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本文系统研究了在阳离子表面活性剂存在下钪与溴邻苯三酚红及三乙烯四胺形成多元络合物的条件,测定了络合物的最大吸收波长和摩尔吸光系数,确定了络合物的组成。并初步探讨了反应机理。 相似文献
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Three hexakis(imidazole)metallo complexes of Co, Cd and Ni were synthesized and spectroscopically characterized. The crystal and molecular structures have been determined by X-ray crystallography analysis. The metal ions have an octahedral geometry with the MN6 chromophore. The electrochemical experimental results indicate that both [Co(Im)6]C12·2HCl·2H2O (1) and [Ni(Im)6]C12·4H2O (3) [Im=imidazole] could interact with DNA mainly by intercalation. 相似文献
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Mononuclear copper(Ⅱ), nickel(Ⅱ) and cobalt(Ⅲ) tetracoordinate macrocyclic complexes were synthesized and spectroscopically characterized. The crystal structure of the three compounds were determined by X-ray crystallography. The electrochemical experimental results indicate that the three complexes could interact with DNA mainly by electrostatic interaction. The interaction of tetracoordinate macrocyclic cobalt(Ⅲ) complex with DNA was studied by cyclic voltammetry and UV-vis spectroscopy. The experimental results reveal that tetracoordinate macrocyc- lic cobalt(Ⅲ) complex could interact with DNA by electrostatic interaction to form a 1 : 1 DNA association complex with a binding constant of 7.50 ×10^3 L·mol^-1. 相似文献
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1引言有限元导数恢复技术是近年来发展起来的计算有限元导数并获得导数逼近超收敛性的一种新的后处理技术.对于一维和二维区域上的二阶椭圆边值问题,文[1,2]提出了Z-Z小片插值技术,得到了有限元导数逼近在小片恢复区域上的一阶超收敛结果和剖分节点处二阶强超收敛性;文[3,4]则建立了更为实用的小片插值恢复技术并得到与文[1,2]相平行的超收敛结果;文[5]对两点边值问题构造了一种积分形式的导数恢复公式,利用这个公式可获得剖分节点处有限元导数逼近的O(h~(2k))阶超收敛估计.本文将对一维四阶椭圆 相似文献
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The influence of atomic densities on the propagation property for ultrashort pulses in a two-level atom (TLA) medium is investigated. With higher atomic densities, the self-induced transparency (SIT) cannot be recovered even for 2πultrashort pulses. New features such as pulse splitting, red-shift and blue-shift of the corresponding spectra arise, and the component of central frequency gradually disappears. 相似文献
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Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
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We present the growth of GaN epilayer on Si (111)
substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN
epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical
vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness
on structural properties of the GaN epilayer has been investigated
by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical
microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that
an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important
role in increasing compressive strain and improving crystal quality
during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more
compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and
reduce the crack density and threading dislocation density in GaN
film. 相似文献