全文获取类型
收费全文 | 279篇 |
免费 | 142篇 |
国内免费 | 93篇 |
专业分类
化学 | 114篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 65篇 |
综合类 | 5篇 |
数学 | 37篇 |
物理学 | 292篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 7篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 13篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 10篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 23篇 |
2013年 | 26篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 14篇 |
2010年 | 22篇 |
2009年 | 19篇 |
2008年 | 15篇 |
2007年 | 20篇 |
2006年 | 27篇 |
2005年 | 25篇 |
2004年 | 26篇 |
2003年 | 25篇 |
2002年 | 20篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 22篇 |
1999年 | 14篇 |
1998年 | 21篇 |
1997年 | 10篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 15篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 9篇 |
1990年 | 9篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 8篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
排序方式: 共有514条查询结果,搜索用时 15 毫秒
441.
442.
443.
平面圆电流在远处任一点激发的磁场 总被引:1,自引:0,他引:1
文章用普通物理的方法计算了平面载流圆线圈在远处任意一点激发的磁场。 相似文献
444.
A straight magnetic filtering arc source is used to deposit thin films of titanium nitride. The properties of the films depend strongly on the deposition process. TiN films can be deposited directly onto heated substrates in a nitrogen atmosphere or onto unbiased substrates by condensing the Ti^+ ion beam in about 300 eV N2^+ nitrogen ion bombardment. In the latter case, the film stoichiometry is varied from an N:Ti ratio of 0.6-1.1 by controlling the arrival rates of Ti and nitrogen ions. Meanwhile, simple models are used to describe the evolution of compressive stress as function of the arrival ratio and the composition of the ion-assisted TiN films. 相似文献
445.
微惯性仪表技术的研究与发展 总被引:6,自引:0,他引:6
论述了当前国内外微惯性仪表设计和制造技术的研究与发展,强调了对相关基础理论研究的重要性,提出了计算机集成微制造单元的概念。 相似文献
446.
Tantalum nitride (TAN) thin films are achieved on Si(111) and SS317L substrates by cathodic vacuum arc technique, which is rarely reported in the literature. The crystal structure, composition and surface morphology of the films are characterized by x-ray diffraction (XRD), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), auger electron spectroscopy, and atomic force microscopy, respectively. The influence of substrate negative bias on crystal structure, composition, surface morphology of the TaN films is systematically studied. At the substrate bias of 0 V and -50 V, the amorphous TaN film is obtained. As the bias increases to -100 V, cubic TaN phase can be found. Stoichiometric TaN with hexagonal lattice preferred (300) orientation is prepared at a bias of -200 V. Combine the XRD and XPS results, the binding energy value of 23.6eV of Ta 4f(7/2) is contributed to hexagonal TaN. Compared to other techniques, TaN thin films fabricated by cathodic vacuum arc at various substrate biases show different microstructures. 相似文献
447.
一种新型的单陀螺多加速度计捷联惯导系统 总被引:11,自引:1,他引:11
在无陀螺捷联方案的基础上,提出了单陀螺多加速度计的捷联方案。中详细推导了角速度和加速度的解算方法,并以智能炮弹为背景,进行了仿真,得到了误差曲线,并指出了应注意的问题。 相似文献
448.
本文采用复形法对某型船用挠性陀螺仪的差动式电感传感器进行了最小电磁吸力矩的优化设计,找出线圈匝数和激磁电压的最优值。研究表明,采用合适的线圈匝数和激磁电压,可使电磁吸力矩减小一个数量级以上,从而大大减小挠性陀螺仪的漂移。 相似文献
449.