钨精矿中三氧化钨的比色测定

通常高含量三氧化钨的测定,多采用差示比色法,根据本矿情况,选择了分取比色法,并进行了酸度、硫氰酸钾、三氯化钛用量等条件试验,应用于钨精矿中三氧化钨的测定,方法简便,快速,含三氧化钨量为0—0.7毫克/25毫升,符合比尔定律。标样分析结果表明,含三氧化钨量在66—85％时,绝对误差在士0.5％以内,可以满足工业分析的要求,分析15个样品,可在2—3小时内完成。分析手续:准确称取0.500克试样于预先熔融有2克氢氧化钠熔剂的铁坩埚中,放入马弗炉     

关于误差方差估计渐近正态收敛速度的上,下界

考虑线性回归模型 Y_■=x_4~′β+e_■ i=1,2,…设误差序列■,i≥1满足条件:e_■ i≥1 i.i.d.,Ee_1=0,Ee_1~2=σ~2>0,∞>Var e_1~2=τ~2>0。记■_n~2=1/(n-r){sum from j=1 to n e■-sum from k=1 to r (sum from j=1 to n a_(akj)■_j)~2} δ(n)=τ~(-2)E(■_1~2-σ~2)~2I_((|■-σ~2|≥■τ)+τ~(-3)n~(1/2)|E(■_1~2-σ~2)~3I_((|■_1~2-σ~2|<(nτ)~(1/2))+τ~(-4)n~(-1)E■_1~2-σ~2)~4I_((|■-σ~2|0使得■|P(■_n~2-σ~2)/(Var■_n~2)~(1/2))≤x)-Φ(x)|≤C(δ(n)+n~(-1/2)) ■|P(■_n~2-σ~2)/(Var■_n~2)~(1/2))≤x)-Φ(x)|+n~(-1/2)≥C_1δ(n)。     

NON－UNIFORM RATES OF CONVERGENCE FOR DOUBLE ARRAYS OF INDEPENDENT RANDOM VARIABLES WITH APPLICATIONS

ＷＡＮＧＱＩＹＩＮＧ（王启应）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１０００８，Ｃｈｉｎａ）（ＴｈｉｓｐｒｏｊｅｃｔｉｓｓｕｐｐｏｒｔｅｄｂｙｔｈｅＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄ...     

酚醛——橡胶型粘合剂

前言粘合剂的用途是非常广泛的,可以用它来粘接金属和非金属的材料。但由于其使用范围和要求的不同,目前已从有机粘合剂发展到半无机的和无机粘合剂。无机粘合剂虽能耐超高温,但由于它本身的脆性和聚合物分子的难溶性,使它在使用上受到了限制。因此在许多工业上有机粘合剂的地位仍然是极其重要     

关于独立和子序列完全收敛性的两个问题

§1 引言及若干引理自从许宝禄和 Robbins 1947年引入完全收敛性的概念以来,这个方向上的问题已被用不同的方式加以研究。Asmussen 和 Katz 于1980年首先讨论了 iid 随机变量部分和的子序列的完全收敛性。随后 Gut 于1985年推进了[2]中的结果,并简化了[2]中的证明,获得了关于一阶矩存在同某类子序列完全收敛的等价性条件.本文意在[3]的基础上,对问题作进一步的深入讨论,并在更广的范围内探讨有关的等价性条件。若非特殊说明,本文总假定{X_i,i≥1}是 iid 的随机变量序列,S_n=sum from (?)=1 to n X_(?),n≥1.C     

负超可加相依样本密度函数核估计的相合性

本文研究负超可加相依样本的密度函数核估计相合性.利用负超可加相依序列的不等式与性质,获得了密度函数核估计的逐点相和性和一致相和性以及r阶矩相和性.     

数学解题教学 启迪学生思维

在数学教学中应把培养学生思维能力作为核心,而培养思维能力的前提是启发学生积极思维,笔者在解题教学中启迪学生积极思维进行了教学实践．     

胍基硅前驱体的合成及应用

以胍基取代的二甲基二氯硅烷与胺基锂反应合成了3种硅基化合物,使用核磁共振、高分辨质谱、元素分析对化合物结构进行了表征,通过热重分析(TGA)研究了化合物的热稳定性、挥发性、蒸汽压等性能。 3种化合物均具有良好的热稳定性及挥发性,无明显热分解过程,固体残留小于1%,接近纯挥发过程,最高蒸汽压在3600~5300 Pa,满足前驱体使用要求。 以二甲基-胍基-甲乙胺基-硅烷为前驱体,采用螺旋波等离子体气相沉积(HWPCVD)工艺制备了硅基薄膜,使用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的化学组成和膜表面结构,XPS分析结果证实该薄膜为Si、N、C组成,实验结果表明,该类胍基硅化合物可作为硅基化学气相沉积(CVD)前驱体材料应用于集成电路制造。     

中国科学院青年创新促进会专辑 前言

正中国科学院青年创新促进会(简称"青促会")是中国科学院对35岁以下的青年科技人才进行综合培养的创新举措,旨在通过有效的组织和支持,团结、凝聚中科院的青年科技工作者,拓宽学术视野,促进相互交流和学科交叉,提升科研活动组织能力,培养、造就新一代学术技术带头人。青促会按学科领域共设有数理科     

勾形磁场对硅单晶CZ生长过程的影响

利用有限元法对勾形磁场环境下硅单晶Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,磁场强度范围为(0～2.0)T.结果表明:勾形磁场可有效抑制熔体内的流动;随着磁场强度增加,熔体内对流逐渐减弱,加热器功率增大,结晶界面温度梯度在磁场强度为0.05T时略有降低,之后增加;结晶界面形状在磁场强度为0.05T和0.1T时向熔体侧弯曲,之后随磁场的增加,变得平坦;同时,熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主;结晶界面平均氧浓度随磁场强度的增加而逐渐降低,当磁场强度高于1.0T时,结晶界面氧浓度会略有上升.