Phase Transition and EOS of Marmatite （Zn0.76Fe0.23S） up to 623K and 17 GPa

In situ energy dispersive x-ray diffraction for natural marmatite （Zn0.76Fe0.23S） is performed up to 17. 7 GPa and 623 K. It is fit, ted by the Birch-Murnaghan equation of state （EOS） that Ko and α0 for marmatite are 85（3）GPa and 0.79（16）＊10^-4 K^-1, respectively. Fe^2＋ isomorphic replacing to Zn^2＋ in natural crystal is responsible for high bulk modulus and thermal expansivity of marmatite. Temperature derivative of bulk modulus （OK/OT）p for marmatite is fitted to be -0.044（23） GPaK^-1. The unambiguous B3-B1 phase boundaries for marmatite are determined to be Pupper（GPa）= 15.50 - 0.016T（℃） and Plower （GPa）=9.94-0.012T（℃） at 300-623K.     

纳米级镍铁同步处理Cr(VI)和p-NCB的研究

采用纳米级镍/铁双金属体系同步处理含Cr(VI)和p-NCB的废水,考察了反应温度、初始pH值和Cr(VI)、p-NCB浓度变化以及Ni(II)存在对处理效率的影响.结果表明:纳米级镍/铁双金属应用于Cr(VI)和p-NCB同步处理,可以取得良好的去除效率.反应产物为Cr(III)和苯胺.Ni(II)可以促进p-NCB的还原降解,而水中的Cr(VI)会与p-NCB起竞争作用,从而抑制p-NCB的还原降解.     

大孔PS/PVC互贯弱碱树脂对有机质的吸着作用

本文研究了由化学互贯及物理互贯法制得的大孔交联聚苯乙烯(PS)/聚氯乙烯(PVC)互贯弱碱树脂(分别称为DXP型和DXF型)对苯酚等有机质的吸着作用。结果表明,DXF吸酚受PH的影响行为与一般的弱碱树脂相似,而DXP的吸酚容量与PH的关系曲线呈S形。DXP特殊的吸酚行为归因于这种树脂两网互贯程度较大以致吸酚时有显著的协同效应,这种效应在不同的PH范围既可促进、也可减弱树脂对酚的吸着作用。DXF由于两网互贯作用小,协同效应不显著。协同效应也反映在DXP用于按蜜脱色及有机废水脱COD时有较好的效果。     

大孔树脂对脲酶的吸附作用

本文主要研究不同极性和孔结构的大孔树脂对脲酶的吸附作用,以及脲酶溶液的浓度、纯度和pH等对脲酶吸附作用的影响。     

用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)

此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT).在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT, 以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面.从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产.在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平.     

托卡马克实验与工程——HL-2A装置上芯部弹丸加料中的电子热输运研究

从80年代中期开始，在许多聚变装置上观察到了用弹丸注入改善的等离子体能量约束。在JET和一些大型托卡马克上实现了弹丸增强约束模（PEP）。PEP模的机制也已在理论上做了分析。分析表明，有多种机制在减小反常输运中起作用，而这些机制的作用依赖于实验的条件。本文将报道在HL-2A装置上无辅助加热条件下的弹丸加料实验结果。该工作的着重点是研究在中心加料欧姆放电中的电子热输运。     

HIPS的γ辐照效应的正电子寿命谱研究

测量了高强度聚苯乙烯（ＨＩＰＳ）的正电子寿命谱随γ辐照剂量的变化，观察到自由体积孔洞的平均半径随辐照剂量的增加而基本不变，且自由体积孔洞的浓度和半径分布宽度随辐照剂量的增加而减小．这一实验结果表明，γ辐照后高强度聚苯乙烯力学性能的改善与自由体积特性的变化相关联．     

EAST等离子体电子温度涨落特征的初步实验研究

在EAST上使用相关电子回旋辐射(CECE)诊断系统观测到不同等离子体参数下的电子温度涨落特征,介绍了欧姆放电、L模放电及无ELM的H模放电的三种现象。在欧姆密度爬升等离子体中,电子温度涨落与电子密度之间表现出很强的相关性,即存在电子温度涨落处于较高水平的电子密度的窗口。初步分析表明,电子温度涨落变化是电子密度梯度和电子温度梯度共同影响的结果。不同辅助加热下的L模等离子体中,电子温度涨落的频谱表现出不同的行为。由于电子回旋共振加热(ECRH)的功率有限,其对电子温度的改变很小,而中性束注入(NBI)有较高的注入功率,能够明显提升电子温度,加热方式及加热功率大小引起的电子温度变化与电子温度涨落变化相关。在没有边缘局域模(ELM)的H模期间,可以观测到频率为18kHz的准相干模,其存在于归一化半径ρ=0.71～0.87较宽的径向范围内。     

用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)

此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术（ILT）。在论文中将讨论有关ILT的最新发展，包括在超成像极限协助图样（SRAF）的生成，可增加制程宽容度的ILT，以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出，ILT已经不再只是一种用于研究的工具，而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后，ILT可以增加制程的宽容度，同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。