变截面圆形管道粘性流动的伽辽金-摄动杂交解

采用伽辽金-摄动杂交法来研究壁面是正弦形状的变截面圆形管道的粘性流动,从而避免了摄动小参数的局限性和单纯伽辽金法基函数选取的任意性的困难．讨论了边界和雷诺数对流动的影响,获得流动分离点和附着点的位置,还分析了壁面剪应力和摩擦系数沿轴向的变化情况．在小参数的情况下,计算所获得的结果与摄动解吻合良好．     

动脉中血液脉动流的一种分析方法

动脉中的血液流动被分解为平衡状态(相当于平均压定常流状态)和叠加在平衡状态上的周期脉动流,利用Fung的血管应变能密度函数分析血管壁在平衡状态下的应力-应变关系,确定相对于平衡状态血管作微小变形所对应的周向弹性模量和轴向弹性模量,并建立在脉动压力作用下相应的管壁运动方程,与线性化Navier-Stokes方程联立,求得血液流动速度和血管壁位移的分析表达式,详细讨论血管壁周向和轴向弹性性质差异对脉博波、血液脉动流特性以及血管壁运动的影响.     

环形截面螺旋管道内二次流动特性的研究

从曲线柱坐标系下的N-S方程出发,以曲率和挠率为小参数,采用摄动法求解了环形截面螺旋管道内的黏性流动,给出了完全二阶摄动解,结果表明：当挠率为零时,二次流表现为上下对称的四个涡;当挠率不为零,涡的对称性遭到破坏,二次涡的强度和个数受De数和环形截面内外径之比δ的影响,轴向速度最大值在De数较小时靠近管道的内侧,随着De数的增加,其最大值向外侧移动。     

在化工基础实验中实施探究式学习

在化工基础实验中引入探究式学习,不仅能够提高学生的学习积极性,而且有利于培养他们的创新能力和协作精神,使学生掌握科学研究的初步方法。     

脆性岩石蠕变裂纹成核宏细观力学机理研究

脆性岩石内部细观裂纹扩展、贯通及成核影响下的脆性蠕变行为,对深部地下工程围岩微震及岩爆事件评价有着重要意义.然而,目前能够解释裂纹成核损伤突变影响下,脆性岩石完整蠕变宏细观力学机理模型的研究很少.本文基于脆性岩石亚临界裂纹扩展模型、裂纹?应变?声发射事件相关的损伤模型及裂纹成核损伤时间演化路径函数,提出了一种脆性岩石裂...     

吸气式高超声速飞行器气动力气动热的数值模拟方法及应用

对吸气式高超声速飞行器而言,物面热流和摩阻的准确预测对飞行器设计及安全十分关键.介绍采用CFD准确预测气动力和气动热的方法,包括流动的控制方程、湍流模型及湍流的先进壁面函数边界条件,介绍流动的数值求解方法.对典型超声速层流和湍流流动的摩擦阻力和热流进行详细的验证与确认,考察CFD工具在使用先进壁面函数边界条件后,湍流计算的法向网格无关性能力.对设计的一种吸气式高超声速飞行器的气动力和气动热进行数值模拟,为飞行器的气动设计及热防护提供了可靠的数据.     

Analysis of secondary electron emission using the fractal method

Based on the rough surface topography with fractal parameters and the Monte–Carlo simulation method for secondary electron emission properties, we analyze the secondary electron yield(SEY) of a metal with rough surface topography. The results show that when the characteristic length scale of the surface, G, is larger than 1 × 10^-7, the surface roughness increases with the increasing fractal dimension D. When the surface roughness becomes larger, it is difficult for entered electrons to escape surface. As a result, more electrons are collected and then SEY decreases. When G is less than 1 × 10^-7,the effect of the surface topography can be ignored, and the SEY almost has no change as the dimension D increases. Then,the multipactor thresholds of a C-band rectangular impedance transfer and an ultrahigh-frequency-band coaxial impedance transfer are predicted by the relationship between the SEY and the fractal parameters. It is verified that for practical microwave devices, the larger the parameter G is, the higher the multipactor threshold is. Also, the larger the value of D,the higher the multipactor threshold.     

悼念我国物理学界前辈谢玉铭教授

１９８２年中国物理学会成立五十周年之际,《物理》杂志１９８２年第８期和第１１期登载了一批纪念我国物理学界前辈的文章．《燕京大学物理系的变迁》一文第１１期中,提及谢玉铭先生在抗日战争前在燕京大学担任物理系主任培育青年的事迹．１９８２年谢先生还健在台湾．不意不久前从海峡对岸传来噩耗,谢先生于１９８６年３月２０日辞世．感伤之余,不禁回忆起我和谢先生昔年的交往陈迹,以及三十年代北京（当时称北平）物理?...     

纪念物理学界的老前辈叶企孙先生

我并非叶先生的学生,没有听过他的课,也没有和他一起工作过．我是1930年秋开始认识叶先生的,当时我正在沈阳东北大学物理系工作．我们实验室的门上有室内工作人员的名牌．一天,有位来宾来参观我们的实验室,他看见名牌上我的名字,就说知道这个人,要见一见我,这时我才知道来访者就是我慕名已久的叶企孙教授．叶先生怎么知道我呢,因为我于1929年大学毕业之后曾和叶先生通过一次信．这是一次偶然的通信,但在一年之后偶然?...     

硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光

硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜,然后用热扩散法进行了锰（Mn2＋）掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3～5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm（2.36 eV）,一般认为这是来自Mn2＋能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅（SiO2∶Si∶Mn2＋）做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光（EL）,光谱范围覆盖了400～800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2＋以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2＋的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。