Correlation between Light Emissions from Amorphous-Si：H/SiO2 and nc-Si/SiO2 Multilayers

We investigate the properties of light emission from amorphous-Si：H/SiO2 and nc-Si/SiO2 multilayers （MLs）. The size dependence of light emission is well exhibited when the a-Si：H sublayer thickness is thinner than 4 nm and the interface states are well passlvated by hydrogen. For the nc-Si/Si02 MLs, the oxygen modified interface states and nanocrystalline silicon play a predominant role in the properties of light emission. It is found that the light emission from nc-Si/SiO2 is in agreement with the model of interface state combining with quantum confinement when the size of nc-Si is smaller than 4 nm. The role of hydrogen and oxygen is discussed in detail.     

塑料导爆管在燃烧转爆轰过程中的火焰结构及爆轰波生成机理

本文系统地研究了塑料导爆管从点火起至稳定爆轰时各个阶段的管内的火焰结构及火焰传播速度,分析了爆轰波的生成过程。高速扫描摄影技术证实了塑料导爆管在电火花引爆下确实存在燃烧转爆轰(DDT)过程,并显示出火焰阵面及火焰内部结构的多种变化性。发现,在燃烧阶段有一个暗区存在于火焰之中,并且火焰只是集中在管中心。清楚地观察到管内有气、固二相流动。证实了铝粉的敏化作用。在实验基础上,本文提出了一个比较符合实际情况的DDT模型及爆轰波结构。     

稻壳中乳突状硅质体的提取与表征

利用湿化学法从稻壳中提取了乳突状硅质体，并利用TEM、小角XRD和NMR等手段对其进行了表征。实验结果表明乳突状硅质体是一种由平均粒径为3.6 nm的SiO2纳米粒子组成的非晶介孔材料。氮吸附-脱附测量表明硅质体的BET比表面积为355.9 m2/g， 平均孔径为5.8 nm。     

巴比妥酸与蜜胺衍生物自组装过程中的π-π相互作用

利用电化学、表面光电压、荧光光谱、FTIR和X射线衍射, 研究了5-(-4-十二烷氧基苯乙烯基)-(1H,3H)-2,4,6-嘧啶三酮(PB₁₂)与4-氨基-2,6-二-十二烷基胺基-1,3,5-三嗪(M₁₂)之间的自组装过程. 结果发现, 在室温等摩尔PB₁₂与M₁₂在氯仿中混合后不仅通过三重互补氢键形成氢键超分子, 而且氢键超分子之间通过 π-π 相互作用进行进一步组装. 在氢键超分子之间的组装过程中, π-π相互作用是通过M₁₂的HOMO与PB₁₂的LUMO之间的HOMO-LUMO非定域化作用实现的. 氢键超分子之间PB₁₂与M₁₂交替排列, 形成层间距为0.41 nm的纳米管.     

低温下Ⅲ-Ⅴ族半导体P-N结的V_F-T特性

在4—300K的温区里,对正向恒定电流为10μA的几种GaAs、GaAsP、GaP二极管,进行了正向电压降V_F温度特性的测量.结果表明,低温下这类二极管可用作宽温区的测温探头.D_2管的性能优于其它的二极管.本文对实验结果作了讨论.     

六角氮化硼的氧化特性对立方氮化硼合成的影响

 六角氮化硼的一些性质对立方氮化硼的合成有着重要影响。本文在对三种不同纯度的六角氮化硼进行拉曼光谱、红外光谱、X光衍射光谱对比研究的基础上，进行了高温氧化、掺杂氧化物等项实验研究，讨论了六角氮化硼自身氧化特性以及在高温高压下生成的氧化物对合成立方氮化硼的影响，指出了除结晶程度、杂质含量外，六角氮化硼的氧化特性与立方氮化硼的成核、生长有直接联系。     

低温下P-N结的V_F-T特性

本文讨论了低温下P-N结的正向电压降V_F随温度T变化的特性。对几种硅与砷化镓二极管的V_F-T特性,在4—300K的温区进行了测量。实验与分析表明国产二极管可用作低温宽温区测温探头。对其应用的可能性进行了分析。     

不满足代数微分方程的亚纯函数

本文证明Gamma函数Γ(z)及它与其它函数的复合与组合不满足代数微分方程,并且在某些情况下推广了Bank和Kaufman关于Gamma函数的结果。     

Microwave Response of MgB2/A12O3 Superconducting Thin Films by Microstrip Resonator Technique

Double-sided superconducting MgB2 thin films are deposited onto c-A120a substrates by the hybrid physical chemical vapour deposition method. The microwave response of MgB2/A12O3 is investigated by microstrip resonator technique. A grain-size model is introduced to the theory of microstrip resonators to analyse microwave properties of the films. We obtain effective penetration depth of the films at OK （λe0 = 463nm） and surface resistance （R8 = 1.52 mΩ at 11 K and 8. 73 GHz） by analysing the resonant frequency and unload quality factor of the microstrip resonator, which suggests that the impurities and disorders of grain boundaries of MgB2/A12 Oa result in increasing penetration depth and surface resistance of the films.     

Zn_xCd_(1-x)S∶Ag纳米晶的合成及其光学性质研究

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂,利用共沉淀法制备了水溶性的Ag掺杂的ZnxCd1-xS合金型纳米晶.Ag掺杂后ZnxCd1-xS纳米晶产生新的发射峰,并且发光效率得到了有效提高.通过改变纳米粒子中Zn/Cd比例可有效地调控ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶的吸收带隙宽度,同时可以在425~603 nm之间实现对ZnxCd1-xS∶Ag纳米晶发射峰位的连续调控.