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制备了碳量子点/聚中性红膜修饰电极。采用了透射电子显微镜和荧光光谱对制备的碳量子点进行表征。利用循环伏安法、示差脉冲伏安法考察了鸟嘌呤和腺嘌呤在修饰电极上的电化学行为。结果表明,在0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液中,该修饰电极对鸟嘌呤和腺嘌呤的氧化具有明显的电催化作用。在最佳条件下,鸟嘌呤和腺嘌呤的示差脉冲伏安响应和其浓度分别在1.0×10~(-6)~2.0×10~(-4)mol/L和5.0×10~(-6)~2.0×10~(-4)mol/L范围中呈良好的线性关系,检测限分别为3.0×10~(-7)mol/L和4.8×10~(-7)mol/L(S/N=3)。该修饰电极能够用于复杂样品中鸟嘌呤和腺嘌呤的检测及实际样品分析。 相似文献
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为了测试星地光网络的性能,设计了一种基于OPNET的星地光网络性能测试仿真平台。介绍了平台的总体技术架构,探讨了星间链路建立的条件。采用最大接入仰角与最长服务时间加权的方式,完成星地链路的卫星接入服务;按照切换呼叫优先的策略完成业务传输中的卫星切换服务,确保星地链路不间断的通信能力。根据最小链路代价和首次命中原则,实现星地光网络的路由与波长的动态分配。最后,利用平台的OPNET软件测试了三种星座下的星地光网络性能,测试结果表明:在LEO、MEO和GEO星座下,星地光网络的网络阻塞率分别为10%、40%和54%,平均网络时延分别为0.1s、0.07s和0.054s。测试结果对星地光网络的工程应用具有一定的指导意义。 相似文献
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为了提高光纤故障处置效率,设计了一种基于GIS和OTDR的光纤智能监控系统。介绍了系统的总体技术架构和软件功能框架。采用小波分析技术,提取OTDR曲线中的事件信息,找出故障点位置。将故障点的光纤长度数据转换为经纬度数据,并结合光缆拓扑结构和GIS系统,将故障点在电子地图上实时显示并告警。经过系统测试,结果表明:系统的OTDR损耗分辨率达到0.01dB,动态范围为34dB~45dB,监测响应时间为5ms;故障定位误差小于10米,告警时间为2ms,完全满足光缆应急处置要求。 相似文献
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四氯苯醌与磺胺类药物荷移反应的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了电子接受体:四氯苯醌(TCBQ)与电子给予体:磺胺嘧啶(SD)、磺胺二甲嘧啶(SM_2)和磺胺甲基异(口恶)唑(SMZ)之间荷移反应的条件、机理和3种荷移络合物的稳定常数及摩尔吸光系数.用拟定的方法测定磺胺嘧啶片剂中SD和复方新诺明片剂中SMZ的含量,结果令人满意.2 实验部分2.1 仪器与试剂751-G分光光度计(上海分析仪器厂)、722型分光光度计(上海第三分析仪器厂)、电恒温水浴(重庆试验设备厂)、酸度计(萧山市科学仪器设备厂).3.6×10~(-3)mol/L、7.2×10~(-4)mol/L SD、SM_2、SMZ标准溶液,3.0×10~(-3)mol/L TCBQ乙醇溶液,0.1mol/L硼砂缓冲溶液(pH=9.0).2.2 实验方法 取适量试样溶液(SD≤20 mg/L、SM_2≤52 mg/L、SMZ≤33 mg/L)于10 mL刻度比色管中,依次加入TCBQ试液(SD为2ml、SM_2和SMZ为1.4mL)和硼砂缓冲溶液(SD为5mL、SM_2和SMZ为4mL),用水稀释至刻度,摇匀后于50±2℃水浴中分别保温120min、60min和80min;取出冷至室温,以试剂空白为参比,用1cm比色皿于波长356nm和365nm处测定吸光度. 相似文献
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通过一步电沉积技术制备了普鲁士蓝/氧化锆修饰玻碳电极。采用电化学阻抗技术表征修饰电极。采用循环伏安法研究了pH值和扫描速率对该修饰电极的电化学行为的影响。结果表明:普鲁士蓝的峰电流与其扫描速率的一次方在一定范围内呈良好的线性关系。此外,该修饰电极在含有KCl(1.0mol/L)的磷酸盐缓冲溶液(0.1mol/L,pH=7.0)中,对H2O2具有明显的电催化作用,在无酶检测H2O2领域具有潜在的应用价值。 相似文献
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通过酸碱中和反应制备了阴/阳离子表面活性剂十四烷基三甲基月桂酸铵, 发现其对石蜡油/水体系具有很强的乳化能力, 通过简单振荡便能形成均一、稳定的乳液. 光学显微镜观察发现乳液液滴的直径从几微米到几百微米不等, 形成密堆积结构. 增大表面活性剂含量使液滴的平均尺寸和多分散度降低. 流变学研究表明, 乳液具有明显的剪切稀释行为, 在同一水体积百分含量下, 随表面活性剂含量的增加, 乳液粘度增大, 且表现出一定的屈服应力. 振荡剪切结果表明乳液具有明显的粘弹性, 在整个频率测量范围内, 弹性模量均高于粘性模量. 此外, 我们还考察了水体积百分含量对乳液性能的影响. 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH4、NH3和H2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征.实验发现,适当地增加H2流量,可以提高反应过程中H离子与Si、N悬挂键的键合几率,从而起到钝化薄膜悬键的作用.当H2流量从10 sccm变化到20 sccm时,H主要起到钝化薄膜悬挂键作用,因而缺陷态减少,缺陷态发光减弱,薄膜的光学带隙缓慢展宽.继续增加H2流量,薄膜中的氮原子持续增加,伴随着缺陷态再次增多,辐射加强,并导致光学带隙迅速展宽.当H2流量达到30 sccm时,薄膜中的氮化硅晶粒增大,数目增多,缺陷态发光消失,出现了氮化硅中由非晶硅量子点团簇引起的发光现象,说明薄膜中出现了非晶硅量子点团簇.因此,适量的增加氢流量能够对薄膜起到钝化的作用,并实现从富硅-氮化硅向Si3N4相转变的过程中形成氮化硅基质包埋的非晶硅量子点团簇结构. 相似文献
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