全文获取类型
收费全文 | 1259篇 |
免费 | 495篇 |
国内免费 | 441篇 |
专业分类
化学 | 760篇 |
晶体学 | 18篇 |
力学 | 155篇 |
综合类 | 27篇 |
数学 | 234篇 |
物理学 | 1001篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 51篇 |
2022年 | 46篇 |
2021年 | 38篇 |
2020年 | 27篇 |
2019年 | 26篇 |
2018年 | 34篇 |
2017年 | 32篇 |
2016年 | 25篇 |
2015年 | 55篇 |
2014年 | 79篇 |
2013年 | 86篇 |
2012年 | 91篇 |
2011年 | 95篇 |
2010年 | 91篇 |
2009年 | 97篇 |
2008年 | 107篇 |
2007年 | 89篇 |
2006年 | 110篇 |
2005年 | 86篇 |
2004年 | 89篇 |
2003年 | 65篇 |
2002年 | 45篇 |
2001年 | 60篇 |
2000年 | 73篇 |
1999年 | 78篇 |
1998年 | 63篇 |
1997年 | 46篇 |
1996年 | 42篇 |
1995年 | 35篇 |
1994年 | 51篇 |
1993年 | 38篇 |
1992年 | 39篇 |
1991年 | 34篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 29篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 7篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 3篇 |
1964年 | 2篇 |
1961年 | 3篇 |
1959年 | 3篇 |
1956年 | 2篇 |
排序方式: 共有2195条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
82.
83.
84.
85.
利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级方法系统地计算了高剥离类钠离子3s2S—3d2D(Z=14~103)电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔,跃迁几率和振子强度,计算中考虑了核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,计算结果表明:高原子序数的高荷电离子的电四极矩E2光谱跃迁的跃迁几率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MCF高温高密度激光等离子体中,电四极矩E2光谱跃迁过程不容被忽视。 相似文献
86.
87.
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。 相似文献
88.
采用直流磁控溅射法制备自支撑锆(Zr)膜,采用二步法制备聚酰亚胺(PI)膜,在Zr膜表面沉积PI膜得到自支撑PI/Zr复合膜。均苯四甲酸酐(PMDA)和二甲基二苯醚(ODA)在二甲基乙酰胺(DMAC)中反应得到聚酰胺酸(PAA),然后PAA高温亚胺化得到PI;PI成膜时采用提拉法成膜。经国家同步辐射实验室计量线站测定,实际测量结果与理论分析一致,PI膜的引入虽然会导致自支撑薄膜透过率有所下降,但在类镍-银软X射线13.9 nm波段PI(200 nm)/Zr(300 nm)和PI(200 nm)/Zr(400 nm)自支撑薄膜的透过率仍然分别达到14.9%和7.5%。 相似文献
89.
90.