再谈物体稳度与质量的关系

结合生活实际,探讨用最大倾斜角表示物体稳度的不足之处,并从力矩平衡的角度分析稳度与质量的关系.在此基础上,提出用重力矩大小定量描述物体稳度的新看法.     

EMCCD侦察探测装置光学系统设计

为了满足EMCCD侦察探测装置的实际使用要求,设计了一个三视场光学系统。系统采用EMCCD接收,像元尺寸为16 m16 m 。通过对比4种成像系统结构形式的优缺点,选定三视场光学系统的初始结构形式,运用CODEV软件对其进行优化,实现600 nm～850 nm波段范围内三视场光学系统成像。设计结果表明,三视场光学系统的传递函数MTF在35 lp/mm频率处均大于0.5,点列斑直径均小于像元尺寸,畸变均小于0.2%,成像对比度满足使用要求。     

茶皂素中乙醇脱氢酶活性组分表面活性的研究

采用磁性固定酶技术从粗茶皂素中靶向分离出了乙醇脱氢酶的相关活性组分(ADH-related active ingredients, AAI)。为了揭示AAI的表面活性,通过表面张力法测定其临界胶束浓度;使用量角法测量其接触角;采用单因素实验探究浓度、水质硬度、pH等因素对泡沫性能的影响;同时采用分光光度法研究AAI的增溶能力,并与不同表面活性剂比较乳化和去污能力。结果表明：AAI具有降低液体的表面张力的作用,且该作用随AAI浓度增加而增强,AAI的临界胶束浓度在0.3%左右。AAI的润湿性能良好,在浓度0.1%～1.0%的范围内,接触角始终小于90°,且随浓度增加而减小。AAI的浓度越高,其起泡性越强,同时泡沫稳定性较好,具有抵抗硬水和酸碱的能力,在50℃时AAI的起泡性能最好。AAI有一定的增溶能力,对典型难溶有机物苯的增溶能力为7 mL·g^-1。AAI的乳化能力良好,单独使用时去污能力不强,与十二烷基苯磺酸钠(SDBS)组合使用效果可明显提升。     

砷掺杂的ZnO纳米线的发光特性

在GaAs基底上制备了高质量的直径为10～100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线. 扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示, ZnO纳米线具有较好的晶态结构. 对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量, 结果表明, ZnO纳米线在385 nm处有较强的紫外发光峰, 在505 nm左右有较弱的蓝绿发光峰; As掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质, 使本征发光峰移到393 nm处, 蓝绿发光强度有了很大程度的提高.     

二维单层硒化钼和硒化钨晶体的声子辅助上转换荧光光谱

声子辅助的上转换荧光是固体激光制冷效应的基础. 激光制冷具有体积小、效率高、无振动干扰、无需制冷剂等优势而具有重要应用价值, 探索更多可以实现激光制冷效应的材料是相关领域的重要研究内容. 二维单层过渡金属硫属半导体化合物是直接带隙荧光材料, 其完美的晶格结构、辐射光子提取效率高等特征使其有望成为一种新型激光制冷材料. 以MoSe₂和WSe₂为例, 本文研究了不同波长激发下样品的上转换荧光, 并通过激光功率依赖性实验和温度依赖性实验证实了该上转换荧光过程的发光机制为声子辅助过程.     

多元络合物光度法测定冶炼残渣中痕量铟

本文研究了InI-4与碱性染料反应形成多元离子缔合物用于痕量铟的测定.探讨了酸度、温度及表面活性剂对形成多元配合物反应的影响,比较了单显色剂(乙基罗丹明B)与多显色剂(乙基罗丹明B-丁基罗丹明B)的测定结果,单显色剂测定竖罐炼锌焦结物和蒸馏电吸尘焦结物中铟含量的结果分别为2.49 μg/g(RSD为4.72%,n=4)和0.920 μg/g(RSD为4.94%,n=4);双显色剂体系测定竖罐炼锌焦结物和蒸馏电吸尘焦结物中铟含量的结果分别为2.50 μg/g(RSD为1.37%,n=4)和0.98 μg/g(RSD为1.73%,n=4).方法可用于冶炼残渣中铟的测定.     

课本一题的多种证法

高中数学《必修2》（人教版2007年2月第三版）第73页的第5题,是一道妙题．我们发现其证明的入口宽,思路广,探索后得到多种证明方法．这种发散性思维对于提高我们的思维能力起到了很好的促进作用．     

解两类无理函数最值问题的三角代换法

在学校阅览室中,我读到了文[1]、文[2],文[1]介绍了用a·b≤｜a｜·｜b｜求两类无理函数最值的方法,但该文只考虑了最大值,而没有考虑最小值,为了弥补这一局限,文[2]给出了新的方法——规划法．该法虽然巧妙,但解答过程并不简洁．经过研究我发现,利用三角代换可以很方便地解决这两类无理函数的最值问题,下面我结合原文中的例子予以说明．     

不同晶向金属纳米线拉伸力学性能分子动力学研究

在经典等温分子动力学框架下,采用位移加载方式,准静态条件下数值模拟常温条件下金属纳米线的单向拉伸,研究了面心立方晶格（FCC）单晶金属纳米线的弹塑性力学性能。研究发现 <100>,<110>,<111>三个不同晶向纳米线拉伸时呈现不同的拉伸变形力学性能。其中<111>晶向拉伸有最高的屈服强度,<110>晶向屈服屈服最小,特别的是<100>晶向拉伸时屈服应变最大。由于不同的晶向对应纳米线的不同表面,三个晶向的纳米线拉伸呈现不同的应力应变关系曲线,变形过程中的局部结构具有不同的演化方式。分析了纳米单晶铜线的三个晶向拉伸表现不同的等效弹性刚度和屈服强度,讨论了相关的局部位错结构演化过程和与位错发射分解剪应力相关的纳米线塑性变形机理。     

基于磁圆二向色谱的单层MoS_2激子能量和线宽温度依赖特性

以二硫化钼(MoS_2)为代表的过渡金属硫属化物属于二维层状材料,样品可以薄至单层.单层MoS_2是一种直接带隙半导体,在纳米逻辑器件、高速光电探测、纳米激光等领域具有广阔的应用前景.在实际应用中,温度是影响半导体材料能带结构和性质的主要因素之一.因此研究单层二维材料能带的温度依赖特性对理解其物理机理以及开展器件应用具有重要的意义.目前,在广泛采用的测量单层MoS_2反射谱的研究中,激子峰往往叠加在一个很强的光谱背底上,难以准确分辨激子的峰位和线宽.基于自行搭建的显微磁圆二向色谱系统,研究了单层MoS_2在65—300 K温度范围内的反射谱和磁圆二向色谱,结果表明磁圆二向色谱在研究单层材料激子能量和线宽方面具有明显的优势.通过分析变温的磁圆二向色谱,得到了不同温度下的A,B激子的跃迁能量和线宽.通过对激子能量和线宽的温度依赖关系进行拟合,进一步讨论了声子散射对激子线宽的影响.