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51.
1.研究断裂物理的必要性断裂力学在工程界受到广泛的重视并取得了可喜的成果。在运用之余,人们常常会问:断裂力学中所采用的K_(Ic),J_(Ic),COD这些新的应用力学参量与材料的微观结构(组织、位错、夹杂形态)有什么内在的联系?怎样从材料的组织特征来计算它的强度和韧性,并以此来指导材料的成分配比和生产工艺使它的性能有 相似文献
52.
53.
54.
Cubic boron nitride (c-BN) films are prepared by the radio frequency magnetron sputtering technique. The stresses and crystallinities of the films are estimated by the Fourier transform infrared spectroscopy of c-BN samples, including the peak shifts and varieties of full widths at half maximum. The effects of the B-C-N interlayer and the two-stage deposition method on the c-BN films are investigated. Then the thick and stable c-BN films are prepared by a combination of the two methods. The properties of the interlayer and film are also characterized. 相似文献
55.
本文利用透射电子显微相和电子衍射相对18Ni马氏体时效钢中沉淀强化相和时效结构的结晶学性质进行了研究。利用数个不同晶带的衍射相,一致地鉴别出同时存在Ni3Mo,Ni3Ti沉淀相和弥散的逆转变奥氏体,并且确定了它们相对马氏体基体的取向关系。证明了沉淀相、逆转变奥氏体与基体之间,密排面和密排方向都相互平行。指出在透射电子显微相中看到的魏氏型沉淀结构,实际上是由棒状沉淀相构成的三维空间格条结构,其中棒状沉淀相的长度方向平行于基体的四个〈111〉型方向。所观察到的扩张位错和位错塞积的真实性需要更多的实验证实。从结构观点,讨论了沿位错线的沉淀过程,并提出了钴钼交互作用的可能机制。 相似文献
56.
57.
假设再制造闭环供应链由单个制造商和单个零售商组成,考虑制造商产品回收率、退货率和废旧产品再制造率的不确定性,建立再制造环节废旧产品的最优检测时间、购买时间和闭环供应链最低成本的数学模型.利用回收率、退货率和再制造率计算废旧产品的最优检测和购买的时间间隔,分析再制造环节中双源库存的成本最小化问题.研究表明:再制造环节可降低闭环供应链的双源库存成本,但随着回收率的增加,总成本先下降后增加;在回收率、退货率和再制造率三者共同作用下,最优检测和购买时间间隔的设置可降低双源库存成本,优化资源配置. 相似文献
58.
By employing a multi-walled carbon nanotube (MWCNT) film as the substrate, we obtain Fe tipped carbon nanorods or carbon nanoparticles grown on the outer walls of MWCNTs by combining sputtering deposition of Fe films and rf plasma enhanced chemical vapour deposition at high temperature. Scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy are used to examine the structure of carbon nanorods and carbon nanoparticles. In addition, the formation mechanism is discussed briefly. The electron field emission tests indicate that the turn-on field (at 10μA/cm^2) of the treated MWCNT films decreases from 2.4 V/μm to O. 79 V/μm and the field emission current is relatively stable. The enhanced field enhancement factor, increasing emission densities coming from the grown nanorods and nanoparticles, and H terminated by H plasma a11 are responsible for the enhancement of the field enhancement factor. 相似文献
59.
Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access memory
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This paper implements the study on the Dose Rate Upset effect of
PDSOI SRAM (Partially Depleted Silicon-On-Insulator Static Random
Access Memory) with the Qiangguang-I accelerator in Northwest
Institute of Nuclear Technology. The SRAM (Static Random Access
Memory) chips are developed by the Institute of Microelectronics of
Chinese Academy of Sciences. It uses the full address test mode to
determine the upset mechanisms. Specified address test is taken in
the same time. The test results indicate that the upset threshold of
the PDSOI SRAM is about 1x108Gy(Si)/s. However, there
are few bits upset when the dose rate reaches up to
1.58x109Gy(Si)/s. The SRAM circuit can still work after the
high level γ ray pulse. Finally, the upset mechanism is
determined to be the rail span collapse by comparing the critical
charge with the collected charge after γ ray pulse. The
physical locations of upset cells are plotted in the layout of the
SRAM to investigate the layout defect. Then, some layout
optimizations have been taken to improve the dose rate hardened
performance of the PDSOI SRAM. 相似文献
60.