堇青石载体表面Silicalite-1沸石膜的合成与表征

沸石分子筛膜是近十年发展起来的一种新型无机膜.它具备一般无机膜结构稳定、耐高温与化学侵蚀、机械强度高等优点.尤其是,它的结构孔径均匀、精密,具备分子筛分性能.沸石晶体中的阳离子可被其它离子交换.硅铝比可以调节,硅铝原子可被其它原子取代.这些特性,使研制孔径与分子尺寸相匹配、均匀致密的沸石分子筛膜,成为实现分子水平上分离和膜催化的关键.这是当前无机膜材料研究的前沿和热点[1-4].     

C2H4在Ru(1010)表面吸附与分解的研究

用X射线电子能谱(XPS)、热脱附谱(TDS)和紫外光电子能谱(UPS)方法研究了乙烯(C_{2H4)在Ru(1010)表面的吸附,在低温下(200K以下)乙稀(C2Ｈ4})可以在Ru(1010)表面上以分子状态稳定吸附,在200K以上乙烯(C₂H ₄)则发生了脱氢分解反应.TDS结果表明乙烯(C₂H₄)分 解后的主要产物为乙炔(C< 关键词： 乙烯 钌(1010)表面 吸附与分解     

光学相干层析成像图像中角膜厚度的自动测量方法

提出了基于边界跟踪、轮廓定位和曲线拟合的光学相干层析成像(OCT)图像中角膜厚度的自动测量方法。分别测量了高信噪比以及存在噪声和伪影的角膜OCT图像中的角膜厚度,并验证了所提方法的有效性和实用性。研究结果表明,所提方法不仅可以精确测量高信噪比角膜OCT图像中的角膜厚度,对存在噪声和伪影的角膜OCT图像也有很好的测量效果。与已有的角膜厚度测量方法相比,该方法具有抗干扰能力强和测量精度高的优点。     

LED芯片与YAG荧光粉的相互热作用

大功率白光LED作为新一代照明光源的优势越来越明显,但其光衰机制综合了YAG荧光粉、LED芯片以及封装散热多重因素,衰减机理复杂。为研究LED芯片与荧光胶的相互热影响,基于蓝光LED器件基板温度可控实现蓝光LED器件温度稳定,并通过外部加热(以此作为LED热量作用于荧光胶)的方式控制荧光胶、荧光粉、硅胶的温度。重点研究了温度从27℃升高到220℃对三者光衰、主波长特性的影响。对荧光胶与LED芯片的近距离相互热影响进行了测试,结果表明荧光粉涂覆量会引起光功率的降低,而且随着光功率的降低,LED芯片结温呈现指数升高。实验证明荧光胶层与LED芯片是一个相互影响的复合热源模型。     

独立寻址的色温可调白光有机电致发光二极管

提出了一种利用Ag/Al电极作为叠层结构的连接层,有效调控白色有机电致发光器件(WOLEDs)的发射光谱和提高器件的发光效率的新方法。当连接层厚度从9nm降到5nm,白光区域内的色坐标从(0.27,0.29)变化到(0.38,0.31)。此外,通过调控任意色度的互补色(蓝黄)WOLEDs,成功地制备了色温从8009K到4539K的可以独立寻址的器件。最后,论文讨论了基于独立寻址实现色温可控的红绿蓝三基色WOLEDs的光电性能。     

可见吸收光谱线型参数分析法测定十二烷基硫酸钠临界胶束浓度

于浓度相同的结晶紫（CV）溶液中,加入不同浓度的十二烷基硫酸钠（SDS）组成一系列含有相同浓度CV和不同浓度SDS的混合溶液。在可见光区内对每一混合溶液测定其吸收值时,可见随SDS浓度的逐步递增,在CV-单聚体吸收峰的吸收值逐渐减少;而在CV-二聚体吸收峰的吸收值逐渐增加,且随CV-二聚体浓度增加而出现的CV-二聚体与CV-单聚体的吸收光谱线相互严重重叠,光谱形状也发生渐变。运用分光光度计所配备的Origin 7．5软件中储存的高斯多峰拟合法,可自动进行重叠光谱的解析和各光谱参数（包括y0,A1,A2,ω1,ω2,xc1及xc2）的拟合计算。文中还证示,每一参数与SDS浓度之间有明显的相关性,在两者之间所作的曲线上可找到明显的转折点,与转折点相对应的、在横坐标上的SDS浓度值即为SDS的临界胶束浓度（CMC）值。文中首次报道了用吸收光谱的半峰宽对SDS浓度作图所得曲线上的转折点求得SDS的CMC值。     

一类快速免伪逆贪婪块KACZMARZ方法CSCD

1引言大规模层析图像重建[1]、分类问题[2]、图像重构[3]、数字信号处理[4]和数据挖掘[5]等科学与工程应用中,大规模相容线性方程组Ax=b,A∈R^(m×n),b∈R^(m),(1)的高效求解具有重要的理论意义和实际应用价值.基于矩阵分裂的直接法(例如LU分解和QR分解等)和基于全矩阵-向量积的迭代法(例如CG方法和Lanczos方法等)通常不能适用于大规模线性方程组的求解.近年来,以Kaczmarz方法为代表的行作用方法受到人们的广泛关注并成功应用于CT成像技术等实际问题中.     

一类本性谱有界算子的刻画

设H是一个无限维复Hilbert空间,B(H)表示H上的有界线性算子的全体,并且Φ是从B(H)到自身的线性满射.我们证明了映射Φ是本性谱有界且模紧算子的充分必要条件是Φ(K(H))■K(H)且诱导映射Φ是Calkin代数上的连续同态或连续反同态.     

有机发光二极管的热分析与热设计

采用基于计算流体动力学的热学模拟仿真与瞬态热学测试技术分析了OLED的热学特性,研究并讨论了输入功率、面板取向、风速等实际应用变量对OLED面板结温的影响。研究结果表明,OLED的结温与衬底及封装盖表面存在明显的温度梯度,且此温度梯度随输入电流增加大幅增大。OLED的热学特性与面板取向、气流速度密切相关。     

N2O Plasma表面处理对SiNx基IGZO-TFT性能的影响

采用N₂O plasma处理SiN_x薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了 IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比,N₂O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm²·V^-1·s^-1增 加至8.1 cm²·V^-1·s^-1,阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9 V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N₂O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N₂O plasma处理SiN_x绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。