约瑟夫逊计算机技术

随着科研和生产的不断发展,制作亚毫微秒的超高速计算机已成为人们日益关切的研究课题。众所周知,现代计算机速度进一步提高的关键在于制作高速逻辑器件、高速存贮器件,以及信号能多快地从一个电路传输到另一个电路。采用半导体技术来解决这些问题遇到了越来越大的困难,因为半导体器件的开关速度是和功耗成正比的,要提高速度势必增加功耗;功耗增大后,不仅带来了散热问题,而且由于无法进行高密度集成,信号传输延迟的影响变得十分突出。     

Sr-Y-Cu-O体系的超导电性

制备了名义组分为Sr_xY_(1-x)CuO_3(0.050相似文献   

La-Sr-Cu-O体系的半导体-金属转变和超导电性

制备了名义组分为La_(5-x)Sr_xCu_5O_3(3-y)(x=0.5,0.75,1.0.1.25,1.5)的多晶样品,测量了5—150K的电阻温度关系,并选择部分样品做了光电子能谱分析。结果发现,在相同的制备条件下,随组分的变化,该系统经历了超导体-半导体-金属(超导体)转变。通过与BaPb_(1-xBi_xO_3)系统类比对结果进行了计论。     

陶瓷超导材料及其新进展

一、引言去冬今春,人们在探索具有高临界转变温度的陶瓷超导材料方面取得了重大突破。继发现Ba-La-Cu-O体系陶瓷超导材料后,Ba-Y-     

Y_(0.9)Ba_(0.1)CuO_3超导体的低温比热

测量了陶瓷超导体Y_(0.9)Ba_(0.1)CuO的低温比热,在Tc=90K附近未观察到比热跃变,而发现在12K附近存在典型的λ-相变,反映在样品中同时含有一个低Tc的超导相。从12K以上的低温比热数据计算出该超导体的德拜温度为400K左右,比热中线性项的系数较大,其中含有原子振动自由度的贡献。     

高T_c氧化物超导体的元素替代效应(Ⅰ)

本文就高Tc氧化物超导体中的元素替代效应,尤其是对123相化合物中不同原子位置上部分元素替代所导致的晶体结构、氧含量、正常态和超导态性质,以及载流子浓度等的变化作了系统的评述。深入讨论了从中给出的有关高温超导电性微观机制的信息。     

高T_c氧化物超导体的元素替代效应（Ⅲ）

本文是同题系列文章的第三部分。主要总结了几种特殊元素替代效应的有关最新结果,包括如ＹＢＣＯ单晶体ＣｕＯ＿２平面和Ｃｕ－Ｏ链Ｃｕ位的３ｄ过渡族元素替代,（Ｙ,Ｐｒ）Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的问题,阳离子替代和氧的化学计量比的改变而引起的各向异性物性的改变,氧化物超导体超晶格和电子型超导体（Ｎｄ,Ｃｅ）＿２ＣｕＯ＿４系列的元素替代效应及其与空穴型超导体的比较。最后详细讨论了费密液体图像失效的Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ液体理论和有关高温超导体元素替代效应的一些推论。     

零电阻为106.5K的单相超导化合物Bi_(1.65)Pb_(0.35)Sr_2Ca_2Cu_3O_y的制备与超导电性

采用固相反应法合成了名义组份为Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.30;0.35;0.40;0.45)的样品。对样品进行了物相和结构分析,同时测量了电阻-温度关系和直流磁化率。结果表明:x=0.35的样品为单相材料,X射线相分析和电子衍射表明其相结构类似2223相,为四方结构,其晶格常数为a=b=5.414A,c=37.106A,且沿a,b两个方向都观察到调制结构。电阻和直流磁化率测量结果显示:在温度高于50K以上,仅存在一个 107K超导相。此外,单相材料的制备条件(组分、烧结温度、室温下淬火及淬火速率)非常苛刻。如同1-2-3相材料一样,氧含量不仅影响样品的成相规律、零电阻温度,而且还严重影响其正常态的输运性质。     

Y0.9Eu0.1Ba2Cu3O7-δ中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ和Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1Ｂａ₂·Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ_c（Ｔ）和Ｕ_eff（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ相比，Ｙ_0.9Ｅｕ_0.1·Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 关键词：     

计及应力效应的超导复合带的动态稳定性

讨论了在材料范性屈服条件下超导复合带的动态稳定性.基于二维平板模型导出了计及应力效应的稳定性判据为其中σ是外应力,ε为范性形变速率.锻炼效应的内在机制可能是因失超引起材料加工硬化,致使减小.估计了材料应力极限的数量级.