间隔序列与拟对称映射

本文研究了欧式空间上拟对称映射的不变量问题,利用定义集合间隔序列的方法,获得了一个新的d-维拟对称映射的不变量,深化了Lipschitz不变量研究中类似的结果.     

有限初始能量的相对论欧拉方程组光滑解的爆破

在初始资料的某些限制下证明有限初始能量的相对论欧拉方程组柯西问题光滑解的爆破.该文的爆破条件不需要初始资料具有紧支集,部分补充了Pan和Smoller的经典爆破结果(2006).     

N-(安替比林-4-基)-N'-取代芳甲酰基硫脲的合成及其生物活性

合成了12个含安替比林基的取代芳甲酰基硫脲类化合物,用1H NMR,IR和元素分析确证了它们的结构,并进行了室内生物活性测试.生测实验证明部分酰基硫脲类化合物,比如N-(安替比林-4-基)-N'-m(或o)-甲苯甲酰基硫脲,N-(安替比林-4-基)-N-o-硝基苯甲酰基硫脲,N-(安替比林-4-基)-N'-m(或p)-氯苯甲酰基硫脲,具有一定的细胞分裂素活性.     

诺平糖浆口服液中核黄素-5-磷酸钠的稳定性研究

建立了复方制剂诺平糖浆口服液中核黄素 5 磷酸钠的反相离子对高效液相色谱分析方法,并对复方制剂中核黄素 5 磷酸钠的稳定性进行了研究。核黄素 5 磷酸钠在8.0～320μg/mL范围内呈良好的线性,RSD为1.2%(n=6),检出限为5ng,平均加样回收率为96.9±1.78%(n=9)。方法准确、灵敏、操作简单、重现性好,降解产物对测定无干扰,可对复方制剂中核黄素 5 磷酸钠的降解产物进行有效监控。     

N-(4-安替比林基)-N′-芳氧乙酰基硫脲的合成及其生物活性

酰基硫脲类化合物因其具有杀虫、抗病毒、抗真菌、除草及植物生长调节等广泛生物活性而倍受关注.我们曾合成一系列含氮杂环的芳酰基脲及硫脲,发现其中某些化合物具有优良的植物生长调节活性.在此基础上,本将4-氨基安替吡啉与芳氧乙酰基异硫氰酸酯反应,合成出7个新的含安替比林基的芳氧乙酰基硫脲,测试了它们的植物生长调节活性.     

用气相色谱-原子发射光谱法检测VX、Bz及其降解产物

应用气相色谱－原子发射光谱（ＧＣ－ＡＥＤ）同时检测Ｓ－（２－二异丙基氨乙基）甲基硫直膦酸乙酯（ＶＸ）、二苯羟乙酸－３－喹咛环酯（ＢＺ）战剂及其降解产物等５种化合物,得取了Ｃ、Ｈ、Ｓ、Ｎ、Ｏ、Ｐ６种元素色谱图,通过选择合适的检测元素,其检出限ＶＸ为１５．６ｍｇ／Ｌ,Ｂｚ为１６．７９ｍｇ／Ｌ,二异基氨基乙太醇为３．０２ｍｇ／Ｌ,３－羟基喹咛为２８．４０ｍｇ／Ｌ,二苯羟乙酸甲酯为３１．７８ｍｇ／Ｌ,定量     

高效毛细管电泳法拆分芳香醇类化合物的研究

以磺化的环糊精为手性选择剂,采用毛细管电泳法对10种结构相近的芳香醇类化合物进行了手性拆分的研究.分离过程通过11次实验分别建立了10种手性醇对映体分离度的目标函数,考察了3个主要因素（溶液的pH、分离电压和手性选择剂浓度）对分离效率的影响.从分离度响应曲面图可得到最佳的分离条件,在选定的优化条件下,10种手性芳香醇在10 min内均得到了满意的拆分效果.     

两个基于三嗪衍生物和主族金属的一维配位聚合物

本文作者采用2-羟基-4,6-二(2-吡啶基)-1,3,5-三嗪在室温下分别与氯化钠和氯化钙反应,得到了2种配合物[Na(OBPT)(H2O)].2H2O(1)和[Ca(OBPT)(H2O)2Cl].H2O(2),并通过元素分析、红外、热重分析、粉末衍射和单晶衍射等方法对其结构进行了表征。单晶结构表明化合物1属于正交晶系的Pbca空间群,化合物2属于三斜晶系的P1空间群。2个化合物都是一维链状结构,配体作为桥连配体采用三齿螯合和单齿配位的模式与2个金属配位。其中,化合物1中相邻2个配体的三嗪环几乎垂直,而化合物2中相邻2个配体的三嗪环则基本是共面的。     

电沉积技术制作高聚物微流控芯片模具

利用电沉积技术制作微流控芯片金属模具,方法是:使用新型超厚光刻胶SU8胶作近紫外光刻,并在光刻后的图案上电沉积金属Ni,之后去胶,最终获得金属模具.该法减小了电沉积工作量.采用反向电流预处理基底、并适当增加电铸液的添加剂以及脱模后真空退火,即可明显提高电沉积微结构与基底的结合力.用此金属模具成功热压了PMMA,制成了微流控芯片.     

大晶粒多晶硅铸锭生长的热场设计与模拟

为了生长大晶粒的多晶硅铸锭,晶体从形核到后续生长的热场环境控制至关重要.本文首先在侧加热器与散热块之间加一可移动的隔热环.通过向上移动隔热环,并在底部喷射氩气冷却,对生长工艺进行优化控制.然后利用数值模拟,对改进后的生长界面形状、晶体和熔体中的等温线、晶体和熔体的轴向温度分布以及冷却量对生长环境的影响进行分析.模拟结果表明:冷却速率的最佳值在5 ～ 15 W/m2之间,且优化后的晶体和熔体中等温线更平坦,晶体轴向温度梯度增大约1.72 K/cm,从而可有效地避免侧壁形核,促进大晶粒的生长,同时提高了生长速率.