Effect of Chemicals on Chemical Mechanical Polishing of Glass Substrates

We investigate the effect of chemicals on chemical mechanical polishing （CMP） of glass substrates. Ceria slurry in an ultra-low concentration of 0.25 wt. % is used and characterized by scanning electron microscopy. Three typical molecules, i.e. acetic acid, citric acid and sodium acrylic polymer, are adopted to investigate the effect on CMP performance in terms of material removal rate （MRR） and surface quality. The addition of sodium acrylic polymer shows the highest MRR as well as the best surface by atomic force microscopy after CMP, while the addition of citric acid shows the worst performance. These results reveal a mechanism that a long-chain molecule without any branches rather than small molecules and common molecules with ramose abundant-electron groups is better for the dispersion of the slurry and thus better for the CMP process.     

守恒型双曲方程的中心差分TVD格式研究

研究了如何利用迎风格式的耗散性构造中心差分ＴＶＤ格式的方法，给 相应的定理，构造出新的耗散表达式。新格式既保留了二阶中心差分格式灵活方便的优点，又吸收了迎风格式耗散项比较精细的特点，同时具有ＴＶＤ性质，使得新格式具有较同的激波分辨率。     

Impact of symmetric gate-recess length on the DC and RF characteristics of InP HEMTs

We fabricated a set of symmetric gate-recess devices with gate length of 70 nm.We kept the source-to-drain spacing(L_SD)unchanged,and obtained a group of devices with gate-recess length(L_recess)from 0.4μm to 0.8μm through process improvement.In order to suppress the influence of the kink effect,we have done SiN_X passivation treatment.The maximum saturation current density(ID_max)and maximum transconductance(g_m,max)increase as L_recess decreases to 0.4μm.At this time,the device shows ID_max=749.6 mA/mm at V_GS=0.2 V,V_DS=1.5 V,and g_m,max=1111 mS/mm at V_GS=?0.35 V,V_DS=1.5 V.Meanwhile,as L_recess increases,it causes parasitic capacitance C_gd and g_d to decrease,making f_max drastically increases.When L_recess=0.8μm,the device shows f_T=188 GHz and f_max=1112 GHz.     

求解浅水波方程的熵相容格式

提出了一种求解浅水波方程组的熵相容格式．在熵稳定通量中添加特征速度差分绝对值的项来抵消解在跨过激波时所产生的熵增,从而实现熵相容．新的数值差分格式具有形式简单、计算效率高、无需添加任何的人工数值粘性的特点．数值算例充分说明了其显著的优点．利用新格式成功地模拟了不同类型溃坝问题的激波、稀疏波传播及溃坝两侧旋涡的形成,是求解浅水波方程组较为理想的方法.     

Simulation of Confined and Interface Phonons Scattering in Terahertz Quantum Cascade Laser

We have performed the calculation of resonant-phonon transition in a terahertz quantum cascade laser. The electron wavefunctions and energy levels are obtained by solving the Schroedinger and Poisson equations selfconsistently. The scattering rates of the confined, interface, and bulk phonons are calculated by using the Fermi golden rule. It has been shown that the confined phonon scattering is comparable to the interface phonon scattering and should be taken into consideration in the calculation.     

超临界CO2在高分子合成与制备中的应用

介绍超临界二氧化碳流体作为介质在高分子合成与制备中的研究进展。文中表明，可在超临界二氧化碳中实施氟代单体的自由基溶液聚合、甲基丙烯酸甲酯的分散聚合、丙烯酸的沉淀聚合、丙烯酰胺的反相乳液聚合以及异丁基乙烯基醚的阳离子聚合等多种聚合反应，可用超临界二氧化碳溶胀聚合法制备梯度共混物。此外，超临界二氧化碳还可用于聚合物分级和聚合物微孔、微纤与微球材料的制备等，显示出超临界二氧化碳是一种对环境无污染且价廉的     

对一系列具有共轭发色团的有机硼喹啉配合物的基态和激发态性质的理论研究

文献合成并研究了一系列发光材料(Ph2Bq-x2) [x2=5,7-dibromo(1); 5,7-diphenyl(2); 5,7-bis(biphenyl-4-yl); 5,7-bis(9,9-dihexylfluoren); q=8-quinolinelate]。结果显示，在强吸收峰处，随着配体共轭链的增长，光谱发生明显红移。这里，用di(p-nitrostyryl) (3) 和 distyryl (4) 来分别取代bis(biphenyl-4-yl) 和 bis(9,9-dihexylfluorenyl)。用密度泛函理论和含时密度泛函理论来研究并比较了四个分子的电子结构和光谱性质。计算结果表明简单的取代基仍然可以产生从1到4的红移。此外，3和4 在吸收峰的位置具有比1和2大的振子强度，这将增加电子从基态到激发态的跃迁几率，较高的向激发态的跃迁几率意味这强的发射强度。     

螺旋共轭化合物及其相对应的多烯及联苯连接合物的结构,？…

用ＡＭ１和ＩＮＤＯ／ＣＩ方法研究了螺旋共轭化合物Ｉ的结构和电子光谱，并在此基础上，用完全态求和公式（ＳＯＳ，自编程序）计算了二阶非线性光学系数βμ，把结果与其对应的多烯及联苯连接的化合物Ⅱ和Ⅲ用同一方法计算得到的结果加以比较，发现螺旋共轭化合物Ⅰ的二阶非线性光学系数βμ虽然小于ⅡⅢ，但其透明性均比化合物Ⅱ和Ⅲ好。     

求解二相LWR交通流模型的低耗散中心迎风格式

将求解双曲型守恒律方程的低耗散中心迎风格式和5阶WENO-ZQ格式相结合,推广应用于求解二相LWR交通流模型方程.并在时间方向上推进采用具有强稳定性的4阶Rung-Kutta方法.最后结合Riemann问题及现实生活所遇到的交通流现象进行设计和分析.通过数值算例证明该格式具较强的稳定性和较高的精度,得到了令人满意的结果.     

B2C3簇的结构和振动光谱的理论研究

用量子化学从头计算方法研究了Ｂ２Ｃ３簇各种可能的空间结构，计算了相应的振动光谱和结合能。对Ｂ２Ｃ３最稳定构型的电子结构进行了深入的分析和讨论。