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21.
抛物线的分解夏新桥(广州市第44中学510655)从抛物线的方程y=ax2+bx+c以及图象的叠加原理我们可以知道:一条直线和一条抛物线,或者两条抛物线,都可以“合成”一条新的抛物线;反过来,对一条抛物线也可以做相应的“分解”.在解题时巧用抛物线的分...  相似文献   
22.
采用另加偏压的单阴极弧氦放电直线等离子体装置对氦等离子体的基本特性进行了研究。对氦轴向输运规律做了描述并与光谱测量数据做了定性地比较。实验结果表明,氦等离子体的电子温度与电子密度均随放电电流、约束磁场的增加而增加。氦原子与氦离子的辐射光谱随放电电流、偏压、磁场的变化规律进行了测量分析,同时氦离子对钨靶积分辐照效应进行了观察。这些结果不但提供了氦等离子体的基本特性,对于研究氦离子与面向等离子材料相互作用导致产生气泡、肿胀、脆化损伤等的评估,特别是对将来伴有(n, α)反应时具有一定的参考价值。  相似文献   
23.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E11N.当N掺杂浓度达到 关键词: 压电调制反射光谱(PzR) xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜 分子束外延(MBE)  相似文献   
24.
采用溶胶凝胶法制备了Y_4Zr_3O_(12)∶Eu~(3+)纳米荧光粉,分别采用XRD、TEM和荧光光谱仪对样品的结构、形貌和发光性能进行了表征,探讨了烧结温度和Eu~(3+)掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。结果表明,样品可以被394 nm和467 nm的激发光有效激发。样品的最佳烧结温度和Eu~(3+)离子的最佳掺杂摩尔分数分别为1 400℃和18%。浓度猝灭主要归因于电偶极-电偶极相互作用。  相似文献   
25.
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.  相似文献   
26.
A protocol for three-party quantum secure direct communication based on Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) states was recently proposed by 3in et al. [Phys. Lett. A 354 (2006) 67] By analysing the protocol we find some security loopholes, e.g. one bit of secret messages of a party (Alice in the original paper) can always be leaked straight to the public without any eavesdropping. These problems suggested previously are discussed and possible solutions are presented to improve the security of the original protocol.  相似文献   
27.
We demonstrate the guiding of a supersonic heavy-water (D2O) molecular beam using a hollow electrostatic field generated by the combination of two parallel charged-wires and two grounded metal-plates, and report some new and preliminary experimental results. In the experiment, we detect the guiding signals by using the method of time-of-flight mass spectrum and study the dependence of the relative transmission of the beam guide on the guiding voltage. Our study shows that the relative transmission of the beam guide is increased linearly with increasing guiding voltage Vguid, and the number of the guided D20 molecules is at least increased by 89.4% when the guiding voltage is +20.0k V. Finally, some potential applications of our guiding scheme in the molecule optics are briefly discussed.  相似文献   
28.
自旋电子学和相干态   总被引:1,自引:0,他引:1  
夏建白  常凯 《物理》2001,30(9):533-538
自旋电子学是近年来发展起来的一个新研究领域,它研究固体,特别是半导体中的电子自旋相干态,实验发现,自旋相干态能够保持足够长的时间(几百ps量级),因此有可能用来制造一个固态的量子计算机,但是制造实际的自旋电子器件,首先需要解决的是将自旋极化电子(或穴穴)注入半导体中的方法和如何检测它们。  相似文献   
29.
With the local density approximation, the band structares of the short-period (GaAs)1(AlAs)1 and (GaAs)2(AlAs)1 superlattices are calculated by using the first-principle self-consistent pseudopotential method. The results show that the (GaAs)1(AlAs)1 superlattice is an indirect semiconductor, and the lowest conduction band state is at point R in the Brillouin zone; the (GaAs)2(AlAs)1 superlattice is a direct semiconductor and the lowest conduction band state is at point Γ. The squared matrix elements of transition are calculated. The pressure coefficients of energy gaps of the (GaAs)1(AlAs)1 and (GaAs)2(AlAs)1 superlattices are calculated and compared with those obtained by hydrostatic pressure experiments.  相似文献   
30.
强光场中原子的电离速率   总被引:2,自引:1,他引:2  
卢兴发  陈德应  夏元钦  王骐 《光学学报》1999,19(8):014-1018
以静态场隧道电离为基础,在准静态近似的条件下,对描述强光场中原子及其各阶离子电离的电离速率进行了较为系统的总结,纠正了早期对隧道电离的电离速率公式进行讨论并且后来的计算中被广泛引用的文献「10」中公式的错误,地部分稀有气体原子及其各了子在线偏振、圆偏振强光场中的了速度及相应的阈值光强进行了比较。  相似文献   
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