J)是Frobenius代数;如果A的内射维数injdimAA=d,则函子ExtdA(-,A)是可表示的. 相似文献
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本文基于第一性原理采用全电势线性缀加平面波方法和波尔兹曼理论运算了在静水压下Mg2Si的电子和热电性能. 研究发现, 对于n型载流子控制Mg2Si输运性质, 应变达到0.02时, 室温情况下, 热电性能参数得到了明显提高, 其塞贝克系数增幅为26%, 功率因数增幅47%; 高温时, 功率因数增幅45%. 而对于主要载流子为空穴时, 其热电系数最值出现在应变为0.01时. 但其数值与未施加静水压的结构相比提高不多, 表明对于p型Mg2Si半导体应变对其输运性能的影响不大. 并且结合电子能带结构图解释这些现象. 相似文献
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对于每个诺特半完全代数A上的模M1都有一个谱序列E*pq(M)与之相对应.本文证明了有限生成A-模M是拟Koszul的当且仅当谱序列E*pq(M)的第E2层是平凡的.与之对偶,本文叙述了余拟Koszul模情况下的类似结果. 相似文献
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