首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   692篇
  免费   333篇
  国内免费   254篇
化学   441篇
晶体学   54篇
力学   110篇
综合类   24篇
数学   133篇
物理学   517篇
  2024年   5篇
  2023年   32篇
  2022年   45篇
  2021年   30篇
  2020年   19篇
  2019年   27篇
  2018年   51篇
  2017年   37篇
  2016年   33篇
  2015年   36篇
  2014年   70篇
  2013年   68篇
  2012年   60篇
  2011年   56篇
  2010年   67篇
  2009年   50篇
  2008年   62篇
  2007年   46篇
  2006年   48篇
  2005年   58篇
  2004年   52篇
  2003年   43篇
  2002年   32篇
  2001年   25篇
  2000年   27篇
  1999年   21篇
  1998年   14篇
  1997年   16篇
  1996年   11篇
  1995年   6篇
  1994年   20篇
  1993年   10篇
  1992年   8篇
  1991年   10篇
  1990年   8篇
  1989年   10篇
  1988年   8篇
  1987年   9篇
  1986年   6篇
  1985年   12篇
  1984年   9篇
  1983年   3篇
  1982年   5篇
  1980年   3篇
  1977年   1篇
  1966年   2篇
  1964年   2篇
  1958年   2篇
  1957年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有1279条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
熔石英亚表面划痕对入射激光的近场调制是导致光学元件低阈值损伤的主要因素之一. 用三维时域有限差分方法研究了连续横向划痕的近场分布, 对比了尖锐截面与光滑截面场调制的差异, 着重探讨了光场调制与划痕宽深比R的关系. 研究表明: 酸蚀后的光滑截面有助于减弱近场调制, 这类划痕的R>10.0时调制较弱且相互接近, R<5.0时调制显著增强. 当R取1---3时, 亚表面的调制达最大值, 最大电场幅值为入射波幅值的4.3倍. 当R取1.0---3.5时, 缺陷附近有80%以上取样点的最大电场幅值超过入射波幅值的2倍. 随着深度的增大, 强场区具有明显的"趋肤效应": 位于划痕正下方的强场区首先往左右两侧移动, 然后移向抛物口界面以及水平界面, 同时衍生出的多条增强线诱导整个亚表面层的光场增强.  相似文献   
82.
吕理想  张晓萍 《计算物理》2007,24(3):373-377
讨论光通信中脉冲的准单色光光场的正负频表示,正负频形式的傅里叶变换,正负频形式的非线性薛定谔方程及它们之间的关系.尤其在脉冲频谱的求解问题中,如果采用负频形式的非线性薛定谔方程则必须选取负频形式的傅里叶变换;如果采用正频形式的非线性薛定谔方程则必须选取正频形式的傅里叶变换.采用分步傅里叶法对具体实例进行数值求解,验证了讨论结果.  相似文献   
83.
A nano-crystlline diamond film is grown by the dc arcjet chemical vapor deposition method. The film is characterized by scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), x-ray diffraction (XRD) and Ftaman spectra, respectively. The nanocrystalline grains are averagely with 80hm in the size measured by XRD, and further proven by Raman and HRTEM. The observed novel morphology of the growth surface, pineapple-like morphology, is constructed by cubo-octahedral growth zones with a smooth faceted top surface and coarse side surfaces. The as-grown film possesses (100) dominant surface containing a little amorphous sp2 component, which is far different from the nano-crystalline film with the usual cauliflower-like morphology.  相似文献   
84.
花金荣  李莉  向霞  祖小涛 《物理学报》2011,60(4):44206-044206
熔石英亚表面缺陷是光学材料低损伤阈值的主要因素之一.本文建立了熔石英亚表面三维球形杂质颗粒模型,采用三维时域有限差分方法对杂质附近的光场进行了数值模拟,分析了杂质的介电常数与尺寸对光强增强因子的影响,结果显示:介电常数小于熔石英的杂质,其光强增强因子不随尺寸、介电常数的改变而改变,均保持为4左右;当介电常数为6.0时,半径为1.5λ,2λ及2.5λ的杂质,相应的光强增强因子分别为50.1588,73.3904及102.9953,即增强因子随杂质尺寸的增大而增大;恰 关键词: 杂质颗粒 三维时域有限差分 数值计算 光强增强因子  相似文献   
85.
脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
田晶泽  吕反修  夏立芳 《物理学报》2001,50(11):2258-2262
采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压,增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N2)和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律.结果表明:随着基片负偏压和放电电流的增大,薄膜中立方氮化硼的纯度提高,当基片负偏压为155V,放电电流为15A时,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜.基片温度为500℃和Ar/N2流量比为10时,最有利于立方氮化硼 关键词: 立方氮化硼 活性反应离子镀 脉冲偏压  相似文献   
86.
研究具有欧拉形式的无界时滞中立型微分方程解的振动性,给出了方程振动的几个充分条件。  相似文献   
87.
高功率二极管激光器失效特性研究   总被引:6,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
利用统计分析手段,对高功率二极管激光器封装中各工艺环节引起器件失效的原因进行了分析和归类.根据几种失效模式的分析结果,焊接空隙、结短路、腔面退化是引起高功率DL失效的主要模式,针对高功率二极管激光器失效的主要模式,对焊料沉积夹具及焊接工艺参数进行了改进和优化,大大提高了封装工艺水平,使封装的器件成品率由原来的77%提高到了85%以上.  相似文献   
88.
 从亥姆霍兹方程出发,得到了各向异性光波导在弱导近似下的耦合模理论。耦合系数包括偏振耦合项和双折射耦合项。并用马卡提里近似下的模式作为零级近似。用一级微扰法计算了折射率渐变分布的钛扩散铌酸锂矩形波导的传播常数。在给定参数的情况下,得到双折射项引起的传播常数的改变约为主微扰项的3%,因此双折射耦合对钛扩散铌酸锂矩形波导的性能影响不可忽略,这对设计和分析与它相关的光波导器件具有指导意义。  相似文献   
89.
人体中的痕量元素特别是铅、镉与人体健康有着密切关系,因而正确测定它们在人血清中的含量有着一定的意义。Sinko等曾报道了血清经热压消化后,用阳极溶出伏安法同时测定其中6种痕量元素;也有人报道了全血经湿法消化后,用微分脉冲阳极溶出伏安法同时测定其中的痕量元素。国内也曾报道过耳血中痕量铅的测定。本文是在过去工作的基础上,提出了人血清于常压下湿法消化后,用线性扫描阳极溶出伏安法,在悬汞电极上同时测定铅、镉的方法。分析时间约为3小时,检测下限为2ng/ml。  相似文献   
90.
Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响   总被引:1,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
 利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,将能量56 keV、剂量1×1017 cm-2的Zn离子注入到薄膜中。离子注入后,薄膜在500~900 ℃的氩气中退火,利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。结果显示:衍射峰在约700 ℃退火后得到恢复;当退火温度小于600 ℃时,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移,超过600 ℃时,吸收边随着退火温度的提高发生红移;近带边激子发光和深能级缺陷发光都随退火温度的提高而增强。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号