两种溴代水杨醛基单双Schiff碱衍生物的合成及变色发光性能研究

以3,5-二溴-2-羟基苯甲醛和1,2-二氨基乙烷、3-氨基苯甲酸为原料,合成了两种化合物N,N'-双3,5-二溴-2-羟基苯甲醛缩1,2-二氨基乙烷(DBSE)和N-3,5-二溴-2-羟基苯甲醛缩3-氨基苯甲酸(DBSA)。利用核磁共振氢谱、质谱、红外光谱和元素分析对目标化合物的结构进行了表征,通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱测定了其发光性能,另外通过TG-DTG测定了其热稳定性能。结果表明:目标化合物DBSE为蓝绿光发射,DBSA为紫色光发射;目标化合物的热分解温度均达260℃以上,具有良好的热稳定性;在254 nm紫外光照射不同时间下、不同的温度下、不同的极性溶剂中、不同浓度的Co2+离子滴定的情况中,目标化合物均表现出了一定的变色发光性能,整体来看DBSE的光致变色性能优于DBSA,而热致变色性能DBSA优于DBSE。     

中空分级结构Fe3O4@C/rGO复合材料的合成及其储锂性能

以氧化石墨烯(GO)为基底,Fe(NO_3)_3·9H_2O、异丙醇、甘油为原料,通过溶剂热法和后续热处理过程2步合成了Fe_3O_4@C/rGO复合材料,实现了碳包覆的Fe_3O_4纳米粒子自组装形成的分级结构空心球在氧化石墨烯片上的原位生长。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和恒流充放电等手段分析了材料的物理化学性能与储锂性能。结果表明,该复合材料在5.0 A·g~(-1)的电流密度下,仍有437.7 mAh·g~(-1)的可逆容量,在1.0 A·g~(-1)下循环200圈后还有587.3 mAh·g~(-1)的放电比容量。这主要归因于还原态氧化石墨烯(rGO)对碳包覆Fe_3O_4分级空心球整体结构稳定性和导电性的提高。     

SiO_x∶H(0

采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．     

飞秒激光作用下3-甲基吡啶的多光子电离质谱研究

利用800 nm的飞秒激光作为光源对3-甲基吡啶分子进行了多光子电离解离过程和机制的研究,发现3-甲基吡啶为先电离后解离,并分析了可能的解离通道.在B3LYP/6-311G++(d,p)水平下,计算了各个解离通道所需的能量,与我们实验所得的各离子的光强指数符合较好.     

532nm激光作用下甲基异丙基酮的电离解离研究

在532 nm激光波长下,利用时间飞行质谱（TOF-MS）对甲基异丙基酮的多光子电离解离机制进行了研究。实验结果显示,母体分子首先发生 断裂并且吸收（2+2）个光子到达离子态。主要的质谱峰 , , 等在质谱图中清晰可见。结合Guassian03,运用HF/ 3-21G 、CIS/ 3-21G对基态和激发态的构型进行了优化和频率计算,发现激发态的碳氧键变为介于碳氧单键和双键之间特殊键,并用QST2方法找到了其中的过渡态,对三个状态的几何结构参数进行了分析得出了其解离过程是 键断裂和基团构象转化协同进行的结论。     

“111”铁基超导体系的发现及压力效应研究

2008年发现的铁基超导体引发了全球超导研究的热潮。在本研究小组发现的铁基“111”体系的基础上,重点介绍“111”体系铁基超导体的压力效应,包括:“111”体系的3个组元LiFeAs、LiFeP、NaFeAs的超导转变随压力的演化;运用压力调控,获得“111”体系的最高超导转变温度;结合同步辐射技术,发现压力调控的“111”型铁基超导体的等结构演化以及对超导起关键作用的As-Fe-As键长和键角与超导转变温度的关联。     

带回热器的跨临界CO2两相流引射制冷系统性能实验研究

对带和不带回热器(IHX)的跨临界二氧化碳两相引射制冷系统进行了实验研究,主要分析了回热器、实验工况、引射器尺寸参数对系统性能的影响。结果表明:对于固定的气冷器出口温度、不同的气冷器压力工况,回热器的使用可使系统制冷量提高0.85%-8.60%,COP提高0.88%-11.7%;对于固定的气冷器压力,在不同的气冷器出口温度条件下,其制冷量可提高1.14%-2.92%,COP可提高0.99%-2.75%;在气冷器压力较低及出口温度较高的工况条件下,回热器对系统性能影响较大,系统COP及制冷量的最大改善均发生在上述工况条件下;喷嘴直径与引射器混合室长度之间存在一个最优匹配,两者的最优匹配能使系统COP大大提高。     

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶-纳米晶两相结构硅薄膜.薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高；光敏性也较好，光、暗电导比可以达到１０⁴，此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应.更为重要 的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜，在光强为５０ｍW／ｃｍ²的卤钨灯光 照２４h后，光电导的衰退小于１０％.这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在 光学跃迁中的动量选择定则发生松弛，因而具有大的光学吸收系数和 关键词： 非晶硅 微结构 光致变化     

空间两点间的距离公式的灵活应用

空间两点间的距离公式是解析几何中的一个重要内容,它的应用较为广泛,灵活巧妙地应用它,可以使一些较为困难的数学问题得以比较简捷地解决.本文灵活应用空间两点间的距离公式进行求解,与读者共赏.     

大冷量气体轴承斯特林制冷机与杜瓦耦合漏热分析

对大冷量气体轴承斯特林制冷机及其与杜瓦耦合方式进行了论述,对插拔式杜瓦耦合漏热损失进行了理论计算及试验分析,结果表明,插拔式杜瓦耦合损失为76.1%,制冷量仅有2 W@80 K。经分析可知,制冷机冷指与杜瓦内胆之间产生的环隙漏热是影响耦合性能的主要因素,通过对环隙采用真空密封方式和减小环隙引起的漏热损失,耦合损失降至16.5%,制冷量提升至7 W@80 K。该耦合方式简单可靠,易于操作,满足制冷机可拆卸更换和维修的工程化需求。