合金化程度对炭载Pt-Ru催化剂性能的影响

在含四氢呋喃(THF)的水溶液中, 室温下用NaBH₄还原H₂PtCl₆和RuCl₃制得Pt-Ru/C催化剂. 其Pt-Ru 粒子的合金化程度较高, 平均粒径较小, 相对结晶度较低. 因此对甲醇氧化的电催化活性远高于Pt-Ru 粒子的平均粒径和相对结晶度相似的, 而且Pt-Ru合金化程度低的商业化的E-TEK的Pt-Ru/C催化剂, 表明Pt-Ru的合金化程度对Pt-Ru/C催化甲醇氧化的电催化活性有很大的影响.     

电火花能量对木材引燃特性影响的实验研究

在不同外部辐射热流下,研究了电火花引燃能量对杉木着火特性的影响.实验测得并分析了着火时间、着火时刻失重速率、临界热流随电火花能量的变化规律.结果表明,木材的着火时间随电火花能量的增大而明显缩短;随着电火花能量的增大,着火时刻的失重速率和临界热流都有减小的趋势,其中,临界热流变化较小,通过实验数据推导得出实验条件下杉木着...     

LiCoO2电池正极微结构重构及有效传输系数预测

采用Monte Carlo方法重构了LiCoO2电池正极的三维微结构,重构单元的特征尺寸为几十纳米量级,从而得到了明确区分活性材料、固体添加物以及孔相(电解液)的微结构.通过对重构电极的特征化分析,得到了微结构中特定相的连通性和扭曲率、组分体积分数的空间分布、比表面积、孔径分布等特征信息.采用D3Q15格子Boltzmann模型(LBM)计算了该重构电极的有效热导率、电解液(或固相)的有效传输系数.同时发现,与随机行走方法以及Bruggemann关系式计算获得的扭曲率数值相比,LBM预测值更可靠.     

Magnetic phase transitions and large mass enhancement in single crystal CaFe4As3

High quality single crystal CaFe₄As₃ was grown by using the Sn flux method. Unlike layered CaFe₂As₂, CaFe₄As₃ crystallizes in an orthorhombic three-dimensional structure. Two magnetic ordering transitions are observed at ～90 K and ～27 K, respectively. The high temperature transition is an antiferromagnetic(AF) ordering transition. However, the low temperature transition shows complex properties. It shows a ferromagnetic-like transition when a field is applied along b-axis, while antiferromagnetism-like transition when a field is applied perpendicular to b-axis. These results suggest that the low temperature transition at 27 K is a first-order transition from an AF state to a canted AF state. In addition, the low temperature electron specific heat coefficient reaches as high as 143 mJ/mol·K², showing a heavy fermion behavior.     

高空核爆电磁脉冲穿透电离层数值计算

电离层对电磁脉冲传播的影响可以用一个频域的电流密度来描述,在时域则等效为一附加的电流密度和电导率。推导了附加电流密度和电导率在时域的表达式,它们是电离层参数和作用电场的函数,并以差分方程的形式给出。高空核爆电磁脉冲(HEMP)的计算是在时域进行的,将该电流密度和电导率计算方法应用于HEMP产生和传播的自洽计算中。作为算例,计算了100 km高空核爆电磁脉冲产生和向上传播的3种情况,并对计算结果进行了比对分析。计算结果表明:电离层时域计算方法与核爆电磁脉冲计算方法的结合是合理有效的,爆点上方考虑电离层影响的HEMP要比不考虑电离层影响的结果小得多。     

百kV/cm场强下SF6气体开关纳秒脉冲击穿场强和时延经验公式

百kV/cm高场强纳秒脉冲条件下,采用J. C. Martin经验公式估算SF₆气体击穿场强时,估算值与实验结果差异显著。为了进一步指导高场强脉冲气体开关设计,为开关工作状态调节提供依据,借鉴经典击穿场强经验公式形式建立了百kV/cm场强下SF₆气体开关纳秒脉冲击穿场强和时延与实验参数之间的关系,基于实验数据拟合形成了修正系数的击穿场强和时延经验公式。研究表明,百kV/cm场强和纳秒脉冲条件下脉冲电压斜率对开关击穿特性有重要影响,击穿场强与击穿时延相互关联。百ns至μs脉冲与几十ns脉冲气体放电机理的区别引起放电过程中击穿时延组成发生变化,导致了经典击穿场强经验公式估算值与实验结果的显著差异。修正系数的击穿经验公式可为电磁脉冲模拟器输出开关提供更为精确的工程设计依据。     

The remote implementation of all possible generalized quantum measurement on single atomic qubit in a quantum network

To implement generalized quantum measurement (GQM) one has to extend the original Hilbert space. Generally speaking, the additional dimensions of the ancilla space increase as the number of the operators of the GQM n increases. This paper presents a scheme for deterministically implementing all possible n-operator GQMs on a single atomic qubit by using only one 2-dimensional ancillary atomic qubit repeatedly, which remarkably reduces the complexity of the realistic physical system. Here the qubit is encoded in the internal states of an atom trapped in an optical cavity and single-photon pulses are employed to provide the interaction between qubits. It shows that the scheme can be performed remotely, and thus it is suitable for implementing GQM in a quantum network. What is more, the number of the total ancilla dimensions in our scheme achieves the theoretic low bound.     

双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应

利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究,通过分析双极晶体管内部晶格温度分布,判定是否处于毁伤状态,总结双极晶体管烧毁时间和烧毁所需能量与脉冲X射线脉冲宽度和注量之间的关系。结果表明：随着脉冲X射线脉宽增加,双极晶体管烧毁能量变化较小,烧毁时间逐渐增加;随着注量增加,烧毁时间逐渐降低,在5.86 J/cm2以下时,烧毁所需能量基本相同,之后呈指数逐渐增加,并通过曲线拟合得到损伤规律的经验公式。     

含化学反应膛口流场的无网格数值模拟

基于无网格方法,对包含大位移运动边界和非平衡化学反应的膛口流场进行了数值模拟。所发展算法是基于线性基函数最小二乘显式无网格方法,忽略黏性及湍流的影响,对流场采用ALE(arbitrary Lagrangian-Eulerian)形式的Euler方程描述,对流通量和化学反应源项采用多组分HLLC(Harten-Lax-van Leer-Contact)格式和有限速率反应模型计算,对于运动边界造成的点云畸形采用局部点云重构方法处理,重构过程中采用虚拟边阵面推进。对圆柱绕流和激波诱导燃烧流场进行了数值模拟,验证了重构方法和化学反应计算的有效性。最后对12.7 mm口径机枪膛口流场进行了模拟,结果同实验照片、非结构网格方法结果吻合较好,数值结果清晰地再现了膛口初始冲击波、膛口冲击波、欠膨胀射流波系结构的动力学发展过程,以及膛口焰的时间、空间分布特征。

     

GJB151B CS115的电路仿真分析(一)--校准设备指标需求分析北大核心CSCD

GJB151B CS115给出了开展脉冲传导敏感度试验的校准平台构成和校准波形标准,但未明确校准平台各设备(脉冲源、电流注入环、校准夹具等)的具体指标需求。为解决这一问题,本文在前期脉冲电流注入电路仿真研究工作的基础上,构建了校准平台的时域电路模型,通过逐一改变模型参数的方法,仿真分析了脉冲源内部回路电感、电流注入环等效电感/电阻/电容等对校准波形前沿、半宽以及平顶降的影响,得出了平台各设备应达到的技术指标。该工作是对GJB151B CS115的有益补充,为搭建CS115试验平台,开展电子设备脉冲传导敏感度试验提供了技术支撑。