DDAB修饰纳米氧化锌的合成及XANES研究

用改进的反胶束法合成了半导体纳米级氧化锌,表面由DDAB(双十二烷基二甲基溴化铵)修饰.改进的方法与传统方法的区别是反胶束法中所需要的水是由含水的锌盐直接提供,在有机溶剂中直接形成了微反应池.TEM(透射电子显微镜)照片证实了氧化锌的尺寸为纳米级,其粒径可由锌盐和DDAB的使用量之比来控制.并用基于北京同步辐射的X射线吸收近边结构谱来研究纳米材料的表面结构重组和畸变性质等.     

无源充气靶设计和制备

柱腔充气靶主体结构为三通金柱腔，其中一通相当于腔内气体的进出管道，另两个相对口为激光入射口。实验时，靶处于真空环境中，为了防止腔内气体在抽真空时跑掉，在诊断口和激光入射口都有阻气薄膜。准动态充气工艺是国外普遍采用的制备方法，但准动态充气靶存在一定的安全隐患，一旦控制阀门或靶室内的充气管道出现意外泄露，将对激光器真空系统和部分诊断设备造成严重损害，这是它在国内实验中使用受限制的主要原因。如果增加充气靶的安全系统，势必增加充气靶的死体积。     

关于f~((k))-af~n的零点

设 f (z) 为平面内超越亚纯函数 ,a≠ 0 为常数 ,证明了当 n≥ k+3 时 ,f( k) -afn有无穷多个零点 .     

Luminescent Characteristics of Near Ultraviolet InGaN/GaN MQWs Grown on Grooved Sapphire Substrates Fabricated by Wet Chemical Etching

InGaN/GaN multiple quantum wells （MQWs） are grown on planar and maskless periodically grooved sapphires by metal organic vapour phase epitaxy （MOCVD）. High-resolution x-ray rocking curves and transmission electron microscopy （TEM） are adopted to characterize the film quality. Compared with the MQWs grown on planar sapphire, the sample grown on grooved sapphire shows better crystalline quality： a remarkable reduction of dislocation densities is achieved. Meanwhile, the MQWs grown on grooved sapphire show two times larger PL intensity at room temperature. Temperature-dependent PL measurements are adopted to investigate the luminescence properties. The luminescence thermal quenching based on a fit to the Arrhenius plot of the normalized integrated PL intensity over the measured temperature range suggests that the nonradiative recombination centres （NRCs） are greatly reduced for the sample grown on grooved sapphire. We assume that the reduction of dislocations which act as NRCs is the main reason for the sample grown on pattern sapphire having higher PL intensity.     

Growth and Annealing Study of Mg-Doped AlGaN and GaN/AlGaN Superlattices

Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices are grown by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD） Rapid thermal annealing （RTA） treatments are carried out on the samples. Hall and high resolution x-ray diffraction measurements are used to characterize the electrical and structural prosperities of the as-grown and annealed samples, respectively. The results of hall measurements show that after annealing, the Mg-doped AIGaN sample can not obtain the distinct hole concentration and can acquire a resistivity of 1.4 ×10^3 Ωcm. However, with the same annealing treatment, the GaN/AlGaN superlattice sample has a hole concentration of 1.7 × 10^17 cm-3 and a resistivity of 5.6Ωcm. The piezoelectric field in the GaN/AlGaN superlattices improves the activation efficiency of Mg acceptors, which leads to higher hole concentration and lower p-type resistivity.     

PA-PVA-CH塑料微球充D2和Ar

ICF塑料靶丸典型结构由3层组成：内层起支撑作用的聚苯乙烯（PS），中间起阻气作用的聚乙烯醇（PVA）和外部的烧蚀层碳氢（CH）。作为靶丸，空心塑料微球内的气体由燃料气体和诊断气体组成。燃料气体目前使用的主要是D2。塑料微球采用热扩散法充气，D2在塑料球壳中扩散很快，而Ar却渗透很慢，因此，塑料靶丸充气的核心工艺是如何充Ar和如何保D2。利用充Ar条件充D2或利用保D2技术保Ar都是很容易实现的。塑料微球充气在自行研制的充气系统中完成，球内气体采用四极质谱或X射线荧光谱仪进行测量。     

使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

采用低压MOCVD系统，在生长过程中使用SiN_x原位淀积的方法产生纳米掩模，并 在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对 GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现，用SiN_x原位淀积出纳米掩模后 ，GaN生长将由二维向三维转变，直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄 膜中的残余应力，两者符合得很好；这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外 延更加均匀；并且从中发现随着生长过程中SiN_x原位淀积时间的增加，生长在 其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为，随着SiN_x原位淀积时间的增加 ，SiN_x纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大，残余应力随之减 小. 关键词： GaN x原位淀积')" href="#">SiN_x原位淀积 拉曼 光荧光 残余应力     

巧借高考真题,推进复习备战

高考真题对于高考复习备考具有非常重要的作用.结合2022年高考真题,从高考真题的作用以及具体操作等方面加以剖析,展示高考真题的基本作用以及问题的具体破解,全面合理借助高考真题来进行复习备考,引领并指导数学教学与复习备考.     

磁性氧化石墨烯固相萃取/高效液相色谱-串联质谱法测定环境水样中6种三嗪类除草剂残留

采用一步合成法制备磁性氧化石墨烯材料(GO-Fe_3O_4),将其用作磁性固相吸附剂对环境水样中的6种三嗪类除草剂进行萃取和富集,并与高效液相色谱-串联质谱法相结合进行测定。以扫描电镜和傅立叶红外光谱对合成材料进行了表征,并考察了GO-Fe_3O_4用量、萃取时间、水样的pH值及离子强度和解吸条件等因素对萃取效率的影响。6种三嗪类除草剂的检出限为0.1~1.0 ng/L,富集倍数可达616~902倍。将方法应用于苏州地区太湖水、运河水和护城河水等实际水样的分析,加标回收率为85.4%~117.6%,相对标准偏差为1.2%~10.0%。该方法操作简单快速,富集倍数较高,检出限低,可用于水样中痕量三嗪类除草剂残留的检测。     

腙为配体的高效铜催化的胺的N-芳基化反应

发展了一种温和、高效的以腙为配体的铜催化系统,在相对温和的条件下,将该系统用于催化胺与芳卤的N-芳基化反应,得到了良好的分离收率.腙配体是稳定的、价廉的,并易于通过简单的方法,从市场可得的原料制备.