106 μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究

为了对比激光对CCD、CMOS两种图像传感器的干扰效果,利用106 μm高重频激光开展了对CCD、CMOS两种相机的饱和干扰实验研究,分析了两种相机在干扰有效面积、饱和干扰面积、干扰前后图像相关度等与激光入射功率之间的关系。实验结果表明:CMOS相机达到单元像素饱和的激光功率阈值是CCD相机的20倍;要达到相同的干扰有效面积,所需的激光功率CMOS相机要大于CCD相机10倍～100倍;要达到相同的饱和像元数,所需的激光功率CMOS相机比CCD相机约大10倍～60倍。因此,CMOS相机要比CCD相机具有更好的抗106 μm激光干扰能力。     

第七届国际晶体生长会议简介

第七届国际晶体生长会议(简称 ICCG-7)于1983年9月12日-16日在西德斯图加特召开.到会的有30多个国家的代表,共600多人.论文共计480多篇,以大会、小会、专题讨论会上和展讲等形式进行报告和宣讲。我国由国内派出的代表14人,带去论文36篇:另有两名在美国工作的我国访问学者(带论文两篇)及在国外的五个中国人(带论文五篇)也参加了会议.这次会议对晶体生长及晶体的表面研究和品质鉴定都很重视,对学科的发展和应用也进行了广泛的论述与交流.涉及的材料,在半导体方面集中于硅以及 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物.其他则多是无机化合物、耐高温的氧化物…     

不同Ce含量改性的Y型分子筛对正辛烷吸附的分子模拟

采用巨正则蒙特卡罗方法和分子动力学方法模拟了正辛烷分子在稀土Ce改性的Y分子筛上的吸附扩散过程.通过模拟分析吸附等温线、吸附势能、最可几相互作用能、吸附能量密度图以及扩散系数等相关参数,分别得到了303 K和423 K温度下,不同含量Ce离子对烃类正辛烷分子在Y分子筛上的吸附扩散行为产生的影响及调变规律.结果表明,Ce离子能够有效降低正辛烷在Y型分子筛上的吸附势能,使更多的烃分子趋于物理吸附;同时随Ce离子含量的增加会调变正辛烷在Y分子筛上的吸附速率和饱和吸附量,高温条件下Ce物种对正辛烷的扩散行为影响更为显著.     

范围限制的自适应亮度保持多阈值直方图均衡算法研究

针对目前直方图均衡算法难以实现,且易造成亮度饱和等问题,本文提出了一种范围限制的自适应亮度保持多阈值直方图均衡算法。首先,对输入图像进行适当平滑,从而获得它的直方图峰值点个数（N+1）。然后,对Otsu算法进行N阈值扩展,并通过这种方法获得图像的N个分割阈值,从而按照此阈值对图像进行分割。为了能够最大程度地保持输入图像的亮度,利用输入图像和输出图像的均值亮度最小误差（AMBE）准则,重新计算了图像的均衡范围。最后,利用新的均衡范围分别对每一个子图像进行均衡。实验表明,使用本算法处理Lena图的绝对均值亮度误差为0.416 4,明显优于使用RLBHE算法的0.629 5。本算法能够获得更清晰的图像细节,同时图像的整体亮度保持的也较好。     

Sn、Tb复合掺杂钛酸钡陶瓷的制备及介电性能研究

采用传统固相法制备Sn、Tb复合掺杂BaTb0.01SnxTi0.99-xO3(x=0、0.05、0.10、0.15)陶瓷,借助X射线衍射、扫描电镜和阻抗分析仪研究Sn、Tb复合掺杂以及Sn掺杂量对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响.结果表明,掺入SnO2后仍可保持单一钙钛矿结构,并且样品晶粒细化.当Sn掺杂量为10mol;,烧结温度为1350℃时,Sn、Tb复合掺杂BaTb0.01Sn0.1Ti0.89O3陶瓷居里峰移向低温,室温介电常数显著提高,可以达到9069,介电损耗仅为0.011.     

Tb/Eu 共掺锌硼磷酸盐白光发光玻璃的制备及其发光性能

采用熔体冷却法,通过控制玻璃基质组成及稀土离子添加量,制备了Tb、Eu单掺和Tb/Eu共掺的锌硼磷酸盐低熔点发光玻璃。测试了样品的红外光谱、吸收光谱、激发与发射光谱和荧光寿命,并计算CIE色坐标,研究了材料的微观结构及发光性能。结果表明：样品中部分Eu³⁺被还原为Eu²⁺,在380 nm波长激发下,Tb/Eu共掺发光玻璃同时出现Eu³⁺红光、Tb³⁺绿光和Eu²⁺蓝光的特征发射。增加基体中B₂O₃含量能强化玻璃网络结构,并改变Eu²⁺/Eu³⁺比例。发射光谱和荧光寿命测试表明,共掺的发光玻璃中存在Eu²⁺→Eu³⁺,Eu²⁺→Tb³⁺和Tb³⁺→Eu³⁺的能量传递。改变Tb、Eu的掺杂浓度能够有效改变发光玻璃的发光强度和颜色,最终得到色坐标为（0.318 7,0.286 1）、色温6 480 K的发光玻璃。     

