蜡的改性及其乳化

综述了改性蜡的合成和制备乳化蜡的工艺方法,参考文献２５篇。     

半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100 ℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压V_T分别减少了3.53,2.8,2.82 V。     

Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应

为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Co γ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平,分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明：氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复,并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程,而功耗电流的恢复为渐变过程。     

两亲性聚氨基酸三嵌段共聚物构筑pH/溶剂可控多级纳米结构

通过开环聚合(ROP)和原子转移自由基聚合(ATRP)合成了一种pH响应性三嵌段共聚物聚乙二醇-b-聚赖氨酸-b-聚苯乙烯(PEG-b-PLL-b-PS),在水-有机溶剂混合溶液中进行组装,并采用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)和衰减全反射红外光谱法(ATR-IR)表征.该三嵌段共聚物在四氢呋喃(THF)与水的混合溶剂(V∶V=1∶1)中可组装成疏水性聚苯乙烯为核、亲水性聚赖氨酸和聚乙二醇分别为内壳和外壳的球状胶束.采用TEM和AFM发现该球状胶束在四氢呋喃(THF)水溶液中退火7 d后可进一步转变为纤维状结构.进一步除去THF后,可恢复至粒径略小的冻结球状胶束.另外,球状胶束的粒径随着pH的增加而增加,当pH为13时,聚赖氨酸的二级结构由无规卷曲构象过渡到α-螺旋构象,聚集体由球形结构过渡到空心囊泡.溶液经透析后可使囊泡恢复至球状胶束.     

可视化柔性可穿戴传感器研究进展

柔性可穿戴传感器具有轻质、共形性好和生物安全性高等特点,在军事、医疗健康和运动等领域展现出广阔的应用前景。可视化是柔性可穿戴传感器的一个重要发展方向,对于丰富传感器功能和扩展其应用领域具有重要意义。本文综述了近年来可视化柔性可穿戴传感器的研究和应用进展,总结了现有的可视化传感器种类及其作用机理,重点介绍了基于发光或变色进行可视化传感的柔性可穿戴传感器。最后,讨论了可视化柔性可穿戴传感器所面临的机遇和挑战。     

微尺度水凝胶与组织工程

水凝胶已被广泛应用于组织工程、药物控释、生物传感器等生物医学领域。随着微制造技术的发展,在纳微米尺度范围内制备形状和尺寸与自然组织相匹配的工程化水凝胶为解决血管化困难、复杂组织结构模拟、多细胞接种等组织工程难题带来了曙光。本文将主要讨论微尺度水凝胶在组织工程领域的研究现状,重点介绍微尺度水凝胶的合成方法及其在血管化和复杂组织结构模拟方面的应用。     

高浓度F~--Al~(3+)体系的热力学分析及氟的测定

设定了Visual minteq软件F~--Al~(3+)体系的物种及平衡常数。模拟滴定和实验滴定结果的相似性证明了软件设定的合理。对F-(0.01/0.1 mol/L)-Al~(3+)(0.02 mol/L)-OH-体系的模拟和分析表明,当F与Al摩尔比相差大时,体系平衡物种分布不同,OH-掩蔽铝的机理也不同,但是在p H值11~12铝都被成功掩蔽;不同的反应机理导致F与Al摩尔比大的体系模拟和滴定曲线差别较大。进一步模拟得到了此p H值区间的最大可掩蔽铝浓度。考虑OH-对氟离子电极的影响,最终确定高氟(0.01~0.1 mol/L)高铝体系氟的测定条件:控制p H值为(11.5±0.2),不大于0.02 mol/L的铝。误差分析表明,当电势测定误差较大时,标准曲线法比标准加入法误差小。     

影响地表水总氮测定的因素分析

以长江望龙门、寸滩断面水样和嘉陵江磁器口、大溪沟断面水样为测定样品 ,研究了影响总氮测定的因素。结果表明 ,在测定地表水水样时 ,取样自然沉降时间、过硫酸钾溶液的配制与保存、待测水样 p H值和氧化液处理方式是影响总氮测定的主要因素。     

Cu3P辅助诱导Ni2P电荷定向转移和表面重构以获得高效析氧活性

与助催化剂形成异质结,通过调整活性位点的电子结构和电荷输运来提高Ni₂P的电催化活性是一种可行的方法。本文成功构建了一种高效的Cu₃P/Ni₂P异质结催化剂,其中Cu₃P本身仅作为助催化剂,通过调节Ni₂P的电子转移和表面重构来提高电催化活性。结果表明,在10 mA·cm^-2的电流密度下,Cu₃P/Ni₂P具有优异的析氧反应(OER)活性,过电位为213 mV。结合实验结果和理论计算可知,Cu₃P助催化剂可以有效调整Ni中心的电子结构,实现电荷重分布,降低反应能垒,从而显著提高OER催化活性。此外,Cu₃P助催化剂诱导的丰富的晶界和晶格畸变促进了表面重构,形成Ni₅O(OH)₉,为OER提供了有效的活性位点。本工作通过引入助催化剂构建了一种新型异质结电催化剂,为优化过渡金属磷化物的电催化性能提供了一条有效途径。     

CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应

为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。