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672.
氨是一种无色、具有强烈辛辣刺激性臭味的气体。氨极易溶于水,对眼及上呼吸道具有明显的刺激和腐蚀作用。氨在工业生产中应用广泛,制造碱、炸药、医药和有机合成纤维、塑料、树脂、鞣皮、油漆、染料等生产都有机会接触氨[1]。由于氨的使用对工作场所造成了污染,国家标准有明确的规定,氨的短时间接触容许浓度(PC-STEL)为30 mg·m-3,时间加权容许浓度(PC-TWA)为20mg·m-3。准确 相似文献
673.
应用于强流重离子加速器装置增强环(HIAF-BRing)的快循环全储能脉冲电源需要在极宽的输出电压范围内保持极高的控制精度,为此电源采用了高压功率单元和低压功率单元串联的拓扑方式,在低压段采用低压功率单元,电压升高之后切换到高压功率单元,通过高低压切换控制来实现电流全阶段的高精度输出。但是在样机实测中发现存在切换点的振荡问题,导致切换点处的输出电流绝对误差无法满足指标要求。本文提出了一种切换点平滑控制算法来平滑处理切换点占空比,给出了仿真结果,并且在HIAF-BRing快循环全储能脉冲电源样机上面实际验证了高低压切换控制方法及其切换点平滑控制算法的有效性。实验结果表明:100 A注入平台的输出电流绝对误差由±500 mA降至±50 mA, 100 A注入平台的切换点处输出电流绝对误差由±1.16 A降至±120 mA,100 A注入平台输出精度较低的问题得以解决。 相似文献
674.
设计了一种气固两相高温光学样品池,模拟同时存在颗粒物的气体探测环境,并通过搭建可调谐二极管激光吸收光谱测量系统,对颗粒物环境下的温度与乙炔体积分数测量技术进行研究。使用质量流量计配置体积分数为0.1%~1%的乙炔气体,并设计颗粒物播撒装置,将直径为125μm的石英砂颗粒与不同体积分数的乙炔气体混合通入样品池,在样品池外侧设置纤维加热腔进行温度控制,产生不同温度的样品环境。使用中心波长为1540 nm的DFB激光器,通过对6489.07 cm-1与6490.02 cm-1位置处的一对乙炔吸收谱线进行同时探测,实现了对温度与乙炔体积分数的同时测量。分析发现,500~1000 K温度范围内的温度测量一致性R2≈0.998,相对平均标准偏差为3.05%,乙炔体积分数测量一致性R2≈0.995,相对平均标准偏差为2.65%。此系统满足颗粒物环境下气体光谱探测研究的需求,可为气固两相环境下的光谱探测技术研究提供参考。 相似文献
675.
676.
研究了一类具有有限谱的带有谱参数边界条件的四阶微分方程边值问题及其矩阵表示,证明了对任意正整数m,所考虑的问题至多有2m+6个特征值,进一步给出这类带有谱参数边条件的四阶边值问题与一类矩阵特征值问题之间在具有相同特征值的意义下是等价的. 相似文献
677.
678.
通过真空热压烧结方法制备Ni/Ti2AlC复合材料,并对材料进行热处理,考察了两种不同热处理工艺对复合材料的显微组织和室温及800 ℃下摩擦学性能的影响. 结果表明:烧结后,Ni/10%Ti2AlC复合材料包含Ni基固溶体、TiCx、Ni3Al和少量Al2O3,而Ni/50%Ti2AlC主要由Ni2TiAl、TiCx、Ti3NiAl2C和少量Al2O3组成. 分别于1 200和1 350 ℃热处理16 h后,Ni/10%Ti2AlC中的Ni3Al相和Ni/50%Ti2AlC中的Ti3NiAl2C相消失. 热处理导致TiCx相的生长,复合材料显微组织得到优化,同时材料保持了高度致密性. 热处理后,两种复合材料的维氏硬度下降,这主要归结于Ni3Al强化相的消失和碳化物的长大. 随着热处理温度的升高,室温下复合材料的磨损率降低,这主要归结于热处理优化了显微组织,提高了两相结合强度,进而抑制了TiCx颗粒的脱出,减少了磨粒磨损的发生;800 ℃摩擦条件下,热处理前后,复合材料均表现出较低的摩擦系数和磨损率,这主要归结于高温下磨损表面形成的由TiO2、NiO和NiTiO3组成的润滑膜所起到的减摩抗磨作用,此外,热处理使得显微组织更均匀,更有利于磨损表面TiO2和NiTiO3润滑相的形成,对摩擦学性能有利. 相似文献
679.
680.
Surface Properties of Unintentionally Doped GaN Film and Its Contact Behaviour with Ni/Cr/Au Compound Metals
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The surface properties of GaN films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy were investigated by using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy, while the depth profile was analysed by the Ar ion sputtering method.The contaminants carbon and silicon are chiefly adsorbed onto the surface while oxygen and aluminium diffuse into the bulk to distribute in a certain depth. The mixture oxides is roughly 0.1μm in thickness. Based on the analytical results of XPS of the GaN films, the Ni/Cr/Au interdigital metal-semiconductor-metal (MSM) structure has been fabricated. It has been found that the contact behaviour of the Ni/Cr/Au/undoped GaN exhibits a linear I-V characteristic under dark and 362-um light excitation without annealing treatment. The lower resistance of the MSM structure has also been observed. 相似文献