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合成了一例四核化合物{[CuL Pr(NO3)2(H2O)]2}n(I),并通过IR、元素分析、UV-vis光谱、热重分析和单晶X射线衍射进行了表征.该化合物属于P21/n空间群,单斜晶系.晶胞参数:a=1. 216 9 (3),b=1. 248 1(4),c=1. 507 1(4) nm,β=82. 337(2)°,V=2. 288(1) nm3,Z=4,C17H17CuN 4O11Pr,M=657. 80,ρc=1. 909 g/cm3,μ(MoKα)=3. 098 mm-1,F(000)=1 292,GOOF=1. 050,R1=0. 065 2,wR2=0. 191 3,I 2σ(I).在化合物I中,双核片段利用酰胺氧原子得到了一个四核结构.通过硝酸根离子在轴向位置与铜离子配位,得到了一个二维网状化合物. 相似文献
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设计并镀制了193nm Al2O3/MgF2反射膜,对它们在空气中分别进行了250-400℃的高温退火,测量了样品的透射率光谱曲线和绝对反射率光谱曲线.发现样品在高反射区的总的光学损耗随退火温度的升高而下降,而后趋于饱和.采用总积分散射的方法对样品在不同退火温度下的散射损耗进行了分析,发现随着退火温度的升高散射损耗有所增加.因此,总的光学损耗的下降是由于吸收损耗而不是散射损耗起主导作用.对Al2O3材料的单层膜进行了同等条件的退火处理,由它们光学性能的变化推导出它们的折射率和消光系数的变化,从而解释了相应的多层膜光学性能变化的原因.反射膜的反射率在优化联系、镀膜工艺与退火工艺的基础上达98%以上. 相似文献
25.
The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth. 相似文献
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用熔融共混法制备了不同组分的聚苯乙烯(PS)与聚氧化乙烯(PEO)共混物(PS/PEO).在玻璃转变温度Tg及其以上温区,利用相对能量耗散技术研究了该共混物的动力学行为.结果发现,在能量耗散-温度曲线上出现了两个弛豫型的耗散峰(α峰和α′峰).分析表明,α峰是与PS玻璃转变有关的特征耗散峰; α′峰则对应于一种“液-液转变”.两者的弛豫时间τ都不满足Arrhenius关系.此外,还研究了组分对这两个弛豫型耗散峰的影响,并给予了定性的解释.
关键词:
相对能量耗散
玻璃转变
力学弛豫 相似文献
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针对航空胶片冲洗机控制困难表现其电机负载不均匀,低速运行情况下电机震动剧烈.研制了专用的反馈控制系统.以双89C51单片机为核心组成控制电路,编写了系统操作程序和数字PID控制程序.对PID参量对控制系统稳定性的影响进行了分析,得出适应于本系统的PID控制规律,并经过大量的试验,获得了能使各档速度稳定运行下的PID控制参量.实践表明,该控制系统运行稳定可靠,低速控制准确度在3%以内,中高速准确度达到1%. 相似文献
29.
Laplace-Stieltjes 变换所定义的解析函数的值分布 总被引:2,自引:0,他引:2
分别对右半平面上有限正级与无穷级Laplace-Stieltjes变换的Borel点的存在性进行
了研究, 证明了在一定条件下, 右半平面上$\tau(\tau>1)$级Laplace-Stieltjes变换在虚轴上必有一个
$\tau$级Borel点;$\rho(\frac{1}{\sigma})$级Laplace-Stieltjes变换在虚轴上必有一个无有限例外值的$\rho(\frac{1}{\sigma})$级Borel
点. 相似文献
30.