Klein—Gordon方程初边值问题的一个新的守恒差分格式

本文对非线性Ｋｌｅｉｎ－Ｇｏｒｄｏｎ（ＮＫＧ）方程的初边值问题提出了一种新的差分格式，它保持了ＮＫＧ方程初边值问题的能量守恒。证明了该格式的收敛性和稳定性。特别地，由于该格式是完全隐式的，故对求长时解有着重要的作用。数值计算结果表明该方法计算速度快，精度好。     

25基元垂直阵

本文介绍一种用于声源距离和深度定位研究的２５基元垂直阵的设计、结构及其性能。垂直阵全长１２０ｍ，分为三段。工作段长４０ｍ，由２５个弯曲圆片基元组成。基元在１０Ｈｚ至３ｋＨｚ范围内，接收电压灵敏度为—１９２ｄＢ（参考级１Ｖ／μＰａ），起伏≤±１．５ｄＢ；各路基元相位差在５°以内；加速度灵敏度—６０ｄＢ（参考级１Ｖ／ｇ）。该阵已于９２年８月在海上投入使用，取得十分满意的结果。     

任意k紧优、奇异k紧优双环网无限族的构造

双环网 (double loopnetwork)是具有n个结点和出度为2的有向循环图,它是计算机互连网络的一类重要的拓扑结构,已应用于局域网和分布系统的设计中.给定结点数n,如何构造n个结点的具有最小直径的双环网? 这个问题受到广泛的关注. 与此有关的一个久而未决的主要问题是:任意给定k≥0, 是否有所谓k紧优双环网的无限族? 本文证明了: (1) 对于任意给定的k≥0, 可构造其中一个步长为1的k紧优双环网的无限族, 其结点数n(k,e,c)(其中e充分大)是e的2次整系数多项式且系数含有参数c; (2) 对于任意给定的k≥0, 可构造一个奇异k紧优双环网的无限族.     

MgB4O7中Ce^3＋和Mn^2＋的光致发光及其能量传递

本文研究了ＭｇＢ４Ｏ７中Ｃｅ＾３＋，Ｍｎ＾２＋光致发光性质与浓度的关系，并讨论了Ｃｅ＾３＋→Ｍｎ＾２＋能量传递的机理。     

25米~3单砖建筑物应用爆炸减压板保护的爆炸试验

本文介绍了在25米~3单砖建筑物中进行的四次液化石油气-空气混气的爆炸试验。由于建筑物内壁装了爆炸减压板,爆炸最大压力被减低到8千帕之下,建筑物主体结构完好无损。 建筑物内的很多化学操作都含有可燃液体或者可燃气体。当工艺设备出现偶然的破碎时,燃气或者可燃液体的蒸气便能够播散在建筑物内,与空气混合后形成爆炸混合物。为了防止这种可燃混气爆炸对建筑物造成严重破坏,常规方法对建筑物设置泄压面积。文     

ν↓型三能级原子系统中Raman跃迁增强的Kerr非线性效应

在理论上研究了ν↓型三能级原子系统Raman跃迁中的线性和非线性极化率．研究表明：Raman跃迁中，如果原子完全被抽运到与控制光作用的基态时，将导致介质对探针光的线性极化率为零，而三阶非线性极化率不为零．通过减小原子两基态间的无辐射衰减速率γ12，可以极大地增强交叉Kerr非线性效应．     

用于温差发生器的高精度温度测量与控制系统设计

讨论了用于温差发生器的高精度温度测量与控制的设计与实现。采用PT100铂电阻作为温度传感器,详细推导了非平衡电桥测量非线性的校正公式,采用24位的Σ-Δ型的模数转换器AD7714保证了0.005℃的温度测量分辨率。控温电路采用线性化电流方式,算法上对积分分离PID算法做出改良,并与不完全微分PID算法结合形成一种优化PID算法,能快速、精确的把温差稳定到目标值,控温精度达到0.01℃。     

乙炔空气混气的爆炸泄压试验研究

本文给出了在1米~3试验容器内做的乙炔空气混气的爆炸泄压试验结果,并将试验结果和Rasbash公式作了比较,对乙炔站设计的安全性进行了讨论。     

阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMTs器件实验研究

本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果. 实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层, 形成阶梯的AlGaN 外延层结构, 获得浓度分区的沟道2DEG, 使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰, 有效降低栅边缘的高峰电场, 从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布. 实验获得了阈值电压-1.5 V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件. 经过测试, 同样面积的器件击穿电压从传统结构的67 V提高到新结构的106 V, 提高了58%左右; 脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右, 电流崩塌效应得到了一定的缓解.     

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.