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本文在很弱的条件下,证明对混合曲率曲面无穷小变形方程的Tricomi问题,存在L2弱解和H1强解。 相似文献
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引言 就范条件F(ζ)≠0、6_0=O分别给出∑的子族∑_0∑';设p≥2为整数,记∑_p、S_P为∑、S中p次对称函数的全体.用M~(-1)表示函数族M之逆函数全体. 相似文献
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一类非经典扩散方程整体解的存在唯一性及长时间行为 总被引:5,自引:0,他引:5
本文讨论非经典扩散方程第一初边值问题整体解的存在唯一性及长时间行为,建立了一系列新的结果,较好地改进许多已有的结论. 相似文献
15.
淳于书泰何绍堂 张启仁何安沈华忠 杨上金杜凤英蔡玉琴 顾元元黄文忠庄秀群 龙永录牟丹岷 郭秦孙永良 杨建国彭翰生温树槐 倪元龙余松玉 顾援周正良 毛楚生王世绩刘凤翘 范滇元王树森 陈万年 《中国科学A辑》1992,35(8):875-879
本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps. 相似文献
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本文通过模拟研究,讨论了最大似然方法和Bayes方法在分析结构方程模型中的相似点和不同之处。 相似文献
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18.
本文给出了在劳动力供给带弹性条件下的So1ow增长模型,给出了经济增长的黄金律和均衡处资本稳定性的证明,并且与不带弹性的Solow模型作了比较. 相似文献
19.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
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