聚变中子能谱测量系统脉冲中子灵敏度的实验研究

为多种复杂环境下的稳态和脉冲DT聚变中子能谱测量建立了一种灵敏度优化反冲质子磁谱仪. 使用成像板和同位素α源测量了谱仪的反冲质子能量-位置投影关系. 利用稳态加速器中子源平台、通过单粒子计数方法结合三维带电粒子输运程序模拟,研究了谱仪脉冲中子灵敏度能量响应. 通过高探测效率参数设置使谱仪对DT中子的探测效率达到2×10^-5 cm²水平,从而在较弱中子源上获得了较高统计精度实验数据. 程序模拟结果与谱仪α粒子刻度和DT中子标定实验结果取得了良好的一致性,可由此发展精细解谱技术,以提高脉冲中子能谱测量的灵敏度和能量分辨. 关键词： 聚变中子能谱 磁反冲质子 脉冲中子灵敏度 粒子输运     

过原点直线拟合的斜率标准差与相关系数

分析了直线拟合中截距是否为零的两种不同条件与解法，讨论了两种相关系数表达式之间的关系，给出院截距为零时斜率标准差与相关系数的近似计算式。     

von Neumann代数中套子代数的摄动

本文主要讨论ｖｏｎ　Ｎｅｕｍａｎｎ代数中套子代数的摄动．给出了因子ｖｏｎ　Ｎｅｕｍａｎｎ代数中套相似的一个充分条件．证明了任何因子ｖｏｎ　Ｎｅｕｍａｎｎ代数中相邻的套子代数经由一个邻近于单位元的可逆算子是相似的．     

套子代数上线性映射的Lie不变子空间

本文引入了Banach代数上线性映射的Lie不变子空间,给出了因子VonNeumann代数中套子代数上以导子空间为Lie不变子空间的线性映射的一般形式,研究了Lie导子与Lie自同构的概念及了Lie导子与Lie自同构半群的关系.     

高自旋场对Vaidya-Bonner黑洞熵的贡献

利用改进的brick-wall模型推导出自旋为2的引力场对动态Vaidya-Bonner 黑洞熵的贡献， 在自然单位制中其值为A/2；这表明，当选择与标量场相同的截断因子时，其熵为标量场的2 倍，为Dirac 场的4/7. 关键词： Vaidya-Bonner黑洞 黑洞熵 高自旋场 薄膜brick-wall模型     

聚异丁烯基丁二酰钼添加剂的摩擦学特性研究

用四球摩擦磨损试验机考察了聚异丁烯基丁二酰钼(MoPIBS)在26^#白油中的摩擦学性能，探讨了其同硫系添加剂的复配效果，并用Auger电子能谱仪和X射线光电子能谱仪分析了磨斑表面边界膜的化学组成和元素分布．结果表明：在边界润滑条件下，MoPIBS作为润滑油添加剂具有良好的抗磨和减摩性能，并能在一定程度上提高基础油的承载能力；MoPIBS与硫系添加剂复配时表现出较好的协同极压和减摩作用，但抗磨性能变化不大。MoPIBS在磨损表面形成主要由MoO3和含氧有机物组成的边界膜，MoPIBS／硫系复配添加剂则在磨损表面形成含MoS2和FeS的边界膜，这是添加剂具有优异摩擦学性能的主要原因．     

基于中性层技术提升柔性OLED弯曲可靠性研究进展

有机发光二极管（OLED）由于具有结构简单、发光效率高、制造工艺简单和厚度超薄的特点,结合柔性基底可以制备具有弯曲和折叠功能的柔性OLED器件,在柔性显示、柔性照明等领域发挥了重要作用。在承受以弯曲为主的外加载荷时,柔性OLED器件中的无机薄膜很容易出现裂纹、脱层和屈曲等形式的失效,这些失效会使器件的导电性下降并破坏器件原有的结构,从而影响器件的效率与可靠性。中性层的使用能够有效减小器件关键部位的应变,从而减轻或消除失效,器件在弯曲状态下的可靠性也得以提高。近年来,一系列基于柔性OLED器件中性层的研究被陆续报道。本文综述了中性层技术在柔性OLED器件上的应用。首先,讨论了中性层的概念以及单个中性层位置的确定方法;其次,介绍了单个中性层和多个中性层在实际器件中的应用;最后,对柔性OLED器件未来的发展方向做出了展望。     

钝化层对背沟道刻蚀型IGZO薄膜晶体管的影响

本文制备了氧化硅、聚酰亚胺以及氧化硅-聚酰亚胺堆叠结构钝化层的非晶铟镓锌氧背沟道刻蚀型薄膜晶体管.与传统氧化硅钝化层薄膜晶体管相比,聚酰亚胺钝化层薄膜晶体管的电学特性大幅提高,场效应迁移率从4.7提升至22.4 cm²/(V·s),亚阈值摆幅从1.6降低至0.28 V/decade,电流开关比从1.1×10⁷提升至1.5×10¹⁰,负偏压光照稳定性下的阈值电压偏移从–4.8 V下降至–0.7 V.电学特性的改善可能是由于氢向聚酰亚胺钝化层扩散减少了背沟道的浅能级缺陷.     

线性扫描伏安法测定痕量铊

铊单质及其化合物是损害人体中枢神经系统的剧毒物质,其致死剂量是 740 mg[1],监测铊对环境的污染成为人们关注的问题。线性扫描伏安法(LSV)是极其有效和灵敏度高的监测铊(Ⅰ)对环境污染的方法。线性扫描伏安法测定铊(Ⅰ)的灵敏度远比原子吸收光谱法高,本法用LSV法测定铊(Ⅰ)的下限为 7×10-7 mg·L-1,比原子吸收光谱法测定铊的下限低[2]。若待测试样中含有电活性物质(如铊),用 LSV测定时会有典型的特征曲线及其峰电流(Ip)。对可逆反应 Ip=2.69×105n3/2 AD1/2υ1/2 C, 对不可逆反应Ip=2.99×105n(αna)1/2 AD1/2υ1/2 C[3],当 …     

因子von Neumann代数上的非线性混合Lie三重可导映射

本文通过经典的可导映射,运用矩阵分块的方法,证明了因子von Neumann代数■上的每一个非线性混合Lie三重可导映射都是可加的*-导子.