高档宝石晶体的水热法生长、宝石学特征及其发展前景——刚玉类和绿柱石类宝石晶体

本文从我们对绿柱石类和刚玉类高档宝石晶体的合成工艺出发,系统总结了该类晶体的水热法生长研究现状和发展,对主要宝石学特点进行了对比研究,分析了当前我国宝石研究领域存在的问题,指出今后应加大研究力度和科研经费的投入,扩大水热法生长晶体的研究范围.     

基于程度分类的s水平一般最小低阶混杂准则

别名成分数型揭示了s水平正规设计中各效应成分之间混杂的信息,模式中元素的不同排序方式将产生不同的最优准则.基于混杂程度,提出别名成分数型的一种新排序方式,得到基于混杂程度分类的一般最小低阶混杂准则,并给出低阶效应别名的混杂表达.最后分析了该准则与其他准则之间的关系,且通过部分表格进行比较.     

水热法祖母绿激光晶体的光谱性质研究

报道了温差水热法生长的祖母绿激光晶体(Cr3+:Be3Al2Si6O18)的光学参量特点.通过对祖母绿晶体的吸收光谱和荧光光谱的测量,计算了晶体场强度Dq、Racah参量B和C, Dq/B≈2.3,说明了祖母绿晶体中的Cr3+离子处于中等晶场.室温下的荧光光谱特点显示4T2→4A2的跃迁为700～840nm的宽带辐射跃迁.此外该晶体的有效声子能量h－ω=409.6cm－1,Huang-Rhys因子S=3.5较小,说明祖母绿的电-声子耦合作用较弱.     

Nd:YAG调Q激光器双波长振荡机理分析

根据速率方程,研究了二镜腔Nd:YAG双波长调Q激光的振荡机理.通过分析不同透过率下的竞争过程,研究了双波长激光振荡的特点.研究结果表明,在调Q过程中1319nm激光的调Q脉冲起振时间滞后于1064nm激光,并且其最终调Q脉冲来自调Q之后的第一个弛豫振荡尖峰,是该弛豫振荡抑制掉其他弛豫振荡后的结果.通过振荡机理分析,得到了双波长脉冲输出能量相当的透过率条件. 关键词： 双波长 调Q激光 速率方程 弛豫振荡     

KTP晶体的水热法生长及其光学性能的测量

使用水热法成功生长出大尺寸、高质量的KTP晶体,对该晶体的光学性能进行测量分析.由LambDA900分光光度计测量得到的水热法生长KTP晶体的透过率曲线表明晶体具有良好的光透过性能,其透过短波下限与熔盐法生长的KTP晶体基本相当.利用自准直法精确测量水热法生长KTP晶体的折射率,拟合得到30℃下折射率的Sellmeier方程的系数,并计算532nm与1319nm波长对应的主轴折射率,计算值与实验值相吻合.     

用直接法测量血液的衰减系数μt存在的问题

用直接测量法测量人全血的衰减系数μ_t时,发现血液的衰减系数μ_t随样品厚度的增大而减小,随样品到探测器的距离增大而增大.因而用此测量方法测量衰减系数μ_t存在一些问题.本文通过研究光在血液中的散射,发现:采用足够薄的血样、适当减小限光光阑孔径、增大光探测器离样品的距离L_sd可减小轴向散射光的影响.并提出一种近似扣除轴向散射光的措施,能较准确地测量血液的衰减系数μ_t.     

自准直法测GdTaO4晶体折射率

本文利用自准直法在473, 532, 632.8和1064 nm的激光波长上精确地测量出GdTaO₄晶体的折射率, 得到了Sellmeier方程, 并计算了在632 nm处光轴与折射率主轴n_z的夹角为21.75°, 进而得知GdTaO₄晶体是正光性双轴晶体.     

射频超导腔加速性能的改进

为提高超导加速腔的加速梯度和Q值，改进了薄膜型超导腔的加速性能。研究证明，对于铜铌溅射腔，在无氧铜衬底和铌膜之间加入NbN 层可以提高铌膜的超导转变温度，改善晶格结构；对纯铌超导腔提出了改进方法，在传统的纯铌超导腔表面制备多层的超导-绝缘-超导复合膜可以屏蔽Nb腔表面的界面场，提高超导腔的临界磁场，从而提高了铌腔的加速梯度。     

LD端面泵浦声光调Q Nd:YVO4/KTA 1.53 μm光学参量振荡激光器

介绍了一台连续激光二极管（LD）端面泵浦声光调Q的高重复频率、高效率1.53 μm人眼安全光学参量振荡激光器。激光基质材料采用Nd:YVO4晶体,采用按Ⅱ类非临界相位匹配切割、长20 mm的KTA晶体作为非线性光学晶体。在LD泵浦功率13.7 W,声光调Q重复频率60 kHz时,获得最高平均功率2.6 W的1.53 μm信号光输出,泵浦光-信号光转换效率达到19%。在最高输出功率2.6 W下测得单脉冲宽度2.9 ns,对应的单脉冲能量和峰值功率分别为43.3 μJ和15 kW。     

高频纳秒脉冲调制器的分立磁耦合驱动器设计

随着高压纳秒固态脉冲发生器在生物、工业和环境等领域的应用日益广泛和深入,脉冲波形、电压幅值、脉冲持续时间、脉冲重复频率等参数已成为特定脉冲功率应用所需的基本可控变量。为了进一步减小电源的体积、降低成本,提出一款以正极性Marx为主电路、多个脉冲变压器为核心驱动器、具有纳秒级前沿高重复频率的高压纳秒脉冲调制器。提出的驱动器结构紧凑,无需提供多路隔离供电的驱动电源,可以在高重复频率下实现两个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的栅极电压快速同步上升和下降,获得百纳秒以内、幅值可控的栅极驱动电压。不仅最大脉宽不受磁芯饱和的限制,而且负偏置电压使开关管可控关断,同时在一定程度上避免了电流流过MOSFET米勒电容而引起的寄生导通,提高了电路工作的可靠性。此外,研究了不同匝数和磁芯材料对驱动波形的影响。搭建了一台14级脉冲调制器样机,测试结果表明,基于该驱动器下的调制器输出电压和脉宽都连续可调,具有改变脉冲轮廓的能力,最大输出电压可达5.5 kV,脉宽调节范围为100 ns～50 ms,最小上升时间约18 ns,重复频率为100 kHz。