面向大数据的数据库划分FP-Growth改进算法

提出了一种基于Hadoop架构和MapReduce编程模型实现的面向大数据的FP-Growth频繁项集挖掘的改进算法。首先将事务数据库按每个频繁1项进行抽取,生成对应的投影数据库,并将这些投影数据库分发到一个个节点机上;再由节点机对投影数据库进行划分,生成一个个规模更小的子数据库,并由节点机使用改进后的算法并行挖掘生成部分频繁项集;最后归并所有部分频繁项集得到全部的频繁项集。该算法无需像传统的FP-Growth算法一样为事务数据库生成庞大的FP树,有效解决了传统FP-Growth算法及其一些改进算法中因单机内存存储不下庞大的FP树而导致算法失效的问题。同时,由于所划分的子数据库规模接近,分发到各节点机上的负载更均衡,使得算法效率更高。     

无定形氧化铁层在纳米多孔BiVO4的光电化学分解水反应中的作用

通过"人工光合成"过程,将太阳能转化成氢能的形式加以存储和利用,是替代传统化石能源的清洁能源的制备有效途径.其中,光电化学分解水是氢能制备的最有潜力的路径之一.n型BiVO4由于具有丰富的储量、较窄的带隙以及合适的能带位置,被称为光电化学领域的研究热点.然而,未修饰的BiVO4光阳极性能并不理想,主要原因在于载流子复合严重、导电性差以及表面催化动力学低等性质的制约.科研工作者们针对这些方面已进行了非常多的研究,例如与电子传输层的复合、产氧电催化剂的担载以及异质结的构建等.其中表面动力学和电荷分离的同时提升是更理想的改善BiVO4光阳极性能的方法.我们在上述研究基础上,采用光化学沉积法在纳米多孔BiVO4电极表面担载无定形氧化铁层,将电极在1.23 V vs.RHE电位下的光电流提升至2.52 mA/cm2,是初始光电化学性能的3倍.采用间歇光照计时电流(i-t)测试,电化学交流阻抗谱(EIS),X射线光电子能谱(XPS),原位和非原位的X射线精细结构能谱(in-situ and ex-situ XAFS)等表征手段研究了无定形氧化铁层的成分和光电化学反应过程中的价态变化,从而分析出光电化学性能提升的原因.间歇光照i-t测试和EIS测试结果表明,无定形氧化铁沉积在BiVO4使电荷累积减少,复合率降低.XPS测试结果发现无定形氧化铁层存在少量的二价铁成分.通过原位XAFS测试发现,BiVO4/FeOx电极中Fe原子的价态在光照和施加外加偏压条件下会有价态的升高,而撤去光照和偏压后Fe原子的价态状态与最初非原位的测试结果重合.这样的结果证明了无定型氧化铁层在光电化学反应过程中由于二价铁成分的存在,能够很好的通过价态改变实现空穴的吸附和传输,即吸附空穴,被空穴氧化成三价或四价,同时结合自身电催化活性,促进表面分解水反应的进行.而水的氧化反应结束时,则伴随着二价铁离子的再生成.这种反应机理为开发更高效的电催化剂,匹配光电极使用,有着重大的指导意义.     

Eu3+掺杂双钙钛矿Sr2CaMoO6橙红色荧光粉的结构特征及其发光性能

采用EDTA-柠檬酸联合配位法制备一系列组成的(Sr1-xEux)2CaMoO6橙红色荧光粉。通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜及荧光光谱研究不同Eu3+离子掺杂浓度下Sr2CaMoO6∶Eu3+荧光粉的晶体结构、掺杂位置、形貌及其光致发光性能。Rietveld全谱拟合结果表明:掺杂后样品为(Ca/Mo)O6八面体少量倾斜的空间群为P21/n的正交双钙钛矿结构,随着Eu3+离子共掺杂浓度的增加,样品的晶胞体积减小;Eu3+离子取代八面体间隙的Sr2+位置致使双钙钛矿的T2g(1)拉曼振动模发生蓝移;在近紫外区宽而强电荷迁移带和蓝光激发下,该荧光粉分别发射以Eu3+离子5D0-7F1磁偶极跃迁为主的橙光和以5D0-7F2电偶极跃迁为主的红光,组成为(Sr0.98Eu0.02)2CaMoO6的荧光粉具有最强的橙红光发射强度,是一种潜在的适用于近紫外LED芯片的光转换红光材料。