4,7-二(2-溴代噻吩-5-基)-2,1,3-苯并噻二唑-N-(1-辛基壬烷基)咔唑在ZnS(100)表面吸附的理论研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT/GGA)方法, 在PW91/DNP水平上研究了4,7-二(2-溴代噻吩-5-基)-2,1,3-苯并噻二唑-N-(1-辛基壬烷基)咔唑(简称PC-DTBT)的低聚合物(PC-DTBT)n(n=1-5)的稳定性和化学活性. 结果表明: 随着聚合度增加, (PC-DTBT)n的稳定性降低, 化学活性增强. 采用密度泛函理论与周期性平板模型相结合的方法, 研究了PC-DTBT单体在ZnS(100)表面的吸附, 通过吸附前后化合物PC-DTBT的Mulliken charge和前线轨道分析表明: 当PC-DTBT吸附在ZnS (100)表面时, ZnS(100)表面向PC-DTBT转移0.200 e电荷, 前线轨道能隙变窄. 理论预测的结果与实验值吻合.     

应用物理专业“ 学科前沿讲座”的 课程教学及考试模式探讨

介绍了应用物理专业“ 学科前沿讲座”的课程开设情况, 对教学的安排、 授课教师选聘做了详细说明. 针对多人授课的模式, 重点讨论了课程考试改革的内容, 并对改革的效果进行了评价     

基于异构双核的磁共振接收机的设计

提出了基于异构双核的低场核磁共振（Low-field Nuclear Magnetic Resonance,low-field NMR）接收机的设计,具有ARM（Adanced RISC Machines）和现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array,FPGA）先进的异构双核结构、高速的模数转换器（Analog to Digital Converter,ADC）采集、增益的可控以及可视化显示等特性,提高了整个系统的性能指标.设计中采用Xilinx公司的系统开发工具System Generator来实现内部信号处理功能.实验结果表明,数字接收机具有结构紧凑、可重构性强、采样速率高和成本低等特点,并且增益的可控使接收机获得了较大的动态范围,提高了重建图像的信噪比（Signal-to-Noise Ratio,SNR）.     

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。     

激光二极管相对于铯饱和吸收D2线的无调制扰动三次谐波锁频

将频率调制加在声光调制器上 ,用三次谐波探测法获得了铯原子D2 线的三阶微分饱和光谱。采用这种激光器无调制扰动方案结合三次谐波锁频技术 ,实现了 85 2nm的分布布拉格反射器半导体激光器相对于 6S1/2 F =4- 6P3 /2 F′ =5超精细跃线的频率锁定。由锁定后的频率误差信号估算 ,10s内激光频率起伏小于± 35 0kHz ,相对频率稳定度约 1× 10 -9。这种无调制扰动方案可以消除一般的饱和吸收稳频方法中由于直接对激光器进行频率调制而带来的额外频率噪声 ;三次谐波锁频技术的应用 ,还可有效地降低铯原子饱和吸收谱中剩余多普勒背景的影响     

氢硼聚变三体级联衰变连续能谱的Monte-Carlo模拟与分析

¹¹B(p,α1)⁸Be^*(1)(2α)三体级联衰变中居间核8Be⁽¹⁾衰变成两个α粒子的连续能谱呈马鞍形分布.编写了模拟三体级联衰变连续能谱的Monte-Carlo程序,计算结果表明:沿居间核8Be⁽¹⁾运动方向α发射强度增强的各向异性分布,能较好地解释实验结果,揭示p+¹¹B核反应中⁸Be⁽¹⁾核α衰变各向异性发射.     

稀土配合物中重叠峰分离的相分辨光声光谱研究

首次利用相分辨光声光谱法对稀土配合物中不同吸收中心的重叠谱峰进行了分离。在Nd(Trp) 3 Cl3 ·H2 O固态配合物中 (Trp :色氨酸 ) ,30 0～ 4 0 0nm这一波段内由于色氨酸配体强的π π 跃迁吸收 ,Nd3 +的光声峰被掩盖。通过光声谱同相和交相信号可以计算配体光声吸收的位相为 10 6° ,位相改变 90°后就得到仅与Nd3 +相关的光声光谱。相分辨光声光谱法用于谱峰分离时有它独特的优点 ,它不受谱峰形状和重叠程度的限制 ,而仅与不同吸收峰对应的光声位相有关     

浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词： EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射     

关于“误差与偏差”问题的讨论

本对“误差与偏差”的几个同题进行初略的讨论。并由此推出了误差与偏差的关系式和标准误差公式。