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超声显微检测技术应用于电子封装领域始于上世纪80年代,如今已是检测电子封装可靠性和完整性的重要手段,被广泛应用到了电子封装的缺陷检测和精密测量等方面。针对电子封装的超声显微检测存在回波重叠、信噪比低等问题,近年来,发展了许多时频分析方法,用于获得优于常规方法的纵向分辨率,即实现超分辨率。本文首先介绍了超声显微检测的发展历史,对其检测原理和分辨率理论进行了简述;其次,综述了超声显微检测技术在电子封装中的主要应用与发展现状;然后,对超声显微检测的超分辨率成像方法进行了综述,分别介绍了基于小波分析的反卷积、连续小波变换和稀疏表示在实现超分辨率时的原理及适用场景;最后,探讨归纳了电子封装超声显微检测的主要研究方向及难点。 相似文献
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数学各分支之间存在很多共同的思想和方法.本文结合线性代数中关于线性空间的相关理论及观点来看数值分析中常用的多项式插值方法.一方面借助线性空间的基与坐标理论将常用多项式插值方法统一起来,并借助过渡矩阵给出了不同插值方法之间的通用转换公式.另一方面还可以通过构造特殊基函数组来产生新的多项式插值方法. 相似文献
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基于HFR和LS-dependent(LS-D)的HFR自洽场方法,详细研究了Rn等电子系列离子的5f电子径向波函数的性态,分析了Rn等电子系列离子5f电子径向波函数的塌缩规律,并在此基础上进一步讨论了Rn等电子系列离子的nf(n≥6)波函数和5d10→5d9nf 1P(6≤n≤10)跃迁振子强度的变化规律。结果表明,5f波函数的蹋缩与谱相有强烈的依赖关系;5f波函数的部分塌缩引起Ra2+离子5d10→5d9nf 1P(6≤n≤10)跃迁振子强度的突增;5f波函数完全塌缩后,跃迁振子强度主要集中在5d10→ 5f 1P能级。 相似文献
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Growth of a ZnO/GaN heterostructure is carried out using pulsed laser deposition. By etching the ZnO layer from the ZnO/GaN structure, the photoluminescence (PL) of the associated GaN layer shows that the donor- acceptor luminescence of CaN shifts to about 3.27eV, which is consistent with the electroluminescence (EL) of n-ZnO/p-GaN already reported. XPS shows that oxygen diffuses into the CaN crystal lattice from the surface to 20nm depth. The PL spectra at different temperatures and excitation densities show that oxygen plays the role of potential fluctuation. The associated PL results of the interface in these LEDs could be helpful to understand the mechanism of EL spectra for ZnO/CaN p-n junctions. 相似文献
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在Debye屏蔽近似下,通过求解Schrödinger方程,计算了处于等离子体中的类氢离子的束缚态能量本征值与本征函数. 研究了氢原子和类氢Fe25+离子的n l ( n =1-4, l = 0-3)态能级随Debye 屏蔽长度λ的变化规律. 进一步,分析了等离子体屏蔽效应随主量子数n及角量子数l的变化规律, 发现对于给定的l, 等离子体屏蔽效应随主量子数n的增加而增大;对于给定的n,等离子体屏蔽效应随角量子数l 的增大而减小. 最后,我们分析了等离子体环境中类氢等电子序列离子的能级和波函数随屏蔽参数λ的变化规律,发现随着原子序数增大,等离子体屏蔽效应的影响逐渐变小. 相似文献
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