增生性疤痕组织与正常上皮组织FTIR光谱研究

通过对40例疤痕组织和正常皮肤组织的ETIR光谱比较分析发现,由于个体差异,其光谱均可分为三种不同类型。此外,疤痕组织中的胶原、蛋白质、核酸和脂类等生物大分子的吸收峰强度均在不同程度上高于正常皮肤组织,但两者的A_(1083)/A_(1548)并无明显差异。提示疤痕组织中的细胞仍属正常生长,治疗中不应损伤。     

马克思的制度经济思想再认识

在当代经济学的语境下,本文从一种广义的制度分析新视角,首次重新解读了马克思（以及恩格斯）著作中的制度经济论述。通过深入细致的思想梳理、观点辨析、理论提炼与重构工作发现,马克思的经济学是经济思想史上第一个重要的制度经济学分析体系。这一分析体系既包含有关社会经济制度问题的基本概念与原理的“一般性分析”,也包括关于资本主义市场经济制度的历史特性的“专门性分析”。两个分析层次之间具有内在的逻辑联系,反映了从“一般”到“特殊”的创新性理论演绎思路。对马克思的制度经济学分析体系的重新发掘与提炼表明,马克思的制度经济思想不仅在制度经济思想史上占具至关重要的地位,而且对于丰富和推进当代制度经济理论发展也具有重要的学术启示与借鉴意义。     

低温密闭碱熔–电感耦合等离子体发射光谱法测定岩石矿物中二氧化硅

建立电感耦合等离子体发射光谱法测定岩石矿物样品中二氧化硅含量的方法.在防腐高压消解罐中,用氢氧化钠低温消解样品,以盐酸浸提,采用电感耦合等离子体发射光谱法进行测定.二氧化硅的质量浓度在0～50μg/mL范围内与光谱发射强度线性关系良好,线性相关系数为0.9998,检出限为0.45％.用该方法对国家一级标准物质进行测定,...     

Electron-phonon coupling in cuprate and iron-based superconductors revealed by Raman scattering

Electron-phonon coupling （EPC） in cuprate and iron-based superconducting systems, as revealed by Raman scat- tering, is briefly reviewed. We introduce how to extract the coupling information through phonon lineshape. Then we discuss the strength of EPC in different high-temperature superconductor （HTSC） systems and possible factors affecting the strength. A comparative study between Raman phonon theories and experiments allows us to gain insight into some crucial electronic properties, especially superconductivity. Finally, we summarize and compare EPC in the two existing HTSC systems, and discuss what role it may play in the HTSC.     

宏观放电参数对快原子态氮(N+,Nf)的影响

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和重粒子(N₂⁺,N⁺,N_f)混合的蒙特卡罗方法,模拟研究了快原子态粒子(N⁺,N_f)的产生率及轰击阴极的能量分布随宏观放电参数(P,V)的变化规律.结果表明,存在一最佳放电条件,使阴极壁处粒子(N⁺,N_f)的粒子数密度大且能量高;当电压大于800V时,轰击阴极的活性粒子(N⁺,N_f),主要由N₂⁺-N₂离解过程产生,电压小于300V时,主要由e^--N₂离解过程产生,模拟结果与实验结果相符合.     

浅谈国家自然科学基金

国家自然科学基金委员会是根据《中共中央关于科学技术体制改革的决定》和《国务院关于成立国家自然科学基金委员会的通知》,于1986年2月开始组建的.国务院赋予基金委员会的任务是:“根据国家发展科学技术的方针、政策和规划,有效地运用科学基金,指导、协调、资助基础研究和部分应用研究工作,发现和培养人才,促进科学技术进步和经济、社会发展”.自然科学基金的评审和管理实行“依靠专家,发扬民主,择优支持,公平合理”的原则.     

界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示，界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系. 关键词： 碳化硅 界面态 反型层迁移率 场效应迁移率     

高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上，用高电荷态⁴⁰Ar^q+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中，通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能，系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明，作为引起表面电子发射的两个主要因素，单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.