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571.
Syringe-shaped GaN nanorods are synthesized on Si(111) substrates by annealing sputtered Ga2O3/BN films under flowing ammonia at temperature of 950℃. Most of the nanorods consist of a main rod and a top needle, looking like a syringe. X-ray diffraction and selected-area electron diffraction confirm that the syringe-shaped nanorods are hexagonal wurtzite GaN. Scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy reveal that these nanorods are as long as several micrometres, with diameters ranging from 100 to 300nm. In addition to the BN intermediate layer, the proper annealing temperature has been demonstrated to be a crucial factor for the growth of syringe-shaped nanorods by this method. 相似文献
572.
线性瞬态涡流电磁场定解问题的主要特点是边界条件使用磁感应强度的法向分量边界条件代替了电场强度的切向分量边界条件,约束方程中忽略了位移电流.这种具有特殊性的定解问题的解是否唯一和稳定对于求解瞬态涡流电磁场而言是一个基本问题.本文在非涡流区引入标量位函数,证明了在推导过程中起重要作用的辅助函数的存在性.通过推导线性瞬态涡流电磁场定解问题的能量估计式,证明了该定解问题的解是唯一的,并且关于初始条件和外源项是稳定的.本结果对于线性瞬态涡流电磁场的求解有一定的指导意义.作为应用,给出了通有单脉冲电流的单匝圆环线圈与球形导体共轴的涡流问题的解析解.
关键词:
瞬态涡流电磁场
能量估计式
唯一性
稳定性 相似文献
573.
574.
研制了一种半自动可拆卸式的循环雾化器,0.5ml试样可连续喷雾大约4min,并做了该装置的检出限、精密度、记忆效应等特性试验。这种装置在顺序扫描ICP-AES中有实用价值。 相似文献
575.
In a set of vibrating quasi-two-dimensional containers with the right-hand sidewall bent inward,
three new segregation patterns have been identified experimentally including a Two-Side segregation Pattern, a Left-hand Side segregation Pattern and a pattern where big particles aggregate to the upper left part of the container. In a container with small bending degree, either the two-side
segregation pattern or the left-hand side segregation pattern is stable, which is determined by the initial distribution of particles. 相似文献
576.
现代科学技术的发展要求在校大学生必须有宽厚的基础和获取新知识的能力,而当前作为师范高等院校基础实验课的物理实验,从教学内容、教学手段到管理方面都不同程度地存在着脱离科学技术的发展和工程实际等问题,与素质教育总体目标不相适应。这就逼迫物理实验必须深化改革、转变传统的教学方法和手段,特别是在实验课的现代化建设方面作一些有益的尝试。1.转变观念,改革实验教学内容当前,我国物理教学中仍普遍存在着重理论轻实验,重知识轻实践,从概念到概念,从理论到理论,从书本到书本的现象。重理论轻实验是历史造成的一种错误观念,大家总认为从事实验课教学的不如从事理论课教学的。 相似文献
577.
578.
We report a new method for large-scale production of GaMnN nanobars, by ammoniating Ga2O3 films doped with Mn under flowing ammonia atmosphere at 1000oC. The Mn-doped GaN sword-like nanobars are a single-crystal hexagonal structure, containing Mn up to 5.43 atom%. Thickness is about 100 nm and with a width of 200-400 nm. The nanobars are characterized by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence. The GaN nanobars show two emission bands with a well-defined PL peak at 388 nm and 409 nm respectively. The large distinct redshift (409 nm) are comparable to pure GaN(370 nm) at room temperature. The red-shift photoluminescence is due to Mn doping. The growth mechanism of crystalline GaN nanobars is discussed briefly. 相似文献
579.
Flower-shape clustering GaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates through ammoniating Ga2O3/ZnO films at 950℃. The as-grown products are characterized by x-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), field-emission transmission electron microscope (FETEM), Fourier transform infrared spectrum (FTIR) and fluorescence spectrophotometer. The SEM images demonstrate that the products consist of flower-shape clustering GaN nanorods. The XRD indicates that the reflections of the samples can be indexed to the hexagonal GaN phase and HRTEM shows that the nanorods are of pure hexagonal GaN single crystal. The photoluminescence (PL) spectrum indicates that the GaN nanorods have a good emission property. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献
580.