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141.
内部孔隙影响着药片的崩解特性,进而影响药效的发挥,但目前鲜有关于药片孔隙率有效检测手段的报道。基于太赫兹脉冲的飞行时间测量原理,利用太赫兹时域光谱技术研究了微晶纤维素和吲哚美辛混合片剂的孔隙率与折射率、吲哚美辛质量分数之间的定量关系;建立了三者关系的数学计算模型,通过实际测试固体样品片剂的太赫兹时域光谱,计算了片剂的孔隙率、折射率。结果表明:片剂的孔隙率与折射率、不同成分质量分数间存在线性关系,与建立的数学计算模型相符。利用太赫兹光谱法测得的孔隙率与采用气体置换法测量的孔隙率的平均相对误差为6.0%,与采用密度法计算的孔隙率的平均相对误差为8.9%,表明利用太赫兹光谱法测量片剂孔隙率具有可行性,能够成为药物片剂质量监测的补充手段。 相似文献
142.
两种非晶碳化硅薄膜发光二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了讨论。 相似文献
143.
本文给出利用光泵磁共振曲线测量氢原子密度的实验.在我们的实验中,当射频源放电功率一定时,在25~61℃的泡温范围内测量到9.2×1011~1.6×1011(原子/厘米3)的氢原子密度.实验结果表明,当放电功率一定时,氢原子密度随泡温升高而下降. 相似文献
144.
145.
Disentangling the Effects of Thickness of the Neutron Skin and Symmetry Potential in Nucleon Induced Reactions on Sn Isotopes 下载免费PDF全文
The effects of density dependence of symmetry energy and the thickness of the neutron skin in proton (neutron) induced reactions on Sn isotopes are investigated by means of the improved molecular dynamics model. The investigation shows that the target size dependence of the reaction cross sections for proton induced reactions on Sn isotopes is sensitive to the density dependence of the symmetry energy and less sensitive to the thickness of the neutron skin of the target nuclei, but that, for neutron induced reactions on Sn isotopes, it is less sensitive to the density dependence of the symmetry energy and sensitive to the thickness of the neutron skin of the target nucleus. 相似文献
146.
基于复合泊松过程战略石油储备天数的概率模型及其应用 总被引:4,自引:0,他引:4
为了明确国家或地区战略石油储备天数,在分析世界发生石油生产中断的历史数据的基础上,建立了战略石油储备天数的复合泊松过程的概率模型。把模型计算结果与国际能源机构确定的经合组织石油储备天数的标准及其实际石油储备数据进行对比分析,发现该模型具有相当的合理性,可以作为指导国家或地区进行战略石油储备的理论依据。 相似文献
147.
148.
Research on the boron contamination at the p/i interface of microcrystalline silicon solar cells deposited in a single PECVD chamber 下载免费PDF全文
This paper studies boron contamination at the interface between the
p and i layers of μ c-Si:H solar cells deposited in a
single-chamber PECVD system. The boron depth profile in the i layer
was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy. It is found that
the mixed-phase μ c-Si:H materials with 40% crystalline
volume fraction is easy to be affected by the residual boron in the
reactor. The experimental results showed that a 500-nm thick μ
c-Si:H covering layer or a 30-seconds of hydrogen plasma treatment
can effectively reduce the boron contamination at the p/i interface.
However, from viewpoint of cost reduction, the hydrogen plasma
treatment is desirable for solar cell manufacture because the
substrate is not moved during the hydrogen plasma treatment. 相似文献
149.
150.