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21.
弱吸收基底上弱吸收薄膜的光学常数计算方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用一种相对简单而又精确的光度法来计算弱吸收基底上弱吸收薄膜的光学常数,为低损耗紫外薄膜的设计与实现提供了理论基础。采用JGS1型熔融石英基底,制备了MgF2与LaF3材料的单层膜,获得了JGS1型熔融石英基底及MgF2与LaF3薄膜的光学常数色散曲线。结果显示:在200 nm左右处,JGS1型熔融石英基底的吸收已经比较明显,消光系数在10-8量级,因此,应考虑基底的弱吸收,以提高薄膜光学常数的计算精度。  相似文献   
22.
分别用CTF和反应堆蒙卡程序RMC对BEAVRS基准题进行全堆精细建模,由RMC统计径向及轴向功率分布并作为CTF的功率输入。利用CTF的区域分解技术,进行BEAVRS全堆pin by pin子通道计算,采用193个核并行计算,耗时268 s,得到了精细的燃料棒中心及表面温度、冷却剂温度及密度、空泡份额、包壳温度等重要参数,验证了CTF进行全堆子通道计算的高效性及可靠性,为实现基于RMC和CTF的核热耦合计算奠定了重要基础。  相似文献   
23.
合成了一例四核化合物{[CuL Pr(NO3)2(H2O)]2}n(I),并通过IR、元素分析、UV-vis光谱、热重分析和单晶X射线衍射进行了表征.该化合物属于P21/n空间群,单斜晶系.晶胞参数:a=1. 216 9 (3),b=1. 248 1(4),c=1. 507 1(4) nm,β=82. 337(2)°,V=2. 288(1) nm3,Z=4,C17H17CuN 4O11Pr,M=657. 80,ρc=1. 909 g/cm3,μ(MoKα)=3. 098 mm-1,F(000)=1 292,GOOF=1. 050,R1=0. 065 2,wR2=0. 191 3,I 2σ(I).在化合物I中,双核片段利用酰胺氧原子得到了一个四核结构.通过硝酸根离子在轴向位置与铜离子配位,得到了一个二维网状化合物.  相似文献   
24.
退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
设计并镀制了193nm Al2O3/MgF2反射膜,对它们在空气中分别进行了250-400℃的高温退火,测量了样品的透射率光谱曲线和绝对反射率光谱曲线.发现样品在高反射区的总的光学损耗随退火温度的升高而下降,而后趋于饱和.采用总积分散射的方法对样品在不同退火温度下的散射损耗进行了分析,发现随着退火温度的升高散射损耗有所增加.因此,总的光学损耗的下降是由于吸收损耗而不是散射损耗起主导作用.对Al2O3材料的单层膜进行了同等条件的退火处理,由它们光学性能的变化推导出它们的折射率和消光系数的变化,从而解释了相应的多层膜光学性能变化的原因.反射膜的反射率在优化联系、镀膜工艺与退火工艺的基础上达98%以上.  相似文献   
25.
The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth.  相似文献   
26.
使用密度泛函第一性原理研究了超导体MgB2单晶各向异性的光学性质.在描述光学性质的基本理论和计算方法的基础上,计算了MgB2的光电导谱、反射谱以及电子能量损失谱,并通过MgB2的各个原子分解态密度图对所得到的反射谱和损失谱的各个谱峰做了详尽地分析.从光电导谱上来看,x方向与z方向有着很大差别,而在反射谱与电子能量损失谱中,x方向与z方向的特征峰位置都是相互符合的.从光导谱来看,沿 关键词: 超导体 电子结构 光学性质  相似文献   
27.
用熔融共混法制备了不同组分的聚苯乙烯(PS)与聚氧化乙烯(PEO)共混物(PS/PEO).在玻璃转变温度Tg及其以上温区,利用相对能量耗散技术研究了该共混物的动力学行为.结果发现,在能量耗散-温度曲线上出现了两个弛豫型的耗散峰(α峰和α′峰).分析表明,α峰是与PS玻璃转变有关的特征耗散峰; α′峰则对应于一种“液-液转变”.两者的弛豫时间τ都不满足Arrhenius关系.此外,还研究了组分对这两个弛豫型耗散峰的影响,并给予了定性的解释. 关键词: 相对能量耗散 玻璃转变 力学弛豫  相似文献   
28.
针对航空胶片冲洗机控制困难表现其电机负载不均匀,低速运行情况下电机震动剧烈.研制了专用的反馈控制系统.以双89C51单片机为核心组成控制电路,编写了系统操作程序和数字PID控制程序.对PID参量对控制系统稳定性的影响进行了分析,得出适应于本系统的PID控制规律,并经过大量的试验,获得了能使各档速度稳定运行下的PID控制参量.实践表明,该控制系统运行稳定可靠,低速控制准确度在3%以内,中高速准确度达到1%.  相似文献   
29.
Laplace-Stieltjes 变换所定义的解析函数的值分布   总被引:2,自引:0,他引:2  
尚丽娜  高宗升 《数学学报》2008,51(5):993-100
分别对右半平面上有限正级与无穷级Laplace-Stieltjes变换的Borel点的存在性进行 了研究, 证明了在一定条件下, 右半平面上$\tau(\tau>1)$级Laplace-Stieltjes变换在虚轴上必有一个 $\tau$级Borel点;$\rho(\frac{1}{\sigma})$级Laplace-Stieltjes变换在虚轴上必有一个无有限例外值的$\rho(\frac{1}{\sigma})$级Borel 点.  相似文献   
30.
本文通过对射流泵汽蚀(空化)过程的三个阶段的分析,指出了射流泵的汽蚀除了与压力有关外,还受湍射流边界层变化特性的影响,全面地阐明了,在汽蚀情况下射流泵吸入流量不变的原因。在上述新概念的基础上,运用流体力学基本理论,结合湍射流特性,导出了较全面的射流泵汽蚀理论方程组及其简化式。利用电子计算机方法求出其数值解,并通过试验进行了验证。  相似文献   
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