热分析动力学数据处理方法的研究进展

综述了最近几年来用热分析法研究固相反应动力学的数据处理方法的新进展,指出了现有方法的成功与局限性,介绍了几种新的动力学处理方法及一种新的热分析技术。     

Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition

A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition （VHFPA-RTCVD）, is introduced to prepare SiGe：H thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition （I~TCVD） technology was successfully used to prepare SiGe：H thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of SiGe：H thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed.     

一类p-Laplace方程边值问题解的存在性

主要讨论一维p-Laplace方程在Neumann边值条件u(0)=0,u(1)=0下,对应的边值问题解的存在性.通过使用度理论,在适当的条件下,建立了对于p-Laplace方程在Neumann条件下解的存在性的充分条件.     

Open-circuit voltage analysis of p-i-n type amorphous silicon solar cells deposited at low temperature

This paper identifies the contributions of p-a-SiC:H layers and i-a-Si:H layers to the open circuit voltage of p-i-n type a-Si:H solar cells deposited at a low temperature of 125 C.We find that poor quality p-a-SiC:H films under regular conditions lead to a restriction of open circuit voltage although the band gap of the i-layer varies widely.A significant improvement in open circuit voltage has been obtained by using high quality p-a-SiC:H films optimized at the "low-power regime" under low silane flow rates and high hydrogen dilution conditions.     

巧用圆的一般方程解题

圆的一般方程C：x2＋y2＋Dx＋Ey＋F=0（D2＋E2-4F〉0）.当点P（x0,y0）在圆外时,x20＋y20＋Dx0＋Ey0＋F〉0,那么x20＋y20＋Dx0＋Ey0＋F的几何意义是什么呢？经过探索,我们发现：结论1已知圆C：x2＋y2＋Dx＋Ey＋F=0（D2＋E2-4F〉0）,当点P（x0,y0）在圆外时,过点P作圆的切线PA,     

水平内循环流化床气化特性数值模拟研究

本文利用Barracuda软件对水平内循环流化床气化(HiFBG)特性进行了数值模拟研究。HiFBG技术在保证产气量的同时,降低了系统的高度,延长了固体颗粒在气化系统内的停留时间,提高气化效率和气化气的热值。从模拟结果可以发现,采取HiFBG技术后,合成气管道中CO、H_2的含量较烟气管道出口处高,而N_2的含量比烟气管道中低,因此,本技术可以有效减少合成气中N_2含量,从而提高气化气热值。     

铕与对甲基苯甲酸及2，2＇－联吡啶三元配合物的谱学研究

元素分析表明稀土铕（Ｅｕ~（３＋））与对甲基苯甲酸（Ｐ－ＭＢＡ）及２．２＇－联吡啶（ｄｉｐｙ）形成的三元配合物的组成为Ｅｕ_２（Ｐ－ＭＢＡ）_６（ｄｉｐｙ）_２，对甲基苯甲酸、２，２＇－联吡啶均以双齿配位，中心铕离子的配位数为８，两个铕离子通过四个对甲基苯甲酸基桥联，形成双核配合物，对该配合物的结构作了核磁共振氢谱、碳谱及红外光谱的研究。     

阿德福韦酯糖精共晶形成的热力学

测定不同温度下阿德福韦酯(AD)在系列浓度糖精(SAC)乙醇溶液中的溶解度及AD在恒温下系列浓度糖精水溶液中的溶解度, 研究AD-SAC共晶形成的热力学, 得到了共晶的溶度积(K_sp)、络合常数(K₁₁)及反应自由能(ΔG⁰)等热力学参数, 建立了不同温度下的AD-SAC-乙醇三相图. 结果表明: 在乙醇中, 温度对K_sp和K₁₁有极显著性影响(P<0.01), 随着温度的降低, K_sp逐渐减小, K₁₁增大, 共晶的溶解为吸热过程, 共晶的形成为吸热的自发过程, 温度的下降有利于增加AD与SAC在乙醇中的络合效应. AD在SAC水溶液中的溶解度随SAC浓度的升高呈现三阶段特征, 先线性增长至平台区后再倒数下降.     

PIN型和NIP型硅薄膜太阳电池中绒面陷光结构和陷光性能研究

对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果. 关键词： 陷光结构 光散射能力 标量相干理论 硅基薄膜太阳电池     

固态硫酸锂—水合物脱水过程的非等温动力学

采用TG-DTG技术研究了固态硫酸锂-水合物脱水过程，运用Malek等提出的热分析动力学数据处理方法，确定了脱水过程的动力学机理模式f(a)为n(1-a)[-ln(1-a)]^1-1/a或为a^n(1-a)^n，并求得相应动力学参数。