改进Q2–重标度模型与部分子分布函数的核效应

针对原有的Q²-重标度模型中存在的问题,提出了改进的Q²-重标度模型,利用核动量守恒条件,采取对价夸克、海夸克、胶子进行不同的Q²-重标度来描述束缚核子内部分子动量分布. 利用改进的Q²-重标度模型所得到的束缚核子内部分子分布函数,对轻子-核深度非弹性散射过程,核Drell-Yan过程及J/ψ光生过程均给出较满意的解释.     

ZDF—50高速摄影机在野外大视场的应用

ZDF-50型摄影机用几万到十几万幅/秒的摄影频率,在野外大视区,由光源在远距离照射时拍摄高速运动目标及其瞬逝过程的布站情况及主要测试参数的计算。 有效视场=目标速度v_0×拍摄时间t。 摄影频率应满足: 有效拍摄视场大于瞬逝过程及事件前后所需要的视场。     

电荷能和热涨落对Josephson隧道结的位相相干性的影响

对Josephson隧道结,如果氧化层的厚度为20(?)左右,电荷能与Joscphscm耦合能相比可略去不计。随着氧化层厚度的增大,电荷能变得可与耦合能相比,不能略去不计。本文讨论电荷能和热涨落对隧道结性能的影响,给出两者同时发生作用从而破坏隧道结两侧位相相干性的临界条件。我们既从能量角度,又从位相差的均方偏差的角度出发,给出两个等价的位相相干性被破坏的临界条件。     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

轴流式射频PCVD沉积质量分布的动力学分析

在用静电探针诊断了轴流式射频等离子体激活化学汽相沉积(PCVD)反应器中等离子体电子温度、电子密度轴向分布的基础上,提出与主要工艺参数相联系的二元流体动力学模型。以等离子体参量的轴向分布和变化规律为中介量,从动力学的角度分析主要工艺参数影响PCVD沉积质量分布的规律。将模型用于沉积SnO₂薄膜的过程,理论计算与实验结果符合较好。 关键词：     

物理实验课程体系之我见

自国家教委确定物理实验独立设课以来,探索和建立其课程体系已成为该课程建设的一个重要课题。传统的“菜谱式”的教材,适合于将物理实验作为物理理论课的辅助教学手段时期,实践证明在配合理论教学中它的确起过一定的作用。但是当它现在已成为高等院校的一门独立必修基础课程时,我们感到再沿袭那种“菜谱式”的教学方案,会显得陈旧而落伍。因为物理实验的独立设课意     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

Yetter-Drinfel'd范畴中辫化余交换余代数

本文研究与Ｈｏｐｆ代数Ｈ关联之ＹｅｔｅｒＤｒｉｎｆｅｌ’ｄ范畴ＹＨＤ中的辫化余交换余代数Ｃ，证明ＨＹＤ中左Ｃ－余模范畴ＨＹＤ是张量范畴，且ＨＹＤ中辫结构Ψ诱导ＣＨＹＤ中一辫结构当且仅当对ＣＨＤＹ中任意对象Ｎ有ΨＮ，ＣΨＣ，ＮＣΓＮ＝ＣＹＤΓＮ；由此导致新的辫化张量范畴．     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.