一维链状二(3-氟苄基)锡二吡啶羧酸配合物的合成、结构及反应机理

一维链状二(3-氟苄基)锡二吡啶羧酸配合物的合成、结构及反应机理;有机锡配合物;吡啶甲酸;合成;晶体结构;生物活性;反应机理     

脉冲光声量热法测量n-C4H9Co(Salen)H2O的Co-C键离解能

By using photoacoustic calorimetry, a photoacoustic measurement system is applied to determine the Co-C bond dissociation energy of n C₄H₉Co(Salen)H₂O, which is 116±8kJ·mol^-1. This value is in agreement with the activation enthalpy of the Co-C bond homolytic cleavage reaction that obtained by the kinetic method.     

荧光纳米粒子Ru(bpy)_3/SiO_2的制备及其应用于蛋白质微阵列芯片检测HIV p24抗原

以三联吡啶钌(Ru(bpy)3)为内核材料,通过反相微乳液法合成了表面带氨基的核壳结构荧光纳米粒子Ru(bpy)3/SiO2,利用透射电子显微镜、荧光光谱、紫外-可见光谱等手段进行表征,并进行了光稳定性、荧光分子泄露与纳米粒子表面氨基测定等实验,结果表明: 所合成的纳米粒子表面带氨基活性基团,每毫克纳米粒子约含385 nmol氨基,纳米粒子呈规则球形,大小均一,单分散性好,平均粒径为(70±6) nm,具有很好的光稳定性.用100 W氙灯在最大发射波长照射90 min后,其荧光强度仅衰减8%;在水溶液中不易发生染料泄露,连续超声1 h后,染料泄露少于0.05%.以合成的纳米粒子作荧光探针标记链霉亲和素后应用于蛋白质微阵列芯片检测HIV p24抗原.结果显示,荧光强度与p24浓度呈良好的正相关性,检出限为3.1 μg/L.本纳米粒子作为新型荧光探针,可应用于高灵敏检测的蛋白质微阵列芯片及荧光免疫分析等系统.     

新型双稀土配合物掺杂的Ag@SiO_2纳米粒子的制备及表征

首先合成配合前驱体对氨基苯甲酸(PABA)-二乙烯三胺五乙酸(DTPA)-3-氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)及双稀土配合物Eu3+/Tb3+-PABA-DTPA-APTMS,然后采用反相微乳液法成功制备出表面带氨基的核壳型稀土配合物Eu3+/Tb3+-PABA-DTPA-APTMS掺杂的Ag@SiO2荧光纳米粒子.利用透射电子显微镜、荧光光谱、紫外-可见光谱等手段进行表征,并进行了光稳定性及氨基测定等实验,结果表明,该纳米粒子中Eu3+与Tb3+在最大发射峰处的荧光强度较Eu3+/Tb3+-PABA-DTPA-APTMS掺杂的没有银核的SiO2荧光纳米粒子分别提高了3.0和3.4倍,所制备的纳米粒子呈规则球状,具有良好的分散性和光稳定性,纳米粒子表面带有氨基,可不需要进行表面修饰而直接与生物分子反应.该纳米粒子有望作为一种新型的稀土荧光探针应用于高灵敏检测的时间分辨荧光免疫分析、生物传感器、生物芯片等.     

有机铋化学近十年的研究进展

铋及其化合物具有相对价廉、低毒性、低放射性等特点,已应用于医药、催化、化妆品和电子技术等领域。本文回顾了近10多年来有机铋化学的研究状况,主要从以下4个方面进行综述：（1）新型有机铋化合物的合成途径与结构特征;（2）有机铋化合物作为交联偶合、氧化、芳基化和其它反应的试剂;（3）作为催化剂;（4）作为生物医药用于溃疡、肿瘤和放射治疗等。文中着重于从分子水平关联新型有机铋化合物的结构与其化学和生物活性之间关系。此外,还介绍了有机铋化学研究领域的不足和今后的发展趋势。     

不同体系下根霉脂肪酶失活动力学模型研究

对根霉脂肪酶储存稳定性(干燥状态)及在水中,甘油微量水中等不同体系的热失活机理进行了研究,并求出了动力学参数.结果表明该酶在不同的外部环境中热失活机理并不一致:干燥酶粉符合一级失活模型,酶水溶液和酶甘油微水溶液却符合两步串联失活机理,而且证实甘油对该脂肪酶的热稳定性有促进作用.     

抑制剂8CA与脂肪细胞脂肪酸结合蛋白(A-FABP)结合模式的分子动力学研究

摘要：脂肪细胞脂肪酸结合蛋白A-FABP(Adipocyte fatty-acid binding protein)是治疗脂质调节生物过程相关疾病的重要靶标. 分子动力学模拟和MM-PBSA方法被采用研究抑制剂8CA与A-FABP结合模式. 研究结果表明静电相互作用和范德华作用驱动了抑制剂8CA与A-FABP的结合。基于残基的能量分解表明抑制剂8CA与R126间的极性相互作用为抑制剂与A-FABP的结合提供了重要贡献. 该残基与8CA的相互作用较好地稳定了抑制剂与A-FABP复合物的稳定性. 我们期望这个研究能为治疗炎症、动脉硬化和代谢病药物设计提供一定的理论指导。     

互感系数M12=M21的证明

从定义、磁能、磁矢势、磁偶极子、自由能5个方面出发分别证明了互感系数M12=M21,并对几种证明方法进行了分析对比,提出了自己的看法.     

Synchronization of different chaotic systems via active radial basis functions sliding mode controller

This paper presents a new method to synchronize different chaotic systems with disturbances via an active radial basis function （RBF） sliding controller. This method incorporates the advantages of active control, neural network and sliding mode control. The main part of the controller is given based on the output of the RBF neural networks and the weights of these single layer networks are tuned on-line based on the sliding mode reaching law. Only several radial basis functions are required for this controller which takes the sliding mode variable as the only input. The proposed controller can make the synchronization error converge to zero quickly and can overcome external disturbances. Analysis of the stability for the controller is carried out based on the Lyapunov stability theorem. Finally, five examples are given to illustrate the robustness and effectiveness of the proposed synchronization control strategy.     

Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy

This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire （0001） substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature （HT） A1N layer and a low-temperature （LT） A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer.