二茂铁基氨基噻唑类化合物的合成及其抗菌活性研究（英文）

利用溴乙酰基二茂铁为底物,与芳基取代硫脲在回流的乙醇介质中,以三乙胺作为碱,有效进行了Hantzsc反应,合成了一系列结构新颖的二茂铁基取代的氨基噻唑类化合物。选用四种菌株为研究对象,进行了初步的体外抗菌活性实验。结果表明,含有4-甲氧基取代的化合物7d和4-氟取代的化合物7h对革兰氏阳性菌枯草芽孢杆菌和革兰氏阴性菌大肠杆菌表现出很好的抑制活性,其MIC值分别为15.625/15.625μg/mL和15.625/7.8125μg/mL,相当或好于参考药物环丙沙星的活性。     

不同草酸/钙摩尔比条件下草酸钙晶体的生长及对HK-2细胞的毒性

研究了不同草酸/钙(Ox/Ca)摩尔比对Ca Ox晶体在损伤前后的人肾近曲小管上皮细胞(HK-2)表面的生长差异及形成的晶体对细胞的毒性差异.实验结果表明,Ca Ox过饱和溶液对正常细胞和损伤细胞均会产生进一步的损伤,导致细胞活力、溶酶体的完整性和线粒体膜电位降低,而细胞内活性氧(ROS)、细胞骨架的紊乱程度、磷酯酰丝氨酸(PS)外翻比例和骨桥蛋白(OPN)表达量均增加;且随着过饱和溶液中Ox/Ca摩尔比的增加而损伤加重.正常细胞主要诱导二水草酸钙(COD)晶体形成,且COD的含量与Ox/Ca摩尔比成正相关.损伤细胞表面主要生成一水草酸钙(COM),且晶体的数量和聚集程度与Ox/Ca摩尔比成正相关.相比于正常细胞,损伤细胞诱导的晶体棱角更加尖锐,其对细胞的损伤大于棱角圆钝的晶体.实验结果还表明,降低Ca Ox的过饱和度、减小Ox/Ca摩尔比和修复受损伤的肾上皮细胞均有利于抑制Ca Ox结石形成.     

苯并噻嗪衍生物功能化的碳点用于检测银杏叶茶中的槲皮素

以柠檬酸和乙二胺为原料,通过一步水热法合成了表面富含羧基的荧光碳点(CDs),经酰胺化偶联反应将苯并噻嗪衍生物(BT)修饰到CDs表面制得探针CDs-BT.采用透射电子显微镜、X射线光电子能谱、荧光光谱、紫外-可见吸收光谱和红外光谱对CDs-BT的结构和性质进行了表征;并将其用于快速、选择性检测槲皮素(QCT).通过中心复合设计和响应曲面法评估并优化了检测过程中的操作参数,结果表明,在最佳操作条件下,对QCT检测的线性范围为2～22μmol/L,检出限为0.717μmol/L.研究表明, QCT对CDs-BT的荧光猝灭机理为静态猝灭.CDs-BT可用于银杏叶茶中QCT的检测,回收率为97.4%～101.6%.     

晶硅异质结太阳电池表面三层减反膜的设计与分析

晶硅异质结太阳电池表面的减反层是ITO薄膜,其低的紫外透过率、高的近红外光学损耗限制了电池效率的提升。为此,本文设计了三层减反膜来减小ITO薄膜的光学损耗。利用光学薄膜膜系设计软件TFCalc、光线追迹程序(OPAL 2)和太阳电池模拟软件PC1D对三层减反膜的光学性能和相应电池的电学性能进行了模拟和分析,并对折射率色散效应、晶硅表面形貌以及各膜层的厚度容差进行了讨论。结果表明:考虑折射率色散效应的三层减反膜比ITO薄膜的寄生吸收更小,减反射带宽更大;绒面硅表面减反膜比平面硅表面减反膜的加权平均光学损耗降低了2.43个百分点,相应电池的短路电流密度和转换效率分别提高了0.82 mA/cm²和0.34个百分点;减反膜中低折射率的SiO_x膜层具有更大的厚度容差范围。     

