2×2上三角算子矩阵的广义(ω)性质(英文）

本文利用拓扑一致降标研究了Weyl定理的两个变形——广义(ω_1)性质及广义(ω)性质,给出了Hilbert空间中有界线性算子满足广义(ω_1)性质及广义(ω)性质的充要条件;最后,利用所得结果讨论了2×2上三角算子矩阵的广义(ω_1)性质及广义(ω)性质.     

CFI算子和Weyl型定理(英文)

广义(ω)性质是Weyl定理的一种变形,它推广了由Rakocevic在[Matematicki Vesnik,1985,37(4):423-426]中引入的(ω)性质.本文利用一致Fredholm算子指标性质(CFT),给出了Hilbert空间上的有界线性算子满足广义(ω)性质的充要条件.另外还利用这一性质考虑了广义(ω_1)性质和(ω_1)性质的等价性.     

B(H)上保投影的映射

设P(H)表示复Hilbert空间H上的所有正交投影且dimH2.本文证明了满射Φ:B(H)→B(H)满足A-λB∈P(H)(?)Φ(A)-λΦ(B)∈P(H)的充要条件是存在酉算子U:H→H使得对任意A∈B(H),有Φ(A)=UAU*,或者存在共轭酉算子U:H→H使得对任意A∈B(H),有Φ(A)=UA*U*.     

CSL代数上的Lie导子

证明了不相关的有限宽度CSL代数上的每一个Lie导子都是内导子与作用在交换子上为零的中心值线性映射之和.     

团聚效应对基于CdSe/ZnS量子点的电致发光二极管性能的影响

通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成,QD纳米颗粒发生团聚现象,并使器件亮度降低。此外,退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大:当退火温度高于150 ℃时,产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚,并导致QLED器件发光性能下降。     

von Neumann代数上非线性强保交换映射

设M是作用在维数大于2的复可分Hilbert空间上的因子von_Neumann代数.本文证明了M上的每个非线性强保交换满射Φ都具有形式:存在常数λ∈{-1,1)和非线性函数h:M→C使得对任意A∈M,有Φ(A)=λA+h(A)I.     

因子von Neumann代数上的非线性混合ξ-Jordan三重可导映射

设A是一个的因子von Neumann代数.我们证明了每一个非线性混合ξ-Jordan（ξ≠0，-1）三重可导映射φ：A → A都是可加的*-导子，且对任意的A ∈ A，有φ（ξA）=ξφ（A）.     

有机半导体在金属Ru(0001)上的界面特性研究

关键词：     

Hole transporting material 5, 10, 15-tribenzyl-5H-diindolo[3, 2-a:3',2'-c]-carbazole for efficient optoelectronic applications as an active layer

In order to explore the novel application of the transparent hole-transporting material 5,10,15-tribenzyl-5Hdiindolo[3,2-a:3',2'-c]-carbazole(TBDI),in this article TBDI is used as an active layer but not a buffer layer in a photodetector(PD),organic light-emitting diode(OLED),and organic photovoltaic cell(OPV) for the first time.Firstly,the absorption and emission spectra of a blend layer comprised of TBDI and electron-transporting material bis-(2-methyl-8-quinolinate) 4-phenylphenolate(BAlq) are investigated.Based on the absorption properties,an organic PD with a peak absorption at 320 nm is fabricated,and a relatively-high detectivity of 2.44×10~(11) cm· Hz~(1/2)/W under 320-nm illumination is obtained.The TBDI/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq_3) OLED device exhibits a comparable external quantum efficiency and current efficiency to a traditional 4,4-bis[N-(l-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(α-NPD)/Alq_3 OLED.A C_(70)-based Schottky junction with 5 wt%-TBDI yields a power conversion efficiency of 5.0%,which is much higher than 1.7%for an α-NPD-based junction in the same configuration.These results suggest that TBDI has some promising properties which are in favor of the hole-transporting in Schottky junctions with a low-concentration donor.     

溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管

采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪HfO₂薄膜, 经500℃退火后, 获得了高透过率、表面光滑、低漏电流和相对高介电常数的HfO₂薄膜. 并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶接触结构薄膜晶体管器件. 获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100 cm²·V^-1·s^-1, 阈值电压为-0.5 V, 开关比为5×10⁶, 亚阈值摆幅为105 mV/decade. 表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率, 其迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率.