激光快速成型技术研究

激光快速成型技术由于其广范的应用前景而得到广泛深入研究^1,2,本文重点讨论我们研究所设计的激光快速成型系统的关键技术及其应用新领域逆工程．     

Time-Resolved Photoluminescence Studies of Indium-Rich InGaN Alloys

Time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy has be used to investigate indium-rich InGaN Mloys grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition. Photoluminescence measurement indicates two dominant emission lines originating from phase-separated high- and low-indium-content regions. Temperature and excitation intensity dependence of the two main emission lines in these InGaN alloys have been measured.Temperature and energy dependence of PL decay lifetime show clearly different decay behaviour for the two main lines. Our results show that photo-excited carriers are deeply localized in the high indium regions while photo-excited carriers can be transferred within the low-indium-content regions as well as to high-content regions.     

关于《光谱学与光谱分析》收取审稿费的通知

正尊敬的《光谱学与光谱分析》广大作者、读者同志们,本刊自2006年底采用由"北京玛格泰克科技发展有限公司"开发的投稿系统实现网络采编以来,进一步扩展了审稿专家队伍。本刊参考同类期刊的现行做法,决定自2010年12月1日以后登记的稿件向投稿作者收取审稿费100元/篇,在您投稿之前,为免受经济损失,请您必须考虑:1.没有创新的一般性稿件,请您不要投稿。2.没有国家级基金资助的稿件,请您不要投稿。3.不是光谱专业的稿件,请您不要投稿。     

基于应力敏感的天然裂缝性页岩气藏双孔模型解的结构

针对天然裂缝性页岩气藏,研究了3种外边界条件（无穷大、定压、封闭）及内边界条件下的定产量生产问题,并建立了考虑应力敏感性和解析吸附的不稳定渗流的试井分析模型.先对此模型作线性化处理;然后通过摄动法以及利用Laplace变换,求得线性化后的无因次储层压力的Laplace空间精确解;最后根据解的相似结构理论,给出了求解该模型解结构的步骤,并且定义了3种外边界条件下的相似核函数,发现了此模型在3种外边界条件下精确解之间的相似结构.这项研究不仅为编制试井分析软件提供便利, 提高计算效率,而且对页岩气藏渗流理论的研究具有重要意义,也为页岩气藏渗流模型的求解提供了一种新的方法.     

K,Na掺杂Cu-S纳米晶的水热合成及对结构、性能的影响

利用水热合成技术, 分别以CuCl₂·2H₂O, 硫粉为铜源和硫源, 以KOH或NaOH为矿化剂, 成功合成了Cu₂S纳米晶体和碱金属离子掺杂的KCu₇S₄纳米线和NaCu₅S₃ 微纳米球. 通过X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨率透射电镜 (HRTEM) 对产物的结构和形貌进行了表征和分析. 结果显示: KOH含量低于1g或NaOH低于2g时, 产物为斜方辉铜矿Cu₂S; 高碱含量 (不低于3g) 时, K或Na离子成功掺入产物结构中, K掺杂产物为纯净的四方相KCu₇S₄, 单晶结构, 尺寸均匀, 长度可达几十微米的纳米线; Na掺杂未改变产物的形貌, 形成六方晶系结构的NaCu₅S₃. 产物的形成和生长与反应温度、反应时间和矿化剂密切相关. 并讨论了Cu₂S纳米晶及其掺杂纳米晶的形成机理及掺杂机理. 最后研究了碱金属离子掺杂对产物的光学性能的影响, 漫反射光谱显示Cu₂S, KCu₇S₄和NaCu₅S₃纳米晶的光学带隙分别为1.21eV, 0.49eV和0.42eV, K⁺和Na⁺的掺杂, 极大的改变了产物的光学特性. 关键词： 7S₄')" href="#">KCu₇S₄ 5S₃')" href="#">NaCu₅S₃ 水热法 掺杂     

合采油藏试井分析解的相似结构

针对合采油藏,建立了考虑井筒储集和表皮效应和三种外边界(无穷大,定压,封闭)条件下的试井分析模型;利用Laplace变换,在Laplace空间中得到了储层压力和井底压力分布的精确解;经全面和深入的分析,发现了描述该类油藏在三种外边界条件下的渗流特征的解式之间具有的相似结构,并作了进一步的讨论.这项研究,极大地方便了试井分析软件的编制,对油气藏渗流规律的理论研究也具有深远的意义.     

Spatial Splitting and Intensity Suppression of Four-Wave Mixing in V-Type Three-Level Atomic System

We illustrate our experimental observation of coexisting the controllable spatial splitting and intensity suppression of four-wave mixing （FWM） beam in a V-type three-level atomic system. The peak number and separation distance of the FWM beam are controlled by the intensities and frequencies of the laser beams, as well as atomic density.     

熔盐法制备棒状复合碱土金属铌酸盐

本文采用熔盐法制备了一系列的复合碱土金属铌酸盐样品,并通过SEM和XRD研究了原料Sr/Ba对所得产物的形貌和相组成的影响。结果表明:采用不同的Sr、Ba源,所得产物的形貌不一样,采用SrCl2和Ba(NO3)2时,在1200℃下煅烧4 h可以得到直径和长径比均一的产物。所得产物的尺寸随着Sr/Ba比增加而减小。采用SrCl2和Ba(NO3)2时,所得产物主要为Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78和KBaSrNb5O15,采用其它原料时,除含有Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78和KBaSrNb5O15主相外,还含有其它杂相。     

Competition between Dispersion and Absorption of Doubly-Dressed Four-Wave Mixing and Dressed Six-Wave Mixing

We study the competition between dispersion and absorption of doubly-dressed four-wave mixing （DDFWM） and dressed six-wave mixing. In the case of weak coupling fields limit, we find DDFWM signal is affected by destructive interference between four-wave mixing（FWM） and six-wave mixing as wen as constructive interference between FWM and eight-wave mixing. By analysing the difference between two kinds of doubly dressing mechanisms （parallel cascade and nested cascade） in this opening five-level system, we can further understand the generated high-order nonlinear optical signal dressed by multi-fields.     

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

在实验优化MBE工艺条件的基础上，采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高，AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现，常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程，持续时间分别为0.91，7.7和35.5ms；蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程，持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 关键词： 邻晶面蓝宝石衬底 GaN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性