绘画用品与儿童健康

介绍了油画棒、水彩笔等绘画用品中的有毒物质及其对儿童健康造成的危害。     

氯诺昔康与中性及电荷型β-环糊精衍生物的包合作用

采用溶解度法研究了不同pH值下氯诺昔康与中性及电荷型β-环糊精衍生物的包合作用．结果表明,氯诺昔康与3种环糊精都形成了1：1的包合物．以包合常数作为包合作用的量度,在酸性和中性条件下包合能力较碱性强,其中磺丁醚-β-环糊精（SBE移CD）在酸性条件下包合常数最大．电荷型伊环糊精除了通常的疏水作用力为主客体间包合驱动力外,还存在额外的静电包合作用力．     

干涉型红外光谱辐射计仪器线型函数仿真及校正

针对大口径干涉型红外光谱辐射计,分析了不平行于主光轴的入射光,对理想仪器线型函数的影响.本文系统介绍了对仪器线型函数产生影响的截断效应、有限视场效应、离轴效应和离焦效应,并通过HITRAN数据库对理想的水汽吸收光谱进行仿真,建立了仪器线型函数误差与光谱畸变的定量关系.根据仿真结果,提出了因子权重校正算法.利用水汽吸收的仿真数据对因子权重校正算法进行验证,光谱漂移从0.51 cm–1降低到0.01 cm–1以下.通过自研干涉型红外光谱辐射计对标准黑体的观测实验,验证因子权重校正算法的准确性,实测数据的光谱漂移从0.226 cm–1降低到0.012 cm–1,校正后的光谱数据更为准确.     

Chalcogenide Perovskite YScS_3 as a Potential p-Type Transparent Conducting Material

Transparent conducting materials(TCMs) have been widely used in optoelectronic applications such as touchscreens,flat panel displays and thin film solar cells.These applications of TCMs are currently dominated by n-type doped oxides.High-performance p-type TCMs are still lacking due to their low hole mobility or p-type doping bottleneck,which impedes efficient device design and novel applications such as transparent electronics.Here,based on first-principles calculations,we propose chalcogenide ...     

取向角对小角度非对称倾斜晶界位错运动影响的晶体相场模拟

采用晶体相场法模拟纳米尺度下小角度非对称倾斜晶界结构和位错运动,从外应力作用下晶界位错运动位置变化和晶体体系自由能变化角度,分析取向角对小角度非对称倾斜晶界结构和晶界位错运动的影响规律.研究表明,不同取向角下组成小角度非对称倾斜晶界的位错对类型相同.随取向角增大晶界位错对增加,且晶界更易形成n1n2型和n4n5型位错对.外应力作用下,不同取向角晶界位错对初始运动状态均沿晶界进行攀移运动,随体系能量积累,取向角越大出现晶界位错对分解的个数越多,且均为n1n2型和n4n5型位错对发生分解反应.不同取向角下小角度非对称倾斜晶界体系自由能曲线都存在四个阶段,分别对应位错对攀移、位错对滑移及分解、位错对反应抵消形成单晶和体系吸收能量自由能上升过程.进一步对比发现随取向角增大,晶界湮没形成的单晶体系所需时间增加.     

阴离子聚合教学中几个难点的解析

阴离子聚合是高分子化学教学中的重要内容,正确理解阴离子聚合的有关概念,掌握利用活性阴离子聚合的机理特征处理阴离子聚合动力学,对阴离子聚合的学习十分有益.本文针对阴离子聚合中烯类单体结构特点、阴离子引发剂与单体匹配本质、活性阴离子聚合动力学中聚合速率、聚合度及聚合度分布等重难点内容作了较深入的分析,其中利用单体成键概率p...