Hole transporting material 5, 10, 15-tribenzyl-5H-diindolo[3, 2-a:3',2'-c]-carbazole for efficient optoelectronic applications as an active layer

In order to explore the novel application of the transparent hole-transporting material 5,10,15-tribenzyl-5Hdiindolo[3,2-a:3',2'-c]-carbazole(TBDI),in this article TBDI is used as an active layer but not a buffer layer in a photodetector(PD),organic light-emitting diode(OLED),and organic photovoltaic cell(OPV) for the first time.Firstly,the absorption and emission spectra of a blend layer comprised of TBDI and electron-transporting material bis-(2-methyl-8-quinolinate) 4-phenylphenolate(BAlq) are investigated.Based on the absorption properties,an organic PD with a peak absorption at 320 nm is fabricated,and a relatively-high detectivity of 2.44×10~(11) cm· Hz~(1/2)/W under 320-nm illumination is obtained.The TBDI/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq_3) OLED device exhibits a comparable external quantum efficiency and current efficiency to a traditional 4,4-bis[N-(l-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(α-NPD)/Alq_3 OLED.A C_(70)-based Schottky junction with 5 wt%-TBDI yields a power conversion efficiency of 5.0%,which is much higher than 1.7%for an α-NPD-based junction in the same configuration.These results suggest that TBDI has some promising properties which are in favor of the hole-transporting in Schottky junctions with a low-concentration donor.     

溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管

采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪HfO₂薄膜, 经500℃退火后, 获得了高透过率、表面光滑、低漏电流和相对高介电常数的HfO₂薄膜. 并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶接触结构薄膜晶体管器件. 获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100 cm²·V^-1·s^-1, 阈值电压为-0.5 V, 开关比为5×10⁶, 亚阈值摆幅为105 mV/decade. 表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率, 其迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率.     

因子von Neumann代数中套子代数上Jordan同构的刻画

本文研究了套子代数上由零积确定的子集中保Jordan积的线性映射与同构和反同构的关系.证明了若对任意的A,B∈algMβ且AB=0,有Φ(A■B)=Φ(A)■Φ(B)成立,则Φ是同构或反同构.其中,algMβ,algMγ是因子von Neumann代数M中的两个非平凡套子代数,Φ:algMβ→algMγ是一个保单位线性双射.     

因子冯诺依曼代数上的第二类非线性混合Lie三重导子（英文）

设M是一个维数大于1的因子冯诺依曼代数,且L:M→M是一个第二类非线性混合Lie三重导子,即对任意的A,B,C∈M满足L([[A,B],C]_*)=[[L(A),B],C]_*+[[A,L(B)],C]_*+[[A,B],L(C)]_*.则L是一个可加的*-导子.     

梗丝形态对细支卷烟主流烟气及燃烧特性影响

为探寻细支卷烟的降本增效路径,开展了微波膨胀梗丝、薄压细切及常规气流梗丝在细支卷烟中的应用效果评价,考察了三种梗丝对细支卷烟物理特性、混合均匀度、常规主流烟气成分、动态吸阻稳定性、烟气粒径分布、燃烧锥体积及速率、7种有害成分及感官品质的影响。结果表明:①相对于常规传统气流梗丝而言,微波膨胀梗丝对细支卷烟吸阻影响更大,在相同试验条件下,其掺配样吸阻均值较常规传统气流梗丝样大113Pa。②微波膨胀梗丝和薄压细切气流梗丝的掺配均匀度均值分别为97.674%、97.005%,均大于常规气流梗丝的掺配均匀度均值94.846%。③常规主流烟气成分释放量的相对标准偏差(RSD)为评价指标,细支卷烟样品稳定性排序为:微波膨胀梗丝掺配样薄压细切气流梗丝掺配样常规气流梗丝掺配样,感官品质得分与此排序一致,常规气流梗丝掺配样的抽吸均衡性差、木质气重,感官品质得分最低;④较常规气流梗丝掺配样,微波膨胀梗丝及薄压细切气流梗丝掺配样动态吸阻稳定性更优,这与三种梗丝的掺配均匀度均值排序一致;⑤三种梗丝掺配样的中值粒径(CMD)均值基本一致,均分布在146nm附近。其中微波膨胀梗丝掺配样的逐口抽吸粒子浓度最大;⑥薄压细切气流梗丝掺配样的燃烧速率及燃烧锥体积均最大,其燃烧更充分;⑦7项有害成分方面,常规气流梗丝降低苯酚、巴豆醛及NNK的效果最优,其卷烟危害性指数均低于微波膨胀梗丝与薄压细切气流梗丝掺配样,表明前者在细支烟中的减害作用较优。     

电磁蒸发黑洞中Dirac粒子的量子热效应

本文从弯曲时空中电磁Ｄｉｒａｃ粒子的场方程出发，研究了电磁蒸发黑洞的ｄｉｒａｃ粒子的量子热效应，得到了这类黑洞的视界面方程，温度函数以及Ｈａｗｋｉｎｇ热谱公式．     

夸克势模型中的重子－重子相互作用自旋－轨道耦合势

在夸克－夸克自旋－轨道耦合势中引入了由海夸克效应产生的、与颜色自由度无关的自旋－轨道耦合势．并定性地讨论了这个势对重子谱及重子－重子相互作用计算中的影响．     

工科物理实验教学的研究和改革

介绍了对工科物理实验教学所做的有益探索和实践效果。     

依托问题设计提高课堂效率

数学教育家波利亚指出:“问题是数学的心脏”.新课标特别强调问题化教学在打造高效课堂中的作用:把学生的学习置于问题之中,把学习过程看成发现问题、提出问题、分析问题和解决问题的过程.亦即数学教学从某种意义上来说就是数学问题的教学,没有问题的教学就很难打造高效课堂.如何进行问题设计呢?笔者结合近年来教学实践,认为问题设计应从适度性、层次性、生活性、探究性、开放性等方面着手.     

薄膜厚度对GZO透明导电膜及其LED器件性能的影响

采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,并制备了相应的LED器件。实验结果表明:随着薄膜厚度增加,薄膜结晶质量提高,薄膜的电阻率也随之降低。当厚度为500 nm时,薄膜的电阻率最低为2.79×10^-4 Ω·cm,同时其在460 nm蓝光区域的光透过率高达97.9%。对所制备的以GZO薄膜为透明电极的LED器件进行了测试分析,发现GZO薄膜厚度对LED的正向电压影响不大,但对LED芯片的出光效率有较大影